公开(公告)号：CN114899186A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202210435477.7

申请日：2022-04-24

Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心

Inventor： 董树荣 ,  俞方俊 ,  邓非凡 ,  朱信宇 ,  陈奕鹏

IPC: H01L27/02

Abstract: 本发明公开了一种用于低压电路静电防护的可控硅器件，包括衬底以及设于衬底上的器件区，所述器件区包括N阱，所述N阱内设有注入区和第三N+注入区，所述第三N+注入区围绕所述注入区连续设置，所述第三N+注入区下方设有PESD注入层；所述注入区被分割为相邻的第一N+注入区、第一P+注入区，第二N+注入区，所述第一N+注入区、第二N+注入区、N阱、PESD注入层、第三N+注入区构成NPN三极管；所述第一P+注入区、N阱、PESD注入层、第三N+注入区形成PNPN可控硅路径；所述第一N+注入区、第一P+注入区、第二N+注入区通过金属导线接入电学阳极；所述第三N+注入区通过金属导线接入电学阴极。

公开(公告)号：CN117832213A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202311849548.9

申请日：2023-12-29

Applicant: 浙江大学 ,  北京东方计量测试研究所

Inventor： 蒋云昊 ,  董树荣 ,  高志良 ,  陈奕鹏 ,  朱信宇 ,  程千钉 ,  周黎

IPC: H01L27/02 ,  H02H9/00 ,  H02H9/02 ,  H02H9/04

Abstract: 本发明公开了一种半导体静电防护技术领域的静电防护器件，旨在解决现有技术中静电防护器件鲁棒性较差的问题。其包括：第一端子和第二端子在接入需要静电防护的电路后，当第一端子和第二端子任一端遭遇静电脉冲时，电容的极板发生电子迁移，由于静电发生时间极短，此时电子迁移可看做电容短接，碳纳米管导通两端的第一端子和第二端子，静电脉冲通过第一端子、碳纳米管和第二端子形成的通路逃开需要静电防护的电路，从电源端口流走；没有静电脉冲时，电容阻隔直流电通过。

公开(公告)号：CN114695345A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202210313795.6

申请日：2022-03-28

Applicant: 浙江大学

Inventor： 董树荣 ,  俞方俊 ,  朱信宇 ,  邓非凡 ,  陈奕鹏

IPC: H01L27/02

Abstract: 本发明公开了一种用于集成电路的可控硅静电防护器件，包括衬底以及设于衬底上的器件区，器件区包括相邻设置的N阱和P阱，N阱内设有第一N+注入区、第一P+注入区和第二P+注入区，P阱内设有第二N+注入区、第三N+注入区和第三P+注入区，器件区外还设有第一多晶硅和第二多晶硅，第一多晶硅与第一P+注入区、N阱、第二P+注入区构成PMOS管；第二多晶硅与第二N+注入区、P阱、第三N+注入区构成NMOS管；第一P+注入区、第一多晶硅、第二N+注入区通过金属导线相连并接入电学阳极；第二P+注入区、第二多晶硅、第三N+注入区通过金属导线相连并接入电学阴极；第一N+注入区与第三P+注入区通过金属导线相连。

公开(公告)号：CN116779605A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310777035.5

申请日：2023-06-28

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 ,  浙江大学

Inventor： 周世聪 ,  朱信宇 ,  原义栋 ,  赵天挺 ,  沈红伟 ,  董树荣 ,  苗清 ,  张萌

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8222

Abstract: 本发明提供一种可控硅器件、可控硅器件制作方法、芯片及电路，属于半导体器件领域，该器件包括：衬底；第一阱区；第二阱区、第一注入区和第三阱区，沿衬底长度方向形成在第一阱区内；第二注入区和第三注入区，分别形成于第二阱区和第三阱区内；第四注入区和第五注入区，分别形成于第二注入区和第三注入区内；第一多晶硅层和第二多晶硅层，分别形成于第一注入区两侧的衬底表面；第一隔离槽和第二隔离槽，分别形成于第一注入区两侧；第四注入区和第一多晶硅层通过金属连线接入电学阳极，第五注入区和第二多晶硅层通过金属连线接入电学阴极。通过本发明提供的器件，能够提供更高的ESD保护能力，电流走向更为均匀，提高器件响应速度。