公开(公告)号：CN114899186A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202210435477.7

申请日：2022-04-24

Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心

Inventor： 董树荣 ,  俞方俊 ,  邓非凡 ,  朱信宇 ,  陈奕鹏

IPC: H01L27/02

Abstract: 本发明公开了一种用于低压电路静电防护的可控硅器件，包括衬底以及设于衬底上的器件区，所述器件区包括N阱，所述N阱内设有注入区和第三N+注入区，所述第三N+注入区围绕所述注入区连续设置，所述第三N+注入区下方设有PESD注入层；所述注入区被分割为相邻的第一N+注入区、第一P+注入区，第二N+注入区，所述第一N+注入区、第二N+注入区、N阱、PESD注入层、第三N+注入区构成NPN三极管；所述第一P+注入区、N阱、PESD注入层、第三N+注入区形成PNPN可控硅路径；所述第一N+注入区、第一P+注入区、第二N+注入区通过金属导线接入电学阳极；所述第三N+注入区通过金属导线接入电学阴极。

公开(公告)号：CN114695345A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202210313795.6

申请日：2022-03-28

Applicant: 浙江大学

Inventor： 董树荣 ,  俞方俊 ,  朱信宇 ,  邓非凡 ,  陈奕鹏

IPC: H01L27/02

Abstract: 本发明公开了一种用于集成电路的可控硅静电防护器件，包括衬底以及设于衬底上的器件区，器件区包括相邻设置的N阱和P阱，N阱内设有第一N+注入区、第一P+注入区和第二P+注入区，P阱内设有第二N+注入区、第三N+注入区和第三P+注入区，器件区外还设有第一多晶硅和第二多晶硅，第一多晶硅与第一P+注入区、N阱、第二P+注入区构成PMOS管；第二多晶硅与第二N+注入区、P阱、第三N+注入区构成NMOS管；第一P+注入区、第一多晶硅、第二N+注入区通过金属导线相连并接入电学阳极；第二P+注入区、第二多晶硅、第三N+注入区通过金属导线相连并接入电学阴极；第一N+注入区与第三P+注入区通过金属导线相连。