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发明公开
一种用于低压电路静电防护的可控硅器件审中-实审

公开(公告)号：CN114899186A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202210435477.7

申请日：2022-04-24

Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心

Inventor： 董树荣 , 俞方俊 , 邓非凡 , 朱信宇 , 陈奕鹏

IPC: H01L27/02

Abstract: 本发明公开了一种用于低压电路静电防护的可控硅器件，包括衬底以及设于衬底上的器件区，所述器件区包括N阱，所述N阱内设有注入区和第三N+注入区，所述第三N+注入区围绕所述注入区连续设置，所述第三N+注入区下方设有PESD注入层；所述注入区被分割为相邻的第一N+注入区、第一P+注入区，第二N+注入区，所述第一N+注入区、第二N+注入区、N阱、PESD注入层、第三N+注入区构成NPN三极管；所述第一P+注入区、N阱、PESD注入层、第三N+注入区形成PNPN可控硅路径；所述第一N+注入区、第一P+注入区、第二N+注入区通过金属导线接入电学阳极；所述第三N+注入区通过金属导线接入电学阴极。

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