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公开(公告)号：CN119660804A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411732914.7
申请日：2024-11-29
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种SnO2修饰WO3纳米片复合气敏材料及其制备方法和应用，属于无机复合材料技术领域。将WCl6溶于乙醇中，加入装有陶瓷管的反应釜中，170~190℃水热反应5~8h，取出陶瓷管后干燥、退火处理，得载有WO3纳米片的陶瓷管；氯化锡和尿素溶于水中得混合液，加入装有载有WO3纳米片的陶瓷管的反应釜中，90~100℃水热反应1~4 h，反应结束后，取出陶瓷管，干燥得SnO2修饰WO3纳米片复合气敏材料，SnO2修饰WO3纳米片原位生长于陶瓷管上。本发明制备方法简单、产物结晶度高、稳定性好，适用于制备高经济型的气敏传感器材料，并且以SnO2修饰WO3纳米片复合气敏材料制备的传感器，可以有效提高WO3的气敏性能，在低温度下对二氧化氮表现出极高的响应值。
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公开(公告)号：CN107337473B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201710610711.4
申请日：2017-07-25
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明涉及一种在陶瓷管上原位生长MoO3纳米片的方法，属于纳米传感器的制备技术领域。该方法步骤为：（1）配置氧化钛籽晶层溶液；（2）配置氧化钼生长溶液：取0.1305 g的乙酰丙酮钼置于烧杯中后加入35 mL冰醋酸和2 mL去离子水，搅拌至完全溶解后转移至高压反应釜中；（3）片状结构纳米氧化钼的生长：将氧化铝陶瓷管在氧化钛籽晶层溶液中浸渍之后，于500℃煅烧2 h；水热生长。本发明的方法，无需事先制备出涂覆法所需粉末，无需手工涂覆，而是在氧化铝陶瓷管上直接生长出片状结构氧化钼。制成的传感器对三乙胺表现出较好的选择性，响应性有所提高。
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公开(公告)号：CN106866181A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710095842.3
申请日：2017-02-22
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明涉及一种在陶瓷管上原位生长海胆状Fe2O3纳米针的方法，属于纳米传感器的制备技术领域。本发明的方法，包括以下步骤：（1）将陶瓷管置于氯化铁和硫酸钠的混合溶液中，进行水热反应；（2）水热反应完成后，将陶瓷管在马弗炉中进行退火处理。本发明制备出海胆状Fe2O3纳米针的关键在于水热反应温度和水热反应时间的控制。首次公开了在氧化铝陶瓷管上原位生长海胆状氧化铁纳米针的方法。本发明的方法，无需事先制备出涂覆法所需粉末，无需手工涂覆；而是在氧化铝陶瓷管上直接生长出海胆状氧化铁纳米针。海胆状氧化铁纳米针的制备过程也是气敏陶瓷管的制备过程；步骤简单、耗时短；简化了传统气敏陶瓷管的制备工艺，省时省力，节约成本。
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公开(公告)号：CN119774666A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202510000861.8
申请日：2025-01-02
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种α‑Fe2O3/SnO2纳米针异质结气敏材料的制备方法，属于无机复合材料的制备及应用技术领域。将氯化铁与硫酸钠混合溶液和陶瓷管加入反应釜中，120‑160℃水热反应10‑14 h，反应结束后取出陶瓷管，干燥、退火处理，得载有α‑Fe2O3纳米针的陶瓷管；将氯化锡和尿素溶于水中得混合液，与载有α‑Fe2O3纳米针的陶瓷管加入至反应釜中，80‑100℃水热反应1~6 h，反应结束后取出陶瓷管，干燥、退火，得到α‑Fe2O3/SnO2纳米针复合气敏材料。本发明制备方法简单、产物结晶度高、稳定性好，适用于制备高经济型的气敏传感器材料，并且α‑Fe2O3/SnO2纳米针异质结气敏材料制备的传感器，可以有效提高α‑Fe2O3的气敏性能，在降低工作温度的同时对NO2表现出极高的响应值。
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公开(公告)号：CN106929921A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201710109849.6
申请日：2017-02-28
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明涉及一种在陶瓷管上原位生长分级结构二硫化钼纳米花球的方法，属于纳米传感器的制备技术领域。本发明的方法包括以下步骤：一、在氧化铝陶瓷管上制备二硫化钼籽晶层；二、将覆盖有二硫化钼籽晶层的氧化铝陶瓷管置于二硫化钼生长溶液，120℃以上恒温水热生长12‑36 h，即可；所述二硫化钼生长溶液由钼酸钠、硫脲、柠檬酸和去离子水组成，其中，钼酸钠、硫脲的摩尔比为1:4‑5。本发明首次公开了在陶瓷管上原位生长分级结构二硫化钼纳米花球的方法；本发明的方法，无需先制备出二硫化钼粉末，而是直接在衬底上生长出呈花球状结构的二硫化钼；无需涂覆、步骤简单、耗时短。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106929921B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN201710109849.6
申请日：2017-02-28
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明涉及一种在陶瓷管上原位生长分级结构二硫化钼纳米花球的方法，属于纳米传感器的制备技术领域。本发明的方法包括以下步骤：一、在氧化铝陶瓷管上制备二硫化钼籽晶层；二、将覆盖有二硫化钼籽晶层的氧化铝陶瓷管置于二硫化钼生长溶液，120℃以上恒温水热生长12‑36 h，即可；所述二硫化钼生长溶液由钼酸钠、硫脲、柠檬酸和去离子水组成，其中，钼酸钠、硫脲的摩尔比为1:4‑5。本发明首次公开了在陶瓷管上原位生长分级结构二硫化钼纳米花球的方法；本发明的方法，无需先制备出二硫化钼粉末，而是直接在衬底上生长出呈花球状结构的二硫化钼；无需涂覆、步骤简单、耗时短。
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公开(公告)号：CN110396006B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN201910639577.X
申请日：2019-07-16
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种ZIF‑8膜包覆SnO2复合气敏材料及其制备方法和应用。首先，将氯化亚锡和尿素混合，水热反应后经退火处理得载有SnO2的陶瓷管，采用提拉法将载有SnO2的陶瓷管在2‑甲基咪唑甲醇溶液中预处理，并置于由硝酸锌、2‑甲基咪唑、水和甲醇组成的ZIF‑8膜合成液中，50~110℃下溶剂热反应0.5~12 h，取出后清洗干燥得ZIF‑8膜包覆SnO2复合气敏材料。本发明具有制备方法简单、易于操作、重复性好，制备得到的ZIF‑8膜包覆SnO2复合气敏材料ZIF‑8膜致密均匀分布，对三乙胺表现出极佳的选择性，且响应值高。
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公开(公告)号：CN103880064A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410111775.6
申请日：2014-03-24
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明涉及一种在陶瓷管上原位生长二维片状结构纳米氧化锌的方法，属于纳米传感器的制备技术领域。本发明以氧化铝陶瓷管为衬底，利用浸渍法在氧化铝陶瓷管衬底上制备氧化锌籽晶层，然后利用水热法使硝酸锌和六次甲基四胺的混合溶液在含有氧化锌籽晶层的氧化铝陶瓷管上生长成氧化锌纳米片。本发明采的二维片状结构纳米氧化锌是在高温高压的水溶液中生长而成的；通过控制高压釜内溶液的温差使产生对流以形成过饱和状态而生长出片状晶体。本发明制备的生长于氧化铝陶瓷管的二维片状结构纳米氧化锌形貌可控、纳米片为六方纤锌矿结构、尺寸均匀，约为1-2μm，彼此相互连接形成网络；对乙醇的响应可以达到40，且对乙醇表现出较好的选择性。
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公开(公告)号：CN102854226A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210339980.9
申请日：2012-09-14
Applicant: 济南大学
IPC: G01N27/04
Abstract: 本发明属于气敏材料制备领域，尤其涉及一种金属氧化物/聚苯胺复合电阻型气敏元件及其制备方法。本发明是通过将金属氧化物多孔纳米固体研磨，加入去离子水制成浆料涂覆到基片上，然后经过高温烧结形成多孔厚膜；再将掺杂态聚苯胺研磨加溶剂调制成浆，然后涂覆在多孔厚膜上，自然晾干，形成气敏材料复合涂层的方法实现的。本发明的金属氧化物//聚苯胺复合电阻型气敏元件，其多孔厚膜与基片之间、多孔厚膜与聚苯胺之间的粘接性均很好，不易脱落；还有选择性好、灵敏度高、响应时间短、恢复时间短，恢复性好；成本低、工艺简单的优点。尤其可用于检测低浓度的二氧化氮气体。
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公开(公告)号：CN102115910B
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201010011817.0
申请日：2010-01-06
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明涉及一类芯壳型纳米线的激光沉积制备方法，属于半导体纳米材料及其异质结构领域。特别涉及以低密度纳米线阵列为模板，实现了结构和光学性质均匀的氧化锌基纳米线异质结的生长。以低密度纳米线阵列为模板，通过低压脉冲激光沉积技术沿纳米线外延生长壳层；有效克服了现存制备技术中的阴影效应；通过原位靶材更换，可方便实现多壳层纳米线的制备与壳层厚度控制；获得了结构和光学性质可控的芯壳型纳米线，比现有技术制备的纳米线异质结更加均匀。
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