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公开(公告)号：CN106929921A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201710109849.6
申请日：2017-02-28
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明涉及一种在陶瓷管上原位生长分级结构二硫化钼纳米花球的方法，属于纳米传感器的制备技术领域。本发明的方法包括以下步骤：一、在氧化铝陶瓷管上制备二硫化钼籽晶层；二、将覆盖有二硫化钼籽晶层的氧化铝陶瓷管置于二硫化钼生长溶液，120℃以上恒温水热生长12‑36 h，即可；所述二硫化钼生长溶液由钼酸钠、硫脲、柠檬酸和去离子水组成，其中，钼酸钠、硫脲的摩尔比为1:4‑5。本发明首次公开了在陶瓷管上原位生长分级结构二硫化钼纳米花球的方法；本发明的方法，无需先制备出二硫化钼粉末，而是直接在衬底上生长出呈花球状结构的二硫化钼；无需涂覆、步骤简单、耗时短。
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公开(公告)号：CN106745315B
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201710098112.9
申请日：2017-02-22
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明涉及一种在陶瓷管上原位生长Fe2O3纳米针的方法，属于纳米传感器的制备技术领域。本发明的方法，包括以下步骤：（1）将陶瓷管置于氯化铁和硫酸钠的混合溶液中，进行水热反应；（2）水热反应完成后，将陶瓷管在马弗炉中进行退火处理。本发明实现在陶瓷管上原位生长Fe2O3纳米针的关键之处在于反应原料，及水热反应条件的控制。本发明首次公开了在氧化铝陶瓷管上原位生长氧化铁纳米针状的方法。本发明的方法，无需事先制备出涂覆法所需粉末，无需手工涂覆；而是在氧化铝陶瓷管上直接生长出针状结构氧化铁。针状结构纳米氧化铁的制备过程也是气敏陶瓷管的制备过程；步骤简单、耗时短；简化了传统气敏陶瓷管的制备工艺，省时省力，节约成本。
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公开(公告)号：CN106745315A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710098112.9
申请日：2017-02-22
Applicant: 济南大学
CPC classification number: C01G49/06 , B82Y40/00 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/10 , C01P2004/64 , G01N27/127
Abstract: 本发明涉及一种在陶瓷管上原位生长Fe2O3纳米针的方法，属于纳米传感器的制备技术领域。本发明的方法，包括以下步骤：（1）将陶瓷管置于氯化铁和硫酸钠的混合溶液中，进行水热反应；（2）水热反应完成后，将陶瓷管在马弗炉中进行退火处理。本发明实现在陶瓷管上原位生长Fe2O3纳米针的关键之处在于反应原料，及水热反应条件的控制。本发明首次公开了在氧化铝陶瓷管上原位生长氧化铁纳米针状的方法。本发明的方法，无需事先制备出涂覆法所需粉末，无需手工涂覆；而是在氧化铝陶瓷管上直接生长出针状结构氧化铁。针状结构纳米氧化铁的制备过程也是气敏陶瓷管的制备过程；步骤简单、耗时短；简化了传统气敏陶瓷管的制备工艺，省时省力，节约成本。
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公开(公告)号：CN106929921B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN201710109849.6
申请日：2017-02-28
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明涉及一种在陶瓷管上原位生长分级结构二硫化钼纳米花球的方法，属于纳米传感器的制备技术领域。本发明的方法包括以下步骤：一、在氧化铝陶瓷管上制备二硫化钼籽晶层；二、将覆盖有二硫化钼籽晶层的氧化铝陶瓷管置于二硫化钼生长溶液，120℃以上恒温水热生长12‑36 h，即可；所述二硫化钼生长溶液由钼酸钠、硫脲、柠檬酸和去离子水组成，其中，钼酸钠、硫脲的摩尔比为1:4‑5。本发明首次公开了在陶瓷管上原位生长分级结构二硫化钼纳米花球的方法；本发明的方法，无需先制备出二硫化钼粉末，而是直接在衬底上生长出呈花球状结构的二硫化钼；无需涂覆、步骤简单、耗时短。
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