在陶瓷管上原位生长MoO3纳米片的方法及气敏传感器

    公开(公告)号:CN107337473B

    公开(公告)日:2020-07-07

    申请号:CN201710610711.4

    申请日:2017-07-25

    Applicant: 济南大学

    Abstract: 本发明涉及一种在陶瓷管上原位生长MoO3纳米片的方法,属于纳米传感器的制备技术领域。该方法步骤为:(1)配置氧化钛籽晶层溶液;(2)配置氧化钼生长溶液:取0.1305 g的乙酰丙酮钼置于烧杯中后加入35 mL冰醋酸和2 mL去离子水,搅拌至完全溶解后转移至高压反应釜中;(3)片状结构纳米氧化钼的生长:将氧化铝陶瓷管在氧化钛籽晶层溶液中浸渍之后,于500℃煅烧2 h;水热生长。本发明的方法,无需事先制备出涂覆法所需粉末,无需手工涂覆,而是在氧化铝陶瓷管上直接生长出片状结构氧化钼。制成的传感器对三乙胺表现出较好的选择性,响应性有所提高。

    一种ZIF-8膜包覆SnO2复合气敏材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN110396006B

    公开(公告)日:2021-11-09

    申请号:CN201910639577.X

    申请日:2019-07-16

    Applicant: 济南大学

    Abstract: 本发明公开了一种ZIF‑8膜包覆SnO2复合气敏材料及其制备方法和应用。首先,将氯化亚锡和尿素混合,水热反应后经退火处理得载有SnO2的陶瓷管,采用提拉法将载有SnO2的陶瓷管在2‑甲基咪唑甲醇溶液中预处理,并置于由硝酸锌、2‑甲基咪唑、水和甲醇组成的ZIF‑8膜合成液中,50~110℃下溶剂热反应0.5~12 h,取出后清洗干燥得ZIF‑8膜包覆SnO2复合气敏材料。本发明具有制备方法简单、易于操作、重复性好,制备得到的ZIF‑8膜包覆SnO2复合气敏材料ZIF‑8膜致密均匀分布,对三乙胺表现出极佳的选择性,且响应值高。

    一种ZIF-8膜包覆SnO2复合气敏材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN110396006A

    公开(公告)日:2019-11-01

    申请号:CN201910639577.X

    申请日:2019-07-16

    Applicant: 济南大学

    Abstract: 本发明公开了一种ZIF-8膜包覆SnO2复合气敏材料及其制备方法和应用。首先,将氯化亚锡和尿素混合,水热反应后经退火处理得载有SnO2的陶瓷管,采用提拉法将载有SnO2的陶瓷管在2-甲基咪唑甲醇溶液中预处理,并置于由硝酸锌、2-甲基咪唑、水和甲醇组成的ZIF-8膜合成液中,50~110℃下溶剂热反应0.5~12 h,取出后清洗干燥得ZIF-8膜包覆SnO2复合气敏材料。本发明具有制备方法简单、易于操作、重复性好,制备得到的ZIF-8膜包覆SnO2复合气敏材料ZIF-8膜致密均匀分布,对三乙胺表现出极佳的选择性,且响应值高。

    在陶瓷管上原位生长MoO3纳米片的方法及气敏传感器

    公开(公告)号:CN107337473A

    公开(公告)日:2017-11-10

    申请号:CN201710610711.4

    申请日:2017-07-25

    Applicant: 济南大学

    Abstract: 本发明涉及一种在陶瓷管上原位生长MoO3纳米片的方法,属于纳米传感器的制备技术领域。该方法步骤为:(1)配置氧化钛籽晶层溶液;(2)配置氧化钼生长溶液:取0.1305 g的乙酰丙酮钼置于烧杯中后加入35 mL冰醋酸和2 mL去离子水,搅拌至完全溶解后转移至高压反应釜中;(3)片状结构纳米氧化钼的生长:将氧化铝陶瓷管在氧化钛籽晶层溶液中浸渍之后,于500℃煅烧2 h;水热生长。本发明的方法,无需事先制备出涂覆法所需粉末,无需手工涂覆,而是在氧化铝陶瓷管上直接生长出片状结构氧化钼。制成的传感器对三乙胺表现出较好的选择性,响应性有所提高。

Patent Agency Ranking