公开(公告)号：CN111180213B

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN202010065477.3

申请日：2020-01-20

Applicant: 河南大学

Inventor： 岳根田 ,  高雪蔓 ,  谭付瑞 ,  吴天利 ,  高跃岳

IPC: H01G9/20 ,  H01G9/042

Abstract: 本申请公开一种基于CoP3二元对电极在染料敏化太阳能电池中的应用，属于太阳能电池技术领域，将染料敏化后的TiO2光阳极和CoP3对电极组装成具有三明治结构的电池，用注射器将电解质注入隔膜，之后进行封装、即得。本发明采用原位水热法和真空密封退火法在碳纸上制备一薄层CoP3纳米线作为DSSCs对电极，并组装成DSSC，在100 mW·cm−2模拟太阳光辐照下，DSSC的光电转换效率达到6.84%，不仅获得基于铂（Pt）对电极DSSCs的优越性能，还极大地降低了DSSCs成本。

公开(公告)号：CN111613450A

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN202010524803.2

申请日：2020-06-10

Applicant: 河南大学

Inventor： 岳根田 ,  程仁志 ,  谭付瑞

IPC: H01G9/20

Abstract: 本发明公开一种MoInSnS四元对电极、其制备方法及应用，属于太阳能电池技术领域。MoInSnS四元对电极的制备过程如下：将四水合钼酸铵、二水合氯化亚锡、四水合三氯化铟、硫代乙酰胺加到超纯水中，超声至完全溶解，之后将上述溶液转移到装有洁净导电玻璃的反应釜中，180℃~220℃恒温反应10h~20h，待反应结束后自然冷却，开釜取出合成有MoInSnS薄膜的导电玻璃，洗涤，干燥，即得纳米薄膜MoInSnS对电极样品；其中，钼、铟、锡、硫合成摩尔数比为1:1:1:（6~6.5）。制备方法简单，制备过程环境友好，在开发非Pt对电极材料领域，具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN110265231A

公开(公告)日：2019-09-20

申请号：CN201910536475.5

申请日：2019-06-20

Applicant: 河南大学

Inventor： 岳根田 ,  程冰 ,  谭付瑞 ,  高岳跃

IPC: H01G11/40 ,  H01G11/48 ,  H01G11/86 ,  H01G11/84

Abstract: 一种基于碳纤维复合电极材料的超级电容器及其制备方法，包括如下步骤：（1）将苯胺加入H2SO4溶液中，采用循环伏安法，在-0.2~0.8V，以50~150 mV/s的循环速率对预处理的碳纤维进行原位电化学沉积；循环200~500周后，洗涤、干燥得到CF|PANI复合电极材料；（2）将PVA溶于去离子水中，在80~100℃下进行磁力搅拌；然后将得到的澄清溶液与H2SO4溶液均匀混合，陈化，形成PVA-H2SO4凝胶电解质；（3）将制备的CF|PANI复合电极材料在KOH溶液中活化处理，以PVA-H2SO4凝胶电解质为媒介将两个相同的CF|PANI电极材料联接制备对称型CF|PANI超级电容器。

公开(公告)号：CN110190196A

公开(公告)日：2019-08-30

申请号：CN201910327067.9

申请日：2019-04-23

Applicant: 河南大学

Inventor： 谭付瑞 ,  高岳跃 ,  吴天利 ,  岳根田 ,  张伟风

IPC: H01L51/48 ,  H01L51/46 ,  H01L51/42

Abstract: 本发明提供一种氢卤酸二次掺杂聚苯胺薄膜的制备方法，包括以下步骤：（1）将十二烷基苯磺酸分散至去离子水与乙醇的混合溶剂中，然后加入苯胺混匀得到混合溶液A；（2）以步骤（1）配制的混合溶液A为沉积溶液，采用恒电压电化学沉积的方法，以ITO为工作电极，铂片为对电极，银/氯化银为参比电极，在0.8-1.2伏的电压下沉积60秒-180秒，从而得到表面沉积有十二烷基苯磺酸掺杂的聚苯胺薄膜的ITO；（3）将步骤（2）中所得表面沉积有薄膜的ITO置于弱碱溶液中浸泡，冲洗后，再置于氢卤酸溶液中浸泡，然后于去离子水中浸泡之后取出烘干即可。本发明将所得薄膜作为空穴传输层使用，与钙钛矿薄膜的价带能级更加匹配，带阶差降低，增大了内建电场强度，可在降低界面电荷复合的基础上，进一步增大开路电压，提高电池效率。

公开(公告)号：CN107159657A

公开(公告)日：2017-09-15

申请号：CN201710323297.9

申请日：2017-05-10

Applicant: 河南大学

Inventor： 郑海务 ,  王清林 ,  岳根田 ,  张新安 ,  田建军 ,  陈方琦

IPC: B08B9/043

CPC classification number: B08B9/0436 ,  B08B2209/04

Abstract: 本发明公开了一种用于两端开口管的清洗装置，包含了一个顶帽和底帽或两个底帽，用于密封炉管的两端，顶帽具有外壁和内柱体，外壁和内柱体间的缝隙，用于容置炉管。底帽具有外壁和内柱体，外壁和内柱体间的缝隙，用于容置炉管。底帽的内柱体上设置有贯通孔，贯通孔周缘上设置有可伸缩密封套，密封套的顶端设置有用于安装擦洗体的螺母，手柄贯穿贯通孔能够进入管内，可伸缩密封套实现了对手柄的隔离保护，在手柄的引导下擦洗体在管内移动，实现擦洗过程。本发明清洗过程中实现了炉管和炉体的分离，且在清洗的过程中炉管两端密封，腐蚀性清洗液在清洗过程中一直保持在炉管内，避免清洗过程中腐蚀性清洗液与操作人员的直接接触，保证了安全。

公开(公告)号：CN104616727A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201510036873.2

申请日：2015-01-26

Applicant: 河南大学

Inventor： 姜奇伟 ,  岳根田 ,  谭付瑞 ,  李夕金 ,  张传意 ,  张杨

IPC: H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  C25D15/00 ,  C25D3/12

Abstract: 一种以银为内芯的纳米电缆透明导电薄膜及其制备方法，属于新材料技术领域。本发明将银纳米线利用旋转涂膜方法或线棒涂布方法在透明基底表面制备一层以银纳米线为导电网络的透明导电薄膜。然后，以金属镍为阳极，以银纳米线基透明导电薄膜为阴极，在含有镍离子的电镀液中，利用电沉积方法在银纳米线透明导电薄膜的纳米线表面沉积一层致密均匀的金属镍外壳，得到以银为电缆内芯的银-镍纳米电缆透明导电薄膜。以相似的方法，在含有铂离子的电镀液中，以银-镍纳米电缆透明导电薄膜为阴极，利用电沉积方法在银-镍纳米电缆的表面沉积一层铂外壳，从而形成具有铂修饰层的银-镍-铂纳米电缆透明薄膜。

公开(公告)号：CN112054126B

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN202010884356.1

申请日：2020-08-28

Applicant: 河南大学

Inventor： 黄军意 ,  谭付瑞 ,  梅延涛 ,  高跃岳 ,  董琛 ,  刘荣 ,  岳根田 ,  张伟风

IPC: H01L51/48 ,  H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  H01L51/00

Abstract: 本发明公开一种铯锡碘薄膜、其制备方法及应用，所述Cs2SnI6薄膜的制备方法，包括以下步骤：（1）将碘化铯与碘化锡加入DMSO或DMSO和DMF的混合溶剂中，在20~70℃搅拌溶解，配成Cs2SnI6前驱体溶液；（2）以步骤（1）中配制得到的前驱体溶液在N2氛围下静置陈化3天~10天后，旋涂沉积在衬底上得到前驱体薄膜；（3）将步骤（2）中得到的前驱体薄膜放置在温度为30‑70℃的热台上静置1.0min~40min；然后再放在旋涂机上，滴40μL‑100μL补充溶液，该溶液滴上之后旋涂干；（4）对步骤（3）中得到的薄膜退火处理，得到Cs2SnI6薄膜。

公开(公告)号：CN113087633A

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN202110323777.1

申请日：2021-03-26

Applicant: 河南大学

Inventor： 高跃岳 ,  何盛华 ,  尚陆文 ,  黄军意 ,  谭付瑞 ,  岳根田

IPC: C07C217/92 ,  C07C213/08 ,  C07C213/10 ,  C07C323/37 ,  C07C319/20 ,  C07C319/28 ,  H01L51/54 ,  H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  H01L51/56

Abstract: 本申请公开一类兼备界面钝化与空穴传输的空穴传输材料、其制备方法及其应用，所述空穴传输材料SP‑HTL的分子结构式如下：其中X，Y=H，Cl，F，，，，，，或其他具有给电子能力的多元稠环单元。此外，本发明所设计合成的系列空穴传输材料SP‑HTL具有较深的HOMO能级、较窄的光学吸收及较强的界面钝化性能。此外，本发明专利设计合成的系列空穴传输材料SP‑HTL在器件制备过程中所需浓度较小，且在不需要添加剂情况下，均可获得较Spiro‑OMeTAD更好的光电转化效率。

公开(公告)号：CN110429179B

公开(公告)日：2021-04-27

申请号：CN201910633482.7

申请日：2019-07-15

Applicant: 河南大学

Inventor： 刘荣 ,  周航 ,  谭付瑞 ,  高岳跃 ,  岳根田 ,  吴天利

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/48

Abstract: 本申请公开了一种AZO/TiO2/SnO2‑薄膜及利用其制得的钙钛矿太阳能电池，属于钙钛矿太阳能电池技术领域，包括从下至上依次结构：1)AZO导电玻璃衬底；2)TiO2/SnO2‑GO电子传输层；3)MAPbI3吸光层；4)Spiro‑MeOTAD空穴传输层；5)金电极或银电极层；MAPbI3吸光层、Spiro‑MeOTAD空穴传输层均采用旋涂的方法得到；金电极或银电极层采用蒸镀的方法得到；TiO2/SnO2‑GO电子传输层厚度为40~80nm，MAPbI3吸光层厚度为300~400nm，Spiro‑MeOTAD空穴传输层厚度为200~300nm，金电极或银电极层厚度为80~120nm。

公开(公告)号：CN111599925A

公开(公告)日：2020-08-28

申请号：CN202010473950.1

申请日：2020-05-29

Applicant: 河南大学

Inventor： 李福民 ,  陈冲 ,  申志涛 ,  岳根田 ,  翁玉娟 ,  纪明星

IPC: H01L51/48 ,  H01L51/42 ,  H01L51/46

Abstract: 本发明一种以双（甲酸）二甲基锡N型半导体薄膜作为电子传输层的太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池材料及器件技术领域，包括以下步骤：（1）将异辛酸亚锡溶解到一种或者多种共混的弱极性有机溶剂中，通过搅拌方式将其完全溶解，得到无色透明溶液；将溶液滴到洁净的透明导电衬底上，进行旋涂，然后在紫外臭氧机中进行紫外臭氧处理，得到薄膜；记为：衬底负电极/CSCO。（2）在步骤（1）所得样品上沉积具有光电转换性能的材料，得到活性层，然后制备空穴传输层，最后蒸镀顶层正电级，得到太阳能电池，记为：衬底负电极/CSCO/活性层/空穴传输层/顶层正电级。