一种铯锡碘薄膜、其制备方法及应用

    公开(公告)号:CN112054126A

    公开(公告)日:2020-12-08

    申请号:CN202010884356.1

    申请日:2020-08-28

    Applicant: 河南大学

    Abstract: 本发明公开一种铯锡碘薄膜、其制备方法及应用,所述Cs2SnI6薄膜的制备方法,包括以下步骤:(1)将碘化铯与碘化锡加入DMSO或DMSO和DMF的混合溶剂中,在20~70℃搅拌溶解,配成Cs2SnI6前驱体溶液;(2)以步骤(1)中配制得到的前驱体溶液在N2氛围下静置陈化3天~10天后,旋涂沉积在衬底上得到前驱体薄膜;(3)将步骤(2)中得到的前驱体薄膜放置在温度为30‑70℃的热台上静置1.0min~40min;然后再放在旋涂机上,滴40μL‑100μL补充溶液,该溶液滴上之后旋涂干;(4)对步骤(3)中得到的薄膜退火处理,得到Cs2SnI6薄膜。

    一种铯锡碘薄膜、其制备方法及应用

    公开(公告)号:CN112054126B

    公开(公告)日:2021-10-29

    申请号:CN202010884356.1

    申请日:2020-08-28

    Applicant: 河南大学

    Abstract: 本发明公开一种铯锡碘薄膜、其制备方法及应用,所述Cs2SnI6薄膜的制备方法,包括以下步骤:(1)将碘化铯与碘化锡加入DMSO或DMSO和DMF的混合溶剂中,在20~70℃搅拌溶解,配成Cs2SnI6前驱体溶液;(2)以步骤(1)中配制得到的前驱体溶液在N2氛围下静置陈化3天~10天后,旋涂沉积在衬底上得到前驱体薄膜;(3)将步骤(2)中得到的前驱体薄膜放置在温度为30‑70℃的热台上静置1.0min~40min;然后再放在旋涂机上,滴40μL‑100μL补充溶液,该溶液滴上之后旋涂干;(4)对步骤(3)中得到的薄膜退火处理,得到Cs2SnI6薄膜。

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