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公开(公告)号：CN113421973B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202110777044.5
申请日：2021-07-09
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明公开了一种spiro‑OMeTAD:硫化锑作为空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，其主要包括以下步骤：（1）将ITO基底清洗干净并吹干；（2）配制SnO2‑KCl溶液；将SnO2‑KCl溶液旋涂在ITO玻璃上；（3）将钙钛矿前驱体溶液旋涂于SnO2‑KCl层上；（4）将spiro‑OMeTAD:Sb2S3分散液旋涂于钙钛矿层上，从而得到了ITO/SnO2‑KCl/钙钛矿/spiro‑OMeTAD:Sb2S3样品；（5）真空蒸镀金电极。本发明避免了以往太阳能电池制备过程中的高温处理从而能够降低生产成本，并且还能提高太阳能电池的光电转换效率，适合卷对卷的大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN113644207A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110888636.4
申请日：2021-08-04
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明公开了一种spiro‑OMeTAD∶铅化合物空穴传输层钙钛矿太阳能电池及其制备方法，电池的制备步骤如下：（1）将ITO基底洗净并吹干；（2）在空气中配制SnO2‑KCl溶液；将SnO2‑KCl溶液旋涂在ITO玻璃上；（3）将钙钛矿溶液旋涂在SnO2‑KCl层上；（4）将spiro‑OMeTAD∶PbSO4(PbO)4分散液旋涂于钙钛矿层上，得到ITO/SnO2‑KCl/钙钛矿/spiro‑OMeTAD:PbSO4(PbO)4样品；（5）真空蒸镀金电极。本发明避免了以往太阳能电池制备过程中的高温处理从而能够降低生产成本，并且还能提高太阳能电池的光电转换效率，适合卷对卷的大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN111599925B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202010473950.1
申请日：2020-05-29
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明一种以双（甲酸）二甲基锡N型半导体薄膜作为电子传输层的太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池材料及器件技术领域，包括以下步骤：（1）将异辛酸亚锡溶解到一种或者多种共混的弱极性有机溶剂中，通过搅拌方式将其完全溶解，得到无色透明溶液；将溶液滴到洁净的透明导电衬底上，进行旋涂，然后在紫外臭氧机中进行紫外臭氧处理，得到薄膜；记为：衬底负电极/CSCO。（2）在步骤（1）所得样品上沉积具有光电转换性能的材料，得到活性层，然后制备空穴传输层，最后蒸镀顶层正电级，得到太阳能电池，记为：衬底负电极/CSCO/活性层/空穴传输层/顶层正电级。
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公开(公告)号：CN116669510A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310725706.3
申请日：2023-06-19
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明公开了一种BCP用于光电极修饰的钙钛矿光伏器件及其制备方法，包括以下步骤：配制BCP溶液并旋涂在ITO基底上；配制SnO2溶液并旋涂在BCP上；配制PbI2溶液并旋涂在SnO2上；配制卤化铵盐混合溶液并旋涂在PbI2上；配制PEAI溶液并旋涂在卤化铵盐上；配制并旋涂spiro‑OMeTAD在PEAI上，从而得到ITO/BCP/SnO2/钙钛矿/PEAI/spiro‑OMeTAD样品；蒸镀电极。本发明通过BCP对ITO基底进行处理后，有利于空穴的阻挡和电子的传输；其次，BCP对SnO2电子传输层进行了界面修饰，减少了界面缺陷；此外，少量的BCP与钙钛矿界面进行了接触，促进钙钛矿晶粒的生长。
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公开(公告)号：CN115623799A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211516555.2
申请日：2022-11-30
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明公开了一种空穴传输层掺杂硫氧化锡的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，包括以下步骤：将玻璃/ITO基底洗净并吹干；将稀释后的SnO2胶体水溶液旋涂在ITO玻璃上；将稀释后的Al2O3的异丙醇溶液旋涂于SnO2薄膜上；将3D钙钛矿前驱体溶液旋涂于Al2O3薄膜上；将BAI的异丙醇溶液旋涂于3D钙钛矿薄膜上；将空穴传输层Spiro‑OMeTAD:SnS1‑xO2x分散液旋涂于2D钙钛矿薄膜上；利用真空蒸镀法在空穴传输层上蒸镀金电极，即得。本发明避免了以往太阳能电池制备过程中的高温处理从而能够降低生产成本，并且还能显著提高和改进太阳能电池的光电转换效率和稳定性，适合卷对卷和刮涂等大规模工业化生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113421973A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110777044.5
申请日：2021-07-09
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明公开了一种spiro‑OMeTAD:硫化锑作为空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，其主要包括以下步骤：（1）将ITO基底清洗干净并吹干；（2）配制SnO2‑KCl溶液；将SnO2‑KCl溶液旋涂在ITO玻璃上；（3）将钙钛矿前驱体溶液旋涂于SnO2‑KCl层上；（4）将spiro‑OMeTAD:Sb2S3分散液旋涂于钙钛矿层上，从而得到了ITO/SnO2‑KCl/钙钛矿/spiro‑OMeTAD:Sb2S3样品；（5）真空蒸镀金电极。本发明避免了以往太阳能电池制备过程中的高温处理从而能够降低生产成本，并且还能提高太阳能电池的光电转换效率，适合卷对卷的大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN118613066A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410980144.1
申请日：2024-07-22
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明公开一种CSCO纳米碗阵列作为电子传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，其主要包括以下步骤：将ITO基底清洗干净并吹干；配制异辛酸亚锡溶液；将异辛酸亚锡溶液旋涂在ITO玻璃上；配制聚苯乙烯纳米球悬浮液；将聚苯乙烯纳米球球悬浮液均匀的铺到ITO/CSCO上；用小浓度异辛酸亚锡溶液填补聚苯乙烯纳米球阵列缝隙；去除聚苯乙烯纳米球，形成CSCO纳米碗阵列；配制KCl溶液；将KCl溶液旋涂在CSCO纳米碗阵列上；将钙钛矿前驱体溶液旋涂于KCl层；将Spiro‑OMeTAD溶液旋涂于钙钛矿层上；真空蒸镀电极，从而得到结构为ITO/CSCO/CSCO纳米碗阵列/KCl/钙钛矿/Spiro‑OMeTAD/Au的电池器件。本发明增加了界面接触，用于快速电子提取和转移，是器件高效化、智能化、小型化的基础。
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公开(公告)号：CN111599925A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010473950.1
申请日：2020-05-29
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明一种以双（甲酸）二甲基锡N型半导体薄膜作为电子传输层的太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池材料及器件技术领域，包括以下步骤：（1）将异辛酸亚锡溶解到一种或者多种共混的弱极性有机溶剂中，通过搅拌方式将其完全溶解，得到无色透明溶液；将溶液滴到洁净的透明导电衬底上，进行旋涂，然后在紫外臭氧机中进行紫外臭氧处理，得到薄膜；记为：衬底负电极/CSCO。（2）在步骤（1）所得样品上沉积具有光电转换性能的材料，得到活性层，然后制备空穴传输层，最后蒸镀顶层正电级，得到太阳能电池，记为：衬底负电极/CSCO/活性层/空穴传输层/顶层正电级。
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公开(公告)号：CN117222304A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311162863.4
申请日：2023-09-11
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于光铁电材料PFEP的忆阻器及其制备方法，其制备方法包括：选取导电玻璃并进行紫外处理，配制PFEP溶液，再将PFEP钙钛矿前驱体溶液旋涂在导电玻璃上，将Spiro‑OMeTAD分散液旋涂于钙钛矿层上，最后真空蒸镀惰性电极。本申请采用聚偏氟乙烯‑三氟乙烯（P（VDF‑TrFE））有机铁电材料作为添加剂，通过在CsFAMA钙钛矿前驱体中添加P(VDF‑TrFE)溶液，增强钙钛矿材料的光铁电性，提高钙钛矿薄膜质量和光电性能，进而研制新型神经形态元器件。
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公开(公告)号：CN116669511A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310726012.1
申请日：2023-06-19
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于1,3‑DTu钝化钙钛矿体缺陷的太阳能电池及其制备方法，主要步骤如下：将ITO基底清洗干净；将SnO2‑KCl溶液旋涂在ITO玻璃上；将Al2O3溶液旋涂在ITO/SnO2‑KCl上；将添加有一定浓度1,3‑DTu的钙钛矿前驱体溶液旋涂在ITO/SnO2‑KCl/Al2O3上；将PEAI旋涂ITO/SnO2‑KCl/Al2O3/钙钛矿上；将Spiro‑OMeTAD溶液旋涂于ITO/SnO2‑KCl/Al2O3/钙钛矿/PEAI上，真空蒸镀Au电极。1,3‑Dtu中的C=S功能团能与钙钛矿中的铅形成强相互作用，实现钙钛矿体缺陷的钝化，提升了电池的光电转换效率和稳定性。
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