公开(公告)号：CN106917072A

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201710252363.8

申请日：2017-04-18

Applicant: 江南大学

Inventor： 张秀梅 ,  肖少庆 ,  顾晓峰 ,  张学成

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/448 ,  C23C16/04

CPC classification number: C23C16/305 ,  C01P2002/82 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/04 ,  C23C16/042 ,  C23C16/4485

Abstract: 本发明涉及一种使用辅助衬底大面积清洁制备单层MoS2薄膜的方法。在利用化学气相沉积生长单层MoS2薄膜的过程中，采用在倒扣的生长衬底下添加辅助衬底的方法，控制MoO3蒸气和S蒸气均匀进入生长衬底和辅助衬底之间，同时阻挡过多的MoO3蒸气和杂质物质进入，使得在生长衬底上大范围生成清洁的单层MoS2薄膜。该方法不仅操作简单方便，重复性好，适用性广，可用于在多种晶圆尺寸衬底上实现大面积清洁单层MoS2薄膜的制备；而且，辅助衬底可以在清洗后重复使用，能有效地节约生产成本，对未来单层MoS2薄膜的产业化具有重要意义。

公开(公告)号：CN105161401A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201510495993.9

申请日：2015-08-13

Applicant: 江南大学

Inventor： 肖少庆 ,  张学成 ,  肖鹏 ,  顾晓峰 ,  丁荣

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02568 ,  H01L21/02664

Abstract: 本发明涉及一种使用氮气(N2)和六氟化硫(SF6)气体在低密度等离子体放电环境下对层状二维材料二硫化钼(MoS2)刻蚀的方法，使得层状MoS2被均匀、有效地逐层刻蚀，最终达到单层或者少层。本发明利用由N2和SF6在低密度等离子体环境下产生的三氟化氮(NF3)对最外层MoS2进行纯化学刻蚀，最终生成的反应副产物以气体的形式被带走，留下干净均匀的底层MoS2。这种利用纯化学反应刻蚀对层状MoS2进行减薄的方法，大大减少了离子束对MoS2表面的轰击效应以及相应的表面损伤，使得刻蚀效果比较均匀，表面粗糙度基本保持与原材料相近。同时，该方法重复性好，可控性强，能根据时间和等离子体功率来确定所需刻蚀的层数以及刻蚀速率，适合大规模生产大面积的薄层或者单层MoS2，有利于推动和发展新型半导体产业。

公开(公告)号：CN103202584B

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201310118114.1

申请日：2013-04-07

Applicant: 江南大学

Inventor： 方伟 ,  翟阳 ,  孙俊 ,  吴滨 ,  张学成 ,  葛梅 ,  张扬

IPC: A45B11/00

Abstract: 本发明公开了一种自动转向伞，它包括伞柄，伞杆和固定在伞杆上面的伞面，其特征在于：所述的自动转向伞还包括编码器、芯片、电机、电池及开关；编码器设置在伞杆的顶端，并与芯片相连；芯片还连接有电机、电池及开关；电机的输出轴与伞杆相连；伞柄内装有电机，芯片以及电池；伞柄上设置有开关。本发明的优点是：能够根据风向自动调节伞面的朝向，以达到自动遮风挡雨的目的；功能人性化，操作简单，设计合理。

公开(公告)号：CN103202584A

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201310118114.1

申请日：2013-04-07

Applicant: 江南大学

Inventor： 翟阳 ,  方伟 ,  孙俊 ,  吴滨 ,  张学成 ,  葛梅 ,  张扬

IPC: A45B11/00

Abstract: 本发明公开了一种自动转向伞，它包括伞柄，伞杆和固定在伞杆上面的伞面，其特征在于：所述的自动转向伞还包括编码器、芯片、电机、电池及开关；编码器设置在伞杆的顶端，并与芯片相连；芯片还连接有电机、电池及开关；电机的输出轴与伞杆相连；伞柄内装有电机，芯片以及电池；伞柄上设置有开关。本发明的优点是：能够根据风向自动调节伞面的朝向，以达到自动遮风挡雨的目的；功能人性化，操作简单，设计合理。

公开(公告)号：CN104694906B

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201510067829.8

申请日：2015-02-09

Applicant: 江南大学

Inventor： 肖少庆 ,  张学成 ,  顾晓峰 ,  丁荣

IPC: C23C16/505

Abstract: 本发明涉及一种薄膜沉积方法，特别是非平行板式电容耦合等离子体化学气相沉积方法，包括平面矩形螺旋状电感天线、低频电源发生器、阻抗匹配网络、柱状真空室、石英玻璃和衬底支架。本发明通过控制射频输入功率以及调谐匹配电容，实现了在真空室内的电容耦合稳定放电：等离子体密度较低，并且线圈两端的电位差建立的与衬底表面平行的径向静电场起主导作用，使得正离子的运动被约束在与衬底表面平行的方向。所以本发明从两方面即降低等离子体密度和约束正离子运动方向着手，可显著抑制化学气相沉积过程中正离子对薄膜表面的轰击，降低表面损伤。此系统可用于制备高效晶硅太阳能电池中必需的各种钝化层，如非晶硅和非晶氮化硅等。

公开(公告)号：CN104694906A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201510067829.8

申请日：2015-02-09

Applicant: 江南大学

Inventor： 肖少庆 ,  张学成 ,  顾晓峰 ,  丁荣

IPC: C23C16/505

Abstract: 本发明涉及一种薄膜沉积方法，特别是非平行板式电容耦合等离子体化学气相沉积方法，包括平面矩形螺旋状电感天线、低频电源发生器、阻抗匹配网络、柱状真空室、石英玻璃和衬底支架。本发明通过控制射频输入功率以及调谐匹配电容，实现了在真空室内的电容耦合稳定放电：等离子体密度较低，并且线圈两端的电位差建立的与衬底表面平行的径向静电场起主导作用，使得正离子的运动被约束在与衬底表面平行的方向。所以本发明从两方面即降低等离子体密度和约束正离子运动方向着手，可显著抑制化学气相沉积过程中正离子对薄膜表面的轰击，降低表面损伤。此系统可用于制备高效晶硅太阳能电池中必需的各种钝化层，如非晶硅和非晶氮化硅等。

公开(公告)号：CN203538538U

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201320168260.0

申请日：2013-04-07

Applicant: 江南大学

Inventor： 翟阳 ,  方伟 ,  孙俊 ,  吴滨 ,  张学成 ,  葛梅 ,  张扬

IPC: A45B3/00

Abstract: 本实用新型公开了一种自动转向伞，它包括伞柄，伞杆和固定在伞杆上面的伞面，其特征在于：所述的自动转向伞还包括编码器、芯片、电机、电池及开关；编码器设置在伞杆的顶端，并与芯片相连；芯片还连接有电机、电池及开关；电机的输出轴与伞杆相连；伞柄内装有电机，芯片以及电池；伞柄上设置有开关。本实用新型的优点是：能够根据风向自动调节伞面的朝向，以达到自动遮风挡雨的目的；功能人性化，操作简单，设计合理。