-
公开(公告)号：CN109183089A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201810961349.X
申请日：2018-08-22
Applicant: 武汉奥克特种化学有限公司 , 武汉工程大学
IPC: C25D3/16
Abstract: 本发明公开了一种丙炔醇乙氧基化合物的一步制备方法及其应用，所述丙炔醇乙氧基化合物通过丙炔醇与环氧乙烷合成得到。具体为：将丙炔醇和季铵碱类催化剂加入反应釜中，进行多次氮气置换和抽真空，然后通入环氧乙烷，控制反应温度为82～88℃，反应压力为0.3MPa～0.5MPa，最后对产物进行后处理老化，维持上述反应釜温度，直至反应釜压力不再下降，降至60℃后用冰醋酸中和并脱低沸。该一步法制备的丙炔醇乙氧基化合物具有转化率高、炔键保留率高、颜色浅等诸多优点，可以替代原有需要蒸馏提纯的方式，大大降低废弃物的量，相比之前的制备方法更加绿色环保。将所述丙炔醇乙氧基化合物应用于电镀镍工艺中，所得到的镀层饱满，基本无漏镀。
-
公开(公告)号：CN104261868B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201410491594.0
申请日：2014-09-23
Applicant: 武汉工程大学
IPC: C04B38/06 , C04B35/584 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及氮化硅结合碳化硅多孔陶瓷膜的制备方法，包括有以下步骤：1)素胚的成型；2)膜层的涂覆；3)烧结。本发明的有益效果在于：本发明利用氮化硅结合碳化硅陶瓷耐高温、抗氧化、抗腐蚀、抗热震性能好的特点，制备具有高连通孔隙结构的氮化硅结合碳化硅多孔陶瓷膜材料，在高温使用环境，比如高温气固分离、高温液固分离、高温催化载体等方面具有广阔的应用前景。
-
公开(公告)号：CN104261867A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410489556.1
申请日：2014-09-23
Applicant: 武汉工程大学
IPC: C04B38/06 , C04B35/565 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及纯碳化硅多孔陶瓷膜的制备方法，包括有以下步骤：1)碳化硅素胚的成型；2)碳化硅膜层的涂覆；3)纯碳化硅多孔陶瓷的烧结。本发明的有益效果在于：由于碳化硅相比氧化铝、堇青石、莫来石等具有良好的耐高温、耐腐蚀和抗热震性能，本发明提出由细颗粒的碳化硅作为粘结剂，将大颗粒的碳化硅作为骨料，复合造孔剂等材料，形成一种纯碳化硅多孔陶瓷膜材料，必将大幅提升膜材料的耐高温、耐腐蚀和抗热震性能，极大的拓宽了无机陶瓷膜的使用范围和在严酷条件下的使用寿命，具有广阔的应用前景。
-
公开(公告)号：CN109504549B
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201811122363.7
申请日：2018-09-26
Applicant: 武汉奥克特种化学有限公司 , 武汉工程大学
IPC: C11D1/83 , C11D3/60 , C11D3/06 , C11D3/08 , C08G65/334 , C08G65/333
Abstract: 本发明公开了一种环保型低泡耐碱增溶剂的制备及其应用，所述增溶剂为一种或多种含有酚类或多苯环酚类衍生物基团的聚氧乙/丙烯磺酸的钾/铵盐的水溶液。本发明所述的增溶剂具有良好的低泡和耐碱增溶性，尤其是在高盐/碱溶液中对非离子表面活性剂具有良好的增溶作用，使表面活性剂均匀地分散在溶液中，保证溶液的定向功能性的同时，泡沫低，不含磷，有效地减少了污染。
-
公开(公告)号：CN104229888A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410484483.7
申请日：2014-09-19
Applicant: 武汉工程大学
IPC: C01G31/02
Abstract: 本发明涉及微波等离子体改性二氧化钒粉体的制备方法，包括以下步骤：将M型二氧化钒粉体放入微波等离子体装置腔内，进行等离子体表面改性，其中，微波等离子体为甲烷和氮气，控制微波输入功率为150W～200W，腔内压强为1.5KPa～2KPa，改性时间为30min～90min。本发明的主要优点：通过等离子改性技术，制备一种以掺碳改性层为表面层、具有核壳结构的VO2纳米材料，充分利用改性层的相变诱导效应，实现VO2纳米粉体的低温相变，从而获得优异的热致变色性能。这种可根据温度调节太阳光透过率的智能玻璃，与低辐射、热反射玻璃、电致变色、光致变色等节能镀膜玻璃相比，具有跨地区、多季节适应性和更高的节能性价比。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104193395A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410410783.0
申请日：2014-08-20
Applicant: 武汉工程大学
IPC: C04B38/06 , C04B35/565 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于材料科学与工程领域，具体涉及一种孔隙率可控的多孔碳化硅陶瓷的制备方法，包括有以下步骤：1)多孔碳化硅素胚的比例设计；2)多孔碳化硅陶瓷的素胚成型；3)多孔碳化硅陶瓷的烧制，得到所需要的多孔碳化硅陶瓷。本发明的有益效果在于：通过组成比例设计，即控制碳化硅、金属硅粉、有机粘接剂的比例，使反应产物主要为碳化硅；此外，控制三者混合后的密度，可实现多孔碳化硅陶瓷孔隙率的准确控制，可制备出孔隙在40％-80％之间可控的多孔碳化硅陶瓷制品，具有孔隙率可控，孔隙均匀的特点。
-
公开(公告)号：CN104174298A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410412804.2
申请日：2014-08-20
Applicant: 武汉工程大学
Abstract: 本发明属于材料科学与工程领域，具体涉及一种净水用梯度碳化硅陶瓷膜的制备方法，包括有以下步骤：1)碳化硅陶瓷支撑体制备；2)碳化硅中间层的制备；3)碳化硅膜层的制备，最终制得净水用梯度碳化硅陶瓷膜材料。本发明的有益效果在于：制得的碳化硅陶瓷膜材料，连通孔隙率高，气孔分布呈梯度，强度高、纯水通量高、耐强酸碱，不同层次界面粘结强度高，操作简便、成品率高。所制备的净水用梯度碳化硅陶瓷膜材料，抗折强度＞30MPa，纯水通量大于5m3/(m2h)，pH值耐受范围0-14。
-
公开(公告)号：CN104030721A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410299601.7
申请日：2014-06-27
Applicant: 武汉工程大学
IPC: C04B38/00 , C04B35/63 , C04B35/565
Abstract: 本发明涉及低温烧结的多孔碳化硅陶瓷的制备方法，包括以下步骤：1)将SiC粉末：SiC烧结助剂：无水乙醇：聚乙烯醇混合研磨，干燥，得到SiC多孔陶瓷烧制原料；2)采用挤出成型机制成多通道管状试件，再放入200℃马弗炉中预烧2h，随炉冷却，制得多通道管状SiC多孔陶瓷素胚；3)将步骤2)制得的多通道管状SiC多孔陶瓷素胚，放入管式炉中，在氮气气氛下，按6℃/min的速度升温至200℃，再按9℃/min的速度升温至1200—1300℃，并保温2h，完成后随炉冷却至室温，制得SiC多孔陶瓷。本发明的有益效果在于：具有高连通空隙率及高抗折强度，提升了其使用性能，并且可在较低的温度下烧结，节约了能源。
-
公开(公告)号：CN104030357B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201410305359.X
申请日：2014-06-27
Applicant: 武汉工程大学
Abstract: 本发明涉及一种有机溶胶凝胶制备二氧化钒薄膜的方法，包括以下步骤：1)以预先处理过的石英玻璃为基底，采用旋涂法将二氧化钒前驱液在基底上镀膜，通过控制旋涂转速、旋涂层数，制备不同厚度的凝胶薄膜，其中每层旋涂结束后，干燥；2)预先在空气下热处理凝胶薄膜使PVP分解：热处理温度100℃～300℃、热处理时间2～4h，然后在管式电阻炉中，N2气氛下热处理制备二氧化钒薄膜：热处理温度500℃～600℃、热处理时间30min～60min。本发明通过控制涂膜工艺、热处理温度制度控制，最终制得二氧化钒薄膜，该方法具有操作简单、生产效率高，膜与基材附着力高的特点。
-
公开(公告)号：CN104261867B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201410489556.1
申请日：2014-09-23
Applicant: 武汉工程大学
IPC: C04B38/06 , C04B35/565 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及纯碳化硅多孔陶瓷膜的制备方法，包括有以下步骤：1)碳化硅素胚的成型；2)碳化硅膜层的涂覆；3)纯碳化硅多孔陶瓷的烧结。本发明的有益效果在于：由于碳化硅相比氧化铝、堇青石、莫来石等具有良好的耐高温、耐腐蚀和抗热震性能，本发明提出由细颗粒的碳化硅作为粘结剂，将大颗粒的碳化硅作为骨料，复合造孔剂等材料，形成一种纯碳化硅多孔陶瓷膜材料，必将大幅提升膜材料的耐高温、耐腐蚀和抗热震性能，极大的拓宽了无机陶瓷膜的使用范围和在严酷条件下的使用寿命，具有广阔的应用前景。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
23
records
(took 0.024 seconds)
