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公开(公告)号：CN110640149A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910885828.2
申请日：2019-09-19
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明提供了一种激光诱导制备纳米合金颗粒的方法，包括以下步骤：步骤1.将至少两种金属纳米材料溶液加入到离心管中，再添加适量的挥发性溶剂形成混合溶液；步骤2.超声混合溶液，使所有金属纳米材料混合均匀；步骤3.离心浓缩超声后的混合溶液，获得纳米浆料；步骤4.旋涂纳米浆料至基板上；步骤5.对旋涂完成后的基板进行真空加热干燥，在基板表面形成干燥涂覆层；步骤6.把透光片压在形成有干燥涂覆层的基板面上，然后激光穿过透光片扫描基板上的金属纳米材料，即可制得纳米合金颗粒，其中，激光的功率不低于220mW，光斑直径大于70um。本方法具有重复性好，生产速度快，效率高、耗时短，操作简单等优点。
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公开(公告)号：CN110640149B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201910885828.2
申请日：2019-09-19
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明提供了一种激光诱导制备纳米合金颗粒的方法，包括以下步骤：步骤1.将至少两种金属纳米材料溶液加入到离心管中，再添加适量的挥发性溶剂形成混合溶液；步骤2.超声混合溶液，使所有金属纳米材料混合均匀；步骤3.离心浓缩超声后的混合溶液，获得纳米浆料；步骤4.旋涂纳米浆料至基板上；步骤5.对旋涂完成后的基板进行真空加热干燥，在基板表面形成干燥涂覆层；步骤6.把透光片压在形成有干燥涂覆层的基板面上，然后激光穿过透光片扫描基板上的金属纳米材料，即可制得纳米合金颗粒，其中，激光的功率不低于220mW，光斑直径大于70um。本方法具有重复性好，生产速度快，效率高、耗时短，操作简单等优点。
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公开(公告)号：CN111599906A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010397372.8
申请日：2020-05-12
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种垂直结构深紫外LED芯片的制造方法。具体为：将p-GaN欧姆接触层利用激光直写工艺加工成网格状结构，并使用了一种高反射率的p型低阻欧姆接触Ni/Al电极与p-GaN网格进行欧姆接触，形成了较好的欧姆接触。然后通过在Ni/Al p电极导电层与外延层的n-AlGaN层之间刻蚀沟槽阵列和内反射镜沟槽阵列，得到蜂窝状结构，Al层作为反射镜沉积在内反射镜沟槽侧壁，从而得到蜂窝状内反射器结构。通过用网格状透明p-GaN层取代传统深紫外LED中的p-GaN层和设计蜂窝状内反射器结构，实现了对LED有源层横向传播光子的出射，减少了有深紫外LED芯片中源区的损失，大大提高了芯片的光提取效率。
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公开(公告)号：CN114975728A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210558668.2
申请日：2022-05-20
Applicant: 武汉大学
IPC: H01L33/48 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明属于半导体显示技术领域，公开了一种三基色Micro‑LED芯片的转移方法。本发明针对单色的Micro‑LED芯片阵列，将芯片阵列从施主基板上转移至临时衬底上，在受主基板上滴加乙醇和盐水的混合物，将受主基板上的驱动电路与芯片阵列精准接触，利用乙醇和盐水的混合物降温后形成的胶体连接受主基板与芯片阵列，将临时衬底从受主基板上揭离，清洗受主基板去除胶体，至此完成单色的芯片阵列转移，然后重复上述方法，分批次完成三种单色的芯片阵列转移，实现三基色Micro‑LED芯片的转移。本发明能够将Micro‑LED芯片大规模、高效率且准确地转印至刚性基板或柔性基板上，实现三基色Micro‑LED芯片的集成。
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公开(公告)号：CN112577643B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202011458947.9
申请日：2020-12-11
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明提供一种实现三轴测力的大量程电容式柔性传感器，上柔性衬底的底部设有若干高度一致的衬底凸台，上电极为覆盖在上柔性衬底底部的金属层，下电极包括若干中间电极和围绕在中间电极外围的外围电极，中间电极与外围电极一一对应；中间电极与上电极之间形成的电容传感器用于测量正向力，外围电极与上电极之间形成的电容传感器用于测量切向力。本发明利用上柔性衬底自身的柔性以及底部的衬底凸台，使得介质层被完全压缩后，上柔性衬底仍然可以压缩一定的行程，从而有效提升传感器的量程；利用下电极的排布，从而分别测量正向力和切向力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113206176B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202110439336.8
申请日：2021-04-23
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种选区刻蚀外延Micro‑LED芯片及其设计、制备方法。具体为：在蓝宝石衬底上依次生长n‑GaN层、多量子阱层、p‑GaN层，沉积SiO2绝缘层，在SiO2绝缘层上刻蚀微孔阵列，利用改性的p‑GaN的低导电性，电流拓展只在微孔阵列下方，实现微孔像素点的隔离，在衬底上放置颜色转换单元，包括：表面涂覆Ag的超黑矩阵遮光层、GaInP纳米线聚合物薄膜、紫外光AlGaN/GaNDBR反射镜、RGB三色滤光片，得到减少串扰提高颜色转换效率Micro‑LED芯片。
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公开(公告)号：CN113206176A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110439336.8
申请日：2021-04-23
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种选区刻蚀外延Micro‑LED芯片及其设计、制备方法。具体为：在蓝宝石衬底上依次生长n‑GaN层、多量子阱层、p‑GaN层，沉积SiO2绝缘层，在SiO2绝缘层上刻蚀微孔阵列，利用改性的p‑GaN的低导电性，电流拓展只在微孔阵列下方，实现微孔像素点的隔离，在衬底上放置颜色转换单元，包括：表面涂覆Ag的超黑矩阵遮光层、GaInP纳米线聚合物薄膜、紫外光AlGaN/GaNDBR反射镜、RGB三色滤光片，得到减少串扰提高颜色转换效率Micro‑LED芯片。
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公开(公告)号：CN112577643A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011458947.9
申请日：2020-12-11
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明提供一种实现三轴测力的大量程电容式柔性传感器，上柔性衬底的底部设有若干高度一致的衬底凸台，上电极为覆盖在上柔性衬底底部的金属层，下电极包括若干中间电极和围绕在中间电极外围的外围电极，中间电极与外围电极一一对应；中间电极与上电极之间形成的电容传感器用于测量正向力，外围电极与上电极之间形成的电容传感器用于测量切向力。本发明利用上柔性衬底自身的柔性以及底部的衬底凸台，使得介质层被完全压缩后，上柔性衬底仍然可以压缩一定的行程，从而有效提升传感器的量程；利用下电极的排布，从而分别测量正向力和切向力。
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公开(公告)号：CN111879447A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010650296.7
申请日：2020-07-08
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明提供一种同心圆环结构的差动式SiC电容压力传感器及制备方法，传感器的下极板包括内下极板和外下极板；内下极板为圆形，外下极板为与内下极板同心的圆环形；上极板包括内上极板、外上极板和连接板；内上极板为位于内下极板正上方、开口朝下的圆形框体；外上极板为位于外下极板正上方、开口朝下的圆环形框体；内上极板与外上极板之间通过连接板连接；下极板与上极板形成同心圆环电容结构。本发明选用同心圆环结构，不仅能够在恶劣环境下稳定工作，而且能够有效提高传感器的灵敏度及线性度。
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公开(公告)号：CN110745774A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201910981318.5
申请日：2019-10-16
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种悬臂梁结构的SiC温度传感器及其制造方法，所述温度传感器结构包括：具有多层结构的MEMS悬臂梁、惠斯通电桥检测电路以及四个金属焊盘。所述具有多层结构的MEMS悬臂梁自下而上共有SiC底层、复合硅化合物中间层以及顶部金属层。所述SiC底层包括三部分：压阻区域、电连接线路区域以及未掺杂区域；所述复合硅化合物中间层为多个硅化合物薄层堆叠形成的复合中间层。所述惠斯通电桥检测电路通过离子注入工艺在SiC底层形成，其由压阻区域和电连接线路区域组成，所述电连接线路区域包括电极和连接电路。本发明SiC温度传感器能够在高温环境下实现对温度的精确测量，通过复合硅化合物中间层不仅实现了绝缘保护，还能有效防止热应力损坏。
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