公开(公告)号：CN119108462B

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202411306506.5

申请日：2024-09-19

Applicant: 横店集团东磁股份有限公司

Inventor： 吴成坤 ,  任勇 ,  陈德爽

IPC: H10F71/00 ,  H10F10/14 ,  H10F77/14

Abstract: 本发明涉及太阳能电池领域，公开了一种具有凸形隔离区结构的TBC太阳能电池的制备方法。首先，本发明通过巧妙的制备方法，可制得具有凸形隔离区结构的TBC太阳能电池，不仅可减少p区（硼扩散区）和n区（磷扩散区）发生短路的概率，还可降低部分硼扩散层或磷扩散层厚度以减少寄生吸收影响；其次，本发明通过优化工艺步骤，实现了单次沉积本征多晶硅层即可得到TBC太阳能电池，可有效提升产品的性能和良品率，并同时显著降低生产成本。

公开(公告)号：CN119866066A

公开(公告)日：2025-04-22

申请号：CN202510348080.8

申请日：2025-03-24

Applicant: 横店集团东磁股份有限公司

Inventor： 吴成坤 ,  任勇 ,  陈德爽

IPC: H10F10/142 ,  H10F71/00

Abstract: 本发明涉及太阳能电池领域，公开了一种两端式全硅基双结太阳能电池及制备方法。该两端式全硅基双结太阳能电池包括：N型硅基底，依次设于N型硅基底正面的金字塔绒面、钝化减反膜，设于N型硅基底背面的正极区和负极区；正极区包括依次设于N型硅基底背面的内硼扩散层、磷扩散层、外硼扩散层和钝化减反膜，以及设于外硼扩散层表面的正极；负极区包括设于N型硅基底背面的钝化减反膜，以及设于N型硅基底背面的负极。本发明首创性地设计了一种两端式全硅基双结叠层电池，可有效解决常规叠层电池稳定较差的问题。此外，本发明通过巧妙的结构设计将电极全部设计于电池背面，可有效减少遮光损伤，有利于提升电池性能。

公开(公告)号：CN119677310A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202411762413.3

申请日：2024-12-03

Applicant: 横店集团东磁股份有限公司

Inventor： 梁昶实 ,  任勇 ,  陈德爽 ,  吴成坤 ,  范静娅

IPC: H10K39/15 ,  H10K30/80 ,  H10K71/00 ,  H10K71/30

Abstract: 本发明涉及太阳能电池技术领域，公开了一种叠层电池及制备方法，叠层电池包括自受光面至背光面依次层叠设置的钙钛矿电池结构、第一复合层、第二复合层、晶硅电池结构；第一复合层中导电杂质的掺杂浓度沿钙钛矿电池结构至第二复合层的方向梯度递增；第二复合层中导电杂质的掺杂浓度沿第一复合层至晶硅电池结构的方向梯度递减。导电杂质掺杂浓度相对高的部分最大化了载流子的传输效率，减少了复合损失，导电杂质掺杂浓度相对低的部分减少了界面连接处的复合损失，从而提升了叠层电池的整体性能。

公开(公告)号：CN119521821A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411417101.9

申请日：2024-10-11

Applicant: 横店集团东磁股份有限公司

Inventor： 锁英容 ,  任勇 ,  陈德爽 ,  李羽佳

IPC: H10F71/00 ,  H10F77/14 ,  H10F77/1223 ,  H10F10/14

Abstract: 本发明涉及光伏电池技术领域，公开了背接触太阳能电池及其制备方法。制备方法包括：提供第一导电类型的基底层，具有相对的第一表面和第二表面；在第一表面开设第一凹槽，旁侧形成凸起；对第一凹槽的内壁面掺杂处理形成第一掺杂层；第一掺杂层为第二导电类型；在第一掺杂层表面形成钝化层；在凸起上开设和第一凹槽隔离设置的第二凹槽；在第二凹槽上形成第一隧穿氧化层；在第二凹槽内且第一隧穿氧化层上形成第一导电类型的第二掺杂层；形成第一电极和第二电极，第一电极贯穿钝化层连接第一掺杂层，第二电极连接第二掺杂层。在基底层的不同位置开槽形成相对隔离的第一凹槽和第二凹槽，有利于高效收集电流、防止短路，提高光电转换效率和发电效率。

公开(公告)号：CN118825141B

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202411298025.4

申请日：2024-09-18

Applicant: 横店集团东磁股份有限公司

Inventor： 吴成坤 ,  任勇 ,  陈德爽

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/268

Abstract: 本发明涉及太阳能电池领域，公开了一种无掩膜单次沉积硅层制备TBC太阳能电池的方法。首先，本发明通过优化工艺步骤，在不构建掩膜层的情况下实现了单次沉积本征多晶硅层制备TBC太阳能电池，可进一步简化制备步骤，并有效提升产品的性能和良品率，并同时显著降低生产成本。其次，本发明通过巧妙的差异化激光处理工艺，可制得具有凸形隔离区结构的TBC太阳能电池，不仅可减少p区和n区发生短路的概率，还可降低部分硼扩散层或磷扩散层厚度以减少寄生吸收影响。

公开(公告)号：CN119153586A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202411639235.5

申请日：2024-11-18

Applicant: 横店集团东磁股份有限公司

Inventor： 吴成坤 ,  徐君 ,  任勇 ,  陈德爽 ,  魏露露 ,  朱响彬

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0236 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种TOPCon太阳能电池的制备方法，包括：S1、硅片背面抛光；S2、背面沉积隧穿氧化层、磷掺杂非晶硅层、掩膜层；S3、正面碱制绒；S4、正面沉积隧穿氧化层、本征非晶硅层；S5、正面硼扩散，背面磷掺杂非晶硅层同步晶化为含磷多晶硅层；S6、激光晶化；S7、去除侧面BSG层及背面掩膜层的表层部分；S8、去除侧面硼扩散层及正面BSG层和残留掩膜层；S9、双面镀膜；S10、丝网印刷，烧结，光注入。本发明可实现硅片单面制绒，且低温硼扩散配合激光晶化可避免因晶化温度过高而导致磷原子过度内扩。本发明方法对硅片厚度的减薄较少，不仅有利于降低制备过程中硅片碎片率，还能进一步提升电池光学性能。

公开(公告)号：CN118738201A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202310337546.5

申请日：2023-03-31

Applicant: 横店集团东磁股份有限公司

Inventor： 张强 ,  马岚岚 ,  任勇 ,  陈德爽

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/223 ,  H01L31/068

Abstract: 本发明涉及一种掺杂多晶硅层及其掺杂工艺和太阳能电池及其制备方法。所述掺杂工艺包括：进舟、抽真空升温、扩散推结以及降温出舟，其中，进舟包括将厚度小于150nm的非晶硅层置于扩散装置中；扩散推结包括：预氧化；在780℃‑800℃的T1温度下，通入400sccm‑600sccm的大氮、480sccm‑520sccm的氧气及830sccm‑870sccm的携带掺杂源的小氮进行一次沉积；在T2温度下，通入400sccm‑600sccm的大氮、380sccm‑420sccm的氧气及900sccm‑1000sccm的携带掺杂源的小氮进行二次沉积，T2＞T1且T2‑T1≤20℃；以3.5℃/min‑5.5℃/min将T2升温至885℃‑900℃后，通入900sccm‑1000sccm的氧气并保持恒温。本发明所述掺杂工艺实现了厚度小于150nm的非晶硅层的梯度浓度掺杂，不仅可以提高钝化接触效果，而且有利于提高隐开路电压、短路电流等方面性能，提升太阳能电池的转换效率。

公开(公告)号：CN117673191A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202211038124.X

申请日：2022-08-25

Applicant: 横店集团东磁股份有限公司

Inventor： 陈伟康 ,  彭宏杰 ,  陈德爽 ,  任勇 ,  何悦 ,  任海亮

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/225

Abstract: 本发明涉及一种硼扩散方法、太阳能电池及其制备方法。该硼扩散方法包括以下步骤：将制绒清洗后的硅片置于扩散设备中；在预设压力和预设温度下，向扩散设备中通源进行沉积，其中，通源包括通入硼源、氧气、水蒸气以及第一保护性气体，硼源、氧气以及水蒸气的体积比为1.8∶7.2∶1‑2.3∶8.2∶1以及升温，采用第二保护性气体对沉积后的硅片进行吹扫。该硼扩散方法能够使B均匀分布于硅片表面，从而使制得的硼扩后硅片具有优异的方阻均匀性，能够更好的应用于制备太阳能电池。

公开(公告)号：CN114823933A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210754770.X

申请日：2022-06-30

Applicant: 横店集团东磁股份有限公司

Inventor： 方超炎 ,  陈德爽 ,  任勇 ,  何悦

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/02 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池结构及其制作方法。该太阳能电池结构包括：半导体衬底，半导体衬底的背面形成有第一掺杂区和第二掺杂区；第一重掺杂区，形成于半导体衬底中，且第一重掺杂区接触设置于第一掺杂区远离背面的一侧，第一重掺杂区与第一掺杂区均为P型掺杂，并大于第一掺杂区的掺杂浓度；第二重掺杂区，形成于半导体衬底中，且第二重掺杂区接触设置于第二掺杂区远离背面的一侧，第二重掺杂区与第二掺杂区均为N型掺杂，并大于第二掺杂区的掺杂浓度；具有固定负电荷的第一钝化层，形成于第一掺杂区远离第一重掺杂区的一侧；具有固定正电荷的第二钝化层，形成于第二掺杂区远离第二重掺杂区的一侧。上述太阳能电池结构具有较高的转换效率。

公开(公告)号：CN113193056A

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN202110558290.1

申请日：2021-05-21

Applicant: 横店集团东磁股份有限公司

Inventor： 方超炎 ,  何悦 ,  任海亮 ,  任勇 ,  陈德爽

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供了一种氧化镓背钝化的太阳能电池及其制备方法，所述的太阳能电池包括P型硅基体，所述P型硅基体相对的两侧表面分别设置有正面镀层和背面镀层，所述的正面镀层包括由P型硅基体表面向外依次层叠的发射极、正面氧化硅层和正面氮化硅层，所述的背面镀层包括由P型硅基体表面向外依次层叠的氧化硅钝化层、氧化镓钝化层和背面钝化层。本发明利用氧化镓的固定负电荷的场钝化效果，加上氧化硅的化学钝化能够进一步减少数载流子复合；在氧化镓钝化层和P型硅基体之间沉积一层氧化硅钝化层，能够有效降低表面态密度，并提升其化学钝化效果。