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公开(公告)号：CN112838157A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202110195463.8
申请日：2021-02-22
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种SnTe掺Ge热电材料的制备方法，包括步骤1，SnTe掺Ge热电材料的熔炼和步骤2，SnTe掺Ge热电材料的烧结。一种SnTe掺Ge热电材料的应用，在823 K的温度下，塞贝克系数高达126‑129µVK‑1，功率因子为20‑24µWm‑1K‑2，热导率低至2.69‑3.15 WK‑1m‑1，热电优值ZT在0.58‑0.62之间。相对于现有技术，本发明具有以下优点：相对于现有技术，本发明具有以下优点：1、所得SnTe掺Ge热电材料具有结晶度高、杂质少、致密度高以及具有塞贝克系数大，热导率低，热电性能提高幅度大的特性；2、制备方法具有原料市售可得，成本低廉，反应周期短，反应过程低能耗，低污染，工艺操作简单，可重复性高和具有可控性强的特点。
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公开(公告)号：CN112838157B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202110195463.8
申请日：2021-02-22
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H10N10/01 , H10N10/852
Abstract: 本发明公开了一种SnTe掺Ge热电材料的制备方法，包括步骤1，SnTe掺Ge热电材料的熔炼和步骤2，SnTe掺Ge热电材料的烧结。一种SnTe掺Ge热电材料的应用，在823 K的温度下，塞贝克系数高达126‑129µVK‑1，功率因子为20‑24µWm‑1K‑2，热导率低至2.69‑3.15 WK‑1m‑1，热电优值ZT在0.58‑0.62之间。相对于现有技术，本发明具有以下优点：相对于现有技术，本发明具有以下优点：1、所得SnTe掺Ge热电材料具有结晶度高、杂质少、致密度高以及具有塞贝克系数大，热导率低，热电性能提高幅度大的特性；2、制备方法具有原料市售可得，成本低廉，反应周期短，反应过程低能耗，低污染，工艺操作简单，可重复性高和具有可控性强的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112958141A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110285206.3
申请日：2021-03-17
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种含氧g‑C3N4纳米片光催化剂的制备方法，包括如下步骤：1）一定质量比的二氰二胺和氯化铵加入水中进行分散溶解，并在80℃的条件下水浴加热直至得到干燥的粉末状混合物；2）将混合物在340℃条件下加热2h后以2.5℃/min的速率升至600℃并保温4h，然后自然冷却至室温，得到超薄片状g‑C3N4光催化剂。这种催化剂的制备方法简单、低危险，重复使用率高，成本低，所制备的催化剂对于光催化产氢表现出较高的催化活性，在光催化产氢方面具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN110931271B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201911346431.2
申请日：2019-12-24
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种疏水性席夫碱钴@β环糊精‑石墨烯多孔碳复合材料的制备及应用。该方法采用均相反应釜、醇热法合成了疏水性5‑氯水杨醛缩二氰二胺席夫碱钴金属配合物，然后与疏水性β环糊精形成包合物，并与氧化石墨烯稳定交联，最后经过过滤、洗涤、干燥以及高温煅烧等处理制得。该材料具有以下优点：5‑氯水杨醛缩二氰二胺席夫碱钴金属配合物具有疏水性结构，为内部疏水外部亲水结构的β环糊精成功包埋提供了反应基础条件；采用溶剂热法和碳化法，工艺简单，环境友好；水/醇介质体系增强了材料的分散性。作为超级电容器电极材料的应用，在0‑0.4V范围内充放电，在放电电流密度为1A/g时，比电容可以达到500‑1000F/g，且具有优异的电化学特性和化学稳定性。
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公开(公告)号：CN110931271A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911346431.2
申请日：2019-12-24
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种疏水性席夫碱钴@β环糊精-石墨烯多孔碳复合材料的制备及应用。该方法采用均相反应釜、醇热法合成了疏水性5-氯水杨醛缩二氰二胺席夫碱钴金属配合物，然后与疏水性β环糊精形成包合物，并与氧化石墨烯稳定交联，最后经过过滤、洗涤、干燥以及高温煅烧等处理制得。该材料具有以下优点：5-氯水杨醛缩二氰二胺席夫碱钴金属配合物具有疏水性结构，为内部疏水外部亲水结构的β环糊精成功包埋提供了反应基础条件；采用溶剂热法和碳化法，工艺简单，环境友好；水/醇介质体系增强了材料的分散性。作为超级电容器电极材料的应用，在0-0.4V范围内充放电，在放电电流密度为1A/g时，比电容可以达到500-1000F/g，且具有优异的电化学特性和化学稳定性。
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公开(公告)号：CN213703544U
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202022715086.X
申请日：2020-11-20
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种储能材料的切割装置，涉及材料切割领域。一种储能材料的切割装置，包括工作控制机，工作控制机后侧安装有切割机体，且切割机体底面滑动连接有移动装置，切割机体两侧端面安装有挡板，且挡板内侧卡装有工作平面，工作平面上壁面固定安装有夹持装置，夹持装置上端安装有切割刀具，且切割刀具另一侧安装有升降主轴，升降主轴前端安装有前端板，且前端板另一侧安装有配重块，前端板上端安装有垂直步进电机，垂直步进电机两侧安装有侧板，且侧板左侧安装有横向步进电机。本实用新型解决了传统的切割装置切割后材料表面精度低，设备传动精度低的问题。
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公开(公告)号：CN213791566U
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202022712690.7
申请日：2020-11-20
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种复合材料化工作业平台，涉及化工设备领域。一种复合材料化工作业平台，包括支撑杆，支撑杆外侧壁面上端安装有夹板，且夹板顶端安装有主管，主管右侧连通有净化装置，且净化装置前端连通有入水管，净化装置左侧安装有支撑横杆，且支撑横杆前侧下端安装有喷洒装置，喷洒装置底部安装有反应罐，且反应罐顶端后侧安装有密封板，反应罐外环面前侧连接有出料清洗装置，且反应罐右侧安装有YDKZ宇盾控制箱，反应罐外环面四周安装有升降装置，且升降装置顶端安装有升降电机。本实用新型解决了传统的工作平台没有专门的反应装置清洗系统，同时反应装置反应完成后不便于安全检查的问题。
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