公开(公告)号：CN113151858B

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202110344123.7

申请日：2021-03-31

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 刘勇平 ,  庄杨 ,  吕慧丹 ,  李伟 ,  黄成 ,  王子良

IPC: C25B11/091 ,  C25B1/04

Abstract: 本发明提供了一种P掺杂SnS2纳米片阵列光电催化剂制备方法，包括以下步骤：(1)以四氯化锡、硫粉分别作为锡源、硫源，采用气相沉积法，在导电基底上沉积二硫化锡，获得SnS2纳米片；亚磷酸钠为掺杂P源，将次亚磷酸钠放置在上游加热区中心的烧舟中，并将装有硫粉的烧舟紧贴着次亚磷酸钠的烧舟，将制备好的SnS2纳米片置于干净的烧舟上，并放置在下游加热区的中心；在氩气氛围中，加热升温，保温一段时间，冷却到室温后，得到P掺杂SnS2纳米片阵列光电催化电极材料。本发明方法制得的P掺杂SnS2纳米片阵列光电催化剂电极材料具有较高的光电催化析氧活性和稳定性。(2)将上述SnS2纳米片采用CVD法进行掺杂，以次

公开(公告)号：CN113151858A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN202110344123.7

申请日：2021-03-31

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 刘勇平 ,  庄杨 ,  吕慧丹 ,  李伟 ,  黄成 ,  王子良

IPC: C25B11/091 ,  C25B1/04

Abstract: 本发明提供了一种P掺杂SnS2纳米片阵列光电催化剂制备方法，包括以下步骤：(1)以四氯化锡、硫粉分别作为锡源、硫源，采用气相沉积法，在导电基底上沉积二硫化锡，获得SnS2纳米片；(2)将上述SnS2纳米片采用CVD法进行掺杂，以次亚磷酸钠为掺杂P源，将次亚磷酸钠放置在上游加热区中心的烧舟中，并将装有硫粉的烧舟紧贴着次亚磷酸钠的烧舟，将制备好的SnS2纳米片置于干净的烧舟上，并放置在下游加热区的中心；在氩气氛围中，加热升温，保温一段时间，冷却到室温后，得到P掺杂SnS2纳米片阵列光电催化电极材料。本发明方法制得的P掺杂SnS2纳米片阵列光电催化剂电极材料具有较高的光电催化析氧活性和稳定性。