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公开(公告)号：CN108726558B
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201810566580.9
申请日：2018-06-05
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种由分级纳米棒组成的SnO2/CoOOH微米花材料的制备方法。将分析纯醋酸钴溶于去离子水中，搅拌均匀；然后将分析纯四氯化锡慢慢倒入上述醋酸钴的水溶液中，搅拌均匀，将分析纯氢氧化钠倒入到搅拌均匀的醋酸钴和四氯化锡的混合溶液中，搅拌均匀；再将分析纯异丙醇倒入到上述的混合碱性溶液中，搅拌均匀，最后将上述得到的混合碱性溶液转移到聚四氟乙烯衬底的不锈钢反应釜中，水热反应后，冷却到室温得粉红色沉淀物；用去离子水或无水乙醇清洗，干燥，得到由直径为15‑30纳米的纳米棒组成的直径为300‑600纳米SnO2/CoOOH微米花复合材料。本发明成本低、工艺控制过程简单、易大规模生产。
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公开(公告)号：CN108726558A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810566580.9
申请日：2018-06-05
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种由分级纳米棒组成的SnO2/CoOOH微米花材料的制备方法。将分析纯醋酸钴溶于去离子水中，搅拌均匀；然后将分析纯四氯化锡慢慢倒入上述醋酸钴的水溶液中，搅拌均匀，将分析纯氢氧化钠倒入到搅拌均匀的醋酸钴和四氯化锡的混合溶液中，搅拌均匀；再将分析纯异丙醇倒入到上述的混合碱性溶液中，搅拌均匀，最后将上述得到的混合碱性溶液转移到聚四氟乙烯衬底的不锈钢反应釜中，水热反应后，冷却到室温得粉红色沉淀物；用去离子水或无水乙醇清洗，干燥，得到由直径为15-30纳米的纳米棒组成的直径为300-600纳米SnO2/CoOOH微米花复合材料。本发明成本低、工艺控制过程简单、易大规模生产。
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公开(公告)号：CN101798109A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN201010132866.X
申请日：2010-03-24
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种氧化锡纳米管的制备方法。将110-230毫克的分析纯氯化亚锡和0.3-0.6克尿素添加到40毫升的无水乙醇中，常温下搅拌混合均匀备用；将上述获得的无水乙醇的混合溶液转移到100毫升的高温反应釜内；将高温反应釜放入恒温干燥箱中在150～200℃下保温10-15小时，自然冷却到室温；将所获得的白色沉淀物用去离子水或无水乙醇反复清洗多次，然后在干燥箱内在60-80℃下干燥10-12个小时即制得氧化锡纳米管。本发明成本低、工艺控制过程简单、易大规模而成，制得的多孔管壁结构的氧化锡纳米管具有单分散性，氧化锡纳米管内径为50-80纳米，长度为2-5微米而且管壁由20-30纳米的氧化锡纳米颗粒组成。
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公开(公告)号：CN108821341B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201810663570.7
申请日：2018-06-25
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C01G39/02
Abstract: 本发明公开了一种表面刻蚀的多孔三氧化钼制备方法。（1）将0.5‑1.5克商业化三氧化钼粉体加入到30‑100毫升去离子水中；（2）在步骤（1）所得溶液中，加入0.1‑0.6克分析纯咪唑；（3）分析纯盐酸和分析纯硝酸按体积比例为3‑5:1‑3制成混合酸；（4）在步骤（2）所得溶液中加入5‑15毫升步骤（3）所得混合酸，在室温下搅拌10‑20分钟；（5）将步骤（4）所得溶液放入水浴锅中，50‑90℃加热搅拌10‑15小时；（6）将步骤（5）所得产物离心，用去离子水洗涤3‑5次，在70℃恒温干烘箱中干燥12小时，得到表面刻蚀多孔三氧化钼。本发明操作简便、成本低、能大规模合成，具有潜在的应用价值。
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公开(公告)号：CN108923040A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810663554.8
申请日：2018-06-25
Applicant: 桂林理工大学
IPC: H01M4/48 , H01M10/0525 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种阴阳离子共掺杂钼氧羟基化合物纳米片的制备方法及应用。将分析纯十二烷基硫酸钠加入去离子水中，搅拌均匀；然后将分析纯正十二硫醇步骤加入上述溶液中，搅拌均匀；将分析纯钼酸铵加入上述溶液中，搅拌均匀；将分析纯硝酸滴加到上述混合溶液中，搅拌均匀；将分析纯硝酸铬加入到上述混合溶液中，搅拌均匀；将上述所得溶液转移到反应釜中，搅拌后将其转入聚四氟乙烯衬底的不锈钢反应釜中，水热反应后，冷却到室温得深蓝色沉淀物；用去离子水或无水乙醇清洗，干燥，得到阴阳离子共掺杂MoO2.5(OH)0.5纳米片。本发明成本低、工艺控制过程简单、易大规模生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101798117A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN201010132867.4
申请日：2010-03-24
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C01G41/02
Abstract: 本发明公开了一种高度有序三氧化钨纳米棒的制备方法。将0-50毫升去离子水和0-50毫升重量百分比为36.5-38％的市售浓盐酸混合，达到总体积为50毫升的混合液，在常温下搅拌5分钟后，然后添加0.2-4克的六氯化钨，继续搅拌5分钟后，转到100毫升的高温反应釜内；然后将清洁干净的导电玻璃导电面向上放在高温反应釜内；将高温反应釜放在恒温干燥箱内，在100-180℃恒温下水热反应4-20小时后，自然冷却；最后将导电玻璃从高温反应釜拿出，用去离子水冲洗后放在干燥箱内烘干即可。本发明工艺简单、重复性好，制备的三氧化钨纳米棒直径为80-100纳米，长度为3-6微米。
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公开(公告)号：CN108923040B
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201810663554.8
申请日：2018-06-25
Applicant: 桂林理工大学
IPC: H01M4/48 , H01M10/0525 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种阴阳离子共掺杂钼氧羟基化合物纳米片的制备方法及应用。将分析纯十二烷基硫酸钠加入去离子水中，搅拌均匀；然后将分析纯正十二硫醇步骤加入上述溶液中，搅拌均匀；将分析纯钼酸铵加入上述溶液中，搅拌均匀；将分析纯硝酸滴加到上述混合溶液中，搅拌均匀；将分析纯硝酸铬加入到上述混合溶液中，搅拌均匀；将上述所得溶液转移到反应釜中，搅拌后将其转入聚四氟乙烯衬底的不锈钢反应釜中，水热反应后，冷却到室温得深蓝色沉淀物；用去离子水或无水乙醇清洗，干燥，得到阴阳离子共掺杂MoO2.5(OH)0.5纳米片。本发明成本低、工艺控制过程简单、易大规模生产。
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公开(公告)号：CN102583525B
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201210022741.0
申请日：2012-01-31
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C01G23/053
Abstract: 本发明公开了一种金红石型二氧化钛介晶的制备方法。(1)将2～4毫升的分析纯四氯化钛和0.2～0.7克分析纯柠檬酸添加到60毫升的分析纯叔丁醇中，常温下搅拌混合均匀得叔丁醇的混合溶液；(2)将步骤(1)获得的叔丁醇的混合溶液转移到100毫升的高温反应釜内；(3)将步骤(2)的高温反应釜放入恒温干燥箱中在180～230℃下保温14～20小时，自然冷却到室温得白色沉淀物；(4)将步骤(3)所获得的白色沉淀物用去离子水或无水乙醇反复清洗2-3次，然后在干燥箱内在60～80℃下干燥10～12个小时即制得金红石型二氧化钛介晶。本发明成本低、工艺控制过程简单、易大规模生产，制得的金红石型二氧化钛介晶具有单分散性，单个介晶由金红石型二氧化钛纳米晶颗粒组成。
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公开(公告)号：CN102086528B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201010590301.6
申请日：2010-12-14
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种二氧化钛单晶纳米线阵列薄膜的制备方法。本发明以分析纯钛酸丁酯、柠檬酸、尿素和去离子水作为起始原料。将上述四种原料的混合物转移到高温反应釜(聚四氟乙烯内衬)内，在恒温干燥箱内在180～230℃下保温20～36小时，自然冷却到室温。所获得薄膜用去离子水或无水乙醇反复清洗多次，然后在干燥箱内在60～80℃下干燥24个小时即制得二氧化钛单晶纳米线阵列薄膜。本发明提供的水热反应条件下制备二氧化钛单晶纳米线阵列薄膜的方法简单可行，结果可重复性好。
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公开(公告)号：CN102086528A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN201010590301.6
申请日：2010-12-14
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种二氧化钛单晶纳米线阵列薄膜的制备方法。本发明以分析纯钛酸丁酯、柠檬酸、尿素和去离子水作为起始原料。将上述四种原料的混合物转移到高温反应釜(聚四氟乙烯内衬)内，在恒温干燥箱内在180～230℃下保温20～36小时，自然冷却到室温。所获得薄膜用去离子水或无水乙醇反复清洗多次，然后在干燥箱内在60～80℃下干燥24个小时即制得二氧化钛单晶纳米线阵列薄膜。本发明提供的水热反应条件下制备二氧化钛单晶纳米线阵列薄膜的方法简单可行，结果可重复性好。
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