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    非易失性半导体存储装置
    1.
    发明公开
    非易失性半导体存储装置 无效

    公开(公告)号：CN101000797A

    公开(公告)日：2007-07-18

    申请号：CN200710002243.9

    申请日：2007-01-10

    Applicant: 株式会社瑞萨科技

    Inventor： 谷崎弘晃 ,  辻高晴 ,  村井泰光 ,  日高秀人

    IPC: G11C11/16

    CPC classification number: G11C11/16 ,  G11C11/5607 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/79

    Abstract: 本发明提供一种非易失性半导体存储装置，其中，对自旋注入型磁性存储器单元(MC)，与字线(WC)平行排列源极线(SL)，以多个位单位来执行数据的写入/读出。写入时，设定成以规定时序使源极线电位变化，在多个选择存储器单元共同连接的源极线上中，在动作时序的各阶段，仅单方向流过电流。作为该数据写入时序，可采取对应于写入数据、依次在存储器单元中流过电流的方法，和如下方式，即在写入前将存储器单元的阻抗状态设定为规定的初始阻抗状态之后，对应于写入数据使初始阻抗状态变化。可实现在磁性存储器中不使存储器单元布局面积增大而高速写入。

    非易失性半导体存储装置
    2.
    发明公开
    非易失性半导体存储装置 无效

    公开(公告)号：CN1838320A

    公开(公告)日：2006-09-27

    申请号：CN200610067698.4

    申请日：2006-03-16

    Applicant: 株式会社瑞萨科技

    Inventor： 谷崎弘晃 ,  日高秀人

    IPC: G11C11/56 ,  G11C11/15 ,  G11C16/04 ,  H01L29/792

    Abstract: 本发明使从供给写入电流的写入电流源(4W)到内部数据线(IDL)、位线(BL)、源极线(SL)、基准电位结点(ND)的路径的除存储单元(MC)以外的电阻值一直恒定，并且在该电流路径中将存储单元和可变电流源之间的电阻值和从存储单元到基准电位结点之间的电阻值分别设定为500Ω以内。实现了改善数据写入/读出的可靠性的非易失性半导体存储装置。

    磁记录装置
    3.
    发明公开
    磁记录装置 失效 转让

    公开(公告)号：CN101483176A

    公开(公告)日：2009-07-15

    申请号：CN200910000112.6

    申请日：2009-01-05

    Applicant: 株式会社瑞萨科技

    Inventor： 谷崎弘晃 ,  上野修一 ,  村井泰光 ,  辻高晴

    IPC: H01L27/105 ,  H01L43/08 ,  H01L23/535

    CPC classification number: H01L27/228 ,  H01L43/08

    Abstract: 本发明提供一种磁记录装置，即便使具有非对称形状的记录层与局部孔这两者留有充分的间隔而形成在带状配线上，也能够抑制磁记录装置的尺寸增加。本发明的磁记录装置(MRAM)具有带状配线LS、局部孔LV、及磁记录元件(TMR元件)101。TMR元件101具有固定层11与记录层13。记录层13的俯视形状相对于记录层13的易磁化轴方向S为非对称，相对于与易磁化轴垂直的对称轴L为对称。靠近记录层13的面积中心的这一侧的、记录层13的轮廓部s1，面向局部孔LV形成侧。

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