公开(公告)号：CN1964017A

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200610146319.0

申请日：2006-11-10

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 平野真也 ,  须藤敬己 ,  今泉铁德 ,  吉田育弘

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/321

CPC classification number: H01L21/2885 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/321 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883

Abstract: 本发明提供不需复杂的工序，以低成本即可充分抑制Cu膜缺陷产生的Cu布线形成方法。本发明的Cu布线形成方法包括通过镀敷在晶片上形成Cu膜的工序，进行了上述镀敷之后、在上述Cu膜表面进行防腐剂处理的工序，进行了上述防腐剂处理之后、对上述Cu膜退火的工序。还可以在进行了上述镀敷之后，将上述晶片保管在非氧化环境中。