公开(公告)号：CN1323063A

公开(公告)日：2001-11-21

申请号：CN01116984.2

申请日：1995-12-06

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 铃木範夫 ,  清田省吾 ,  久保征治 ,  奥山幸祐 ,  白须辰美

IPC: H01L21/82

CPC classification number: H01L27/0928 ,  H01L21/823807

Abstract: 一种制造半导体集成电路器件的方法,包括步骤:(a)用第一杂质掺入半导体衬底;(b)用导电类型与第一杂质的导电类型相反的第二杂质掺入半导体衬底;(c)在掺有第一杂质和第二杂质的所述半导体衬底主平面上方形成外延层;(d)在外延层上方形成封顶薄膜;和(e)在步骤(d)之后,对上述半导体衬底热扩散处理,形成第一半导体区域和第二半导体区域。

公开(公告)号：CN1275801A

公开(公告)日：2000-12-06

申请号：CN00117939.X

申请日：2000-06-01

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 石塚典男 ,  三浦英生 ,  池田修二 ,  吉田安子 ,  铃木範夫 ,  渡部浩三 ,  金光賢司

IPC: H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76232 ,  H01L29/0657

Abstract: 在衬底上形成衬垫氧化膜和防氧化膜,除去部分防氧化膜和衬垫氧化膜露出衬底,后退衬垫氧化膜,刻蚀衬底露出面,形成规定深度沟槽,后退衬垫氧化膜,氧化沟槽部分,向其内部埋入埋入绝缘膜,除去防氧化膜上的埋入绝缘膜和防氧化膜, 除去衬垫氧化膜,在氧化沟槽部分前,各向同性刻蚀和后退衬垫氧化膜使沟槽上端部分圆角化具有曲率,使氧化工序仅仅进行1次,制造不会使沟槽上端部分的晶体管的电性不合格的半导体装置。

公开(公告)号：CN1133494A

公开(公告)日：1996-10-16

申请号：CN95120527.7

申请日：1995-12-06

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 铃木範夫 ,  清田省吾 ,  久保征治 ,  奥山幸祐 ,  白须辰美

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L27/0928 ,  H01L21/823807

Abstract: 在半导体衬底基片上方形成的势阱区域上方，形成有外延层，外延层含有的杂质浓度比势阱区域中含有的杂质浓度低。MOS场效应晶体管被安装在外延层上。场绝缘薄膜在深度走向上延伸到与势阱区域接触。MOS场效应晶体管具有在外延层内形成的源/漏区域以在源和漏之间形成穿通阻塞。

公开(公告)号：CN1092402C

公开(公告)日：2002-10-09

申请号：CN95120527.7

申请日：1995-12-06

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 铃木範夫 ,  清田省吾 ,  久保征治 ,  奥山幸祐 ,  白须辰美

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L27/0928 ,  H01L21/823807

Abstract: 在半导体衬底基片上方形成的势阱区域上方，形成有外延层，外延层含有的杂质浓度比势阱区域中含有的杂质浓度低。MOS场效应晶体管被安装在外延层上。场绝缘薄膜在深度走向上延伸到与势阱区域接触。MOS场效应晶体管具有在外延层内形成的源/漏区域以在源和漏之间形成穿通阻塞。

公开(公告)号：CN1323058A

公开(公告)日：2001-11-21

申请号：CN01116997.4

申请日：1995-12-06

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 铃木範夫 ,  清田省吾 ,  久保征治 ,  奥山幸祐 ,  白须辰美

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L27/0928 ,  H01L21/823807

Abstract: 一种制造半导体晶片的方法,包括步骤:在一半导体衬底基片的主表面上形成具有0.3μm到3μm厚度的外延层。