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公开(公告)号：CN102856579B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201210209596.7
申请日：2012-06-20
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01M10/0525 , H01M4/13 , H01M4/62
CPC classification number: H01M4/13 , H01M4/131 , H01M4/133 , H01M4/621 , H01M4/661 , H01M10/0525 , Y02E60/122 , Y02P70/54 , Y02T10/7011 , Y10T29/49115
Abstract: 本发明提供兼备集电体与电极合及层的优异的密合性和导电性的锂离子二次电池用电极及其制造方法、以及具备优异的循环特性的锂离子电池及其制造方法。所述锂离子二次电池用电极具备铜等集电体(13)以及电极合剂层(14)，所述电极合剂层（14）形成于该集电体(13)的一面或者两面，包含活性物质(11)和粘合剂，同时，在集电体(13)和电极合剂层(14)的界面，相隔规定间隔呈点状或条纹状具备与电极合剂层(14)相比粘合剂浓度相对高的粘合剂富集层(12)，在集电体(13)的表面上具有粘合剂的浓度梯度。通过相隔规定间隔配置粘合剂富集层(12)，利用锚固效果提高集电体(13)与电极合剂层(14)的密合性，并且，确保集电体(13)与电极合剂层(14)的导电性。
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公开(公告)号：CN102856579A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210209596.7
申请日：2012-06-20
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01M10/0525 , H01M4/13 , H01M4/62
CPC classification number: H01M4/13 , H01M4/131 , H01M4/133 , H01M4/621 , H01M4/661 , H01M10/0525 , Y02E60/122 , Y02P70/54 , Y02T10/7011 , Y10T29/49115
Abstract: 本发明提供兼备集电体与电极合及层的优异的密合性和导电性的锂离子二次电池用电极及其制造方法、以及具备优异的循环特性的锂离子电池及其制造方法。所述锂离子二次电池用电极具备铜等集电体(13)以及电极合剂层(14)，所述电极合剂层（14）形成于该集电体(13)的一面或者两面，包含活性物质(11)和粘合剂，同时，在集电体(13)和电极合剂层(14)的界面，相隔规定间隔呈点状或条纹状具备与电极合剂层(14)相比粘合剂浓度相对高的粘合剂富集层(12)，在集电体(13)的表面上具有粘合剂的浓度梯度。通过相隔规定间隔配置粘合剂富集层(12)，利用锚固效果提高集电体(13)与电极合剂层(14)的密合性，并且，确保集电体(13)与电极合剂层(14)的导电性。
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公开(公告)号：CN1234137A
公开(公告)日：1999-11-03
申请号：CN97198996.6
申请日：1997-03-24
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L21/8242 , H01L21/8247 , H01L27/108 , H01L27/115 , H01L29/788
CPC classification number: H01L28/40 , H01L21/3165 , H01L28/55 , H01L29/51 , H01L29/516
Abstract: 通过使氧化物电介质薄膜的形成气氛在低氧气浓度下进行,可以使形成温度为比以往低的温度。其结果是,具有在沿上下方向具有极化轴的晶面方位上优先定向的晶体结构,可防止与电极材料的反应,并能对晶粒的生长进行控制,因而可以制作出具有高自发极化强度和小矫顽电场的氧化物电介质元件。因此,可以实现对读出及写入进行检测的高集成度电介质元件以及采用该元件的半导体装置。
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公开(公告)号：CN111164713A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201880063712.4
申请日：2018-11-02
Applicant: 株式会社日立制作所
Abstract: 本发明的目的在于提供一种MgB2超导线材的制备方法，在机械研磨法中即使使用柔性的高纯度金属作为外层材料，也能使得前驱体粒子充分变形，获得热稳定性与临界电流特性都优异的MgB2超导线材。该制备方法的特征在于包括：前驱体粒子合成步骤，对镁粉末及硼粉末以不明确产生MgB2的强度进行冲击，生成在镁母材的内部分散有硼粒子的前驱体粒子，填充步骤，将所述前驱体粒子填充于金属管内；拉丝步骤，将填充有前驱体粒子的所述金属管加工成线材，热处理步骤，对所述线材进行热处理合成MgB2，其中，所述拉丝步骤的一部分包含模压加工。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1292931A
公开(公告)日：2001-04-25
申请号：CN98814030.6
申请日：1998-09-22
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L27/10
CPC classification number: H01L28/55 , H01L21/28291 , H01L27/11502 , H01L28/60
Abstract: 这里揭示了由上电极、铁电薄膜和下电极构成的铁电电容器和具有铁电电容器的电子器件,特征在于所述铁电薄膜为钙钛矿型的含Pb氧化物,而上电极和下电极含有Pt和Pb的金属间化合物。本发明是为解决下述问题而设计的。在常规非易失性铁电存储器中,在PZT与电极的界面附近产生退化层。在电极与铁电薄膜界面处产生应力。退化层和界面应力使铁电电容器的初始极化特性变坏,并且在多次开关循环后极化特性会严重退降。
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公开(公告)号：CN111164713B
公开(公告)日：2023-02-21
申请号：CN201880063712.4
申请日：2018-11-02
Applicant: 株式会社日立制作所
Abstract: 本发明的目的在于提供一种MgB2超导线材的制备方法，在机械研磨法中即使使用柔性的高纯度金属作为外层材料，也能使得前驱体粒子充分变形，获得热稳定性与临界电流特性都优异的MgB2超导线材。该制备方法的特征在于包括：前驱体粒子合成步骤，对镁粉末及硼粉末以不明确产生MgB2的强度进行冲击，生成在镁母材的内部分散有硼粒子的前驱体粒子，填充步骤，将所述前驱体粒子填充于金属管内；拉丝步骤，将填充有前驱体粒子的所述金属管加工成线材，热处理步骤，对所述线材进行热处理合成MgB2，其中，所述拉丝步骤的一部分包含模压加工。
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公开(公告)号：CN1276089A
公开(公告)日：2000-12-06
申请号：CN97182437.1
申请日：1997-11-10
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L21/3205 , H01L21/8242 , H01L27/10 , H01L27/108 , H01L27/115 , H01L29/94 , H01B3/12 , H01G4/10 , H01G4/12 , H01G4/20 , C03C10/02 , C04B35/47 , C04B35/475 , B32B18/00
Abstract: 本发明的目的在于通过采用包含绝缘粒子的铁电层,提供具有高Pr和低Ec并且耐电压性能优良的薄膜化的铁电元件。包含绝缘粒子的铁电层可以有效抑制沿晶界产生的漏泄电流,并由此表面出具有高Pr、低Ec及优良的耐电压。铁电元件的结构为铁电层以薄膜的形式夹于电极之间。通过将该铁电元件装进场效应晶体管结构中,可以得到用以检测读出和写入的具有高集成度的半导体装置。
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公开(公告)号：CN1165380A
公开(公告)日：1997-11-19
申请号：CN97109593.0
申请日：1997-03-13
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11C11/22
CPC classification number: H01L28/55 , H01L21/02197 , H01L21/02266 , H01L21/31691
Abstract: 提供一种铁电元件，通过使用的钙钛矿结构铁电薄膜，该元件高度集成，且Pr值高，Ec值低。为了制备铁电元件，其结构中夹在电极间的铁电薄膜具有强的自然极化作用和弱矫顽电场，通过用具有不同离子半径的元素作为构成晶格的A位置、B位置和产生极化作用的C位置的元素，使钙钛矿结构铁电薄膜的晶格产生大的畸变。
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