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公开(公告)号：CN1300756C
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN02132213.9
申请日：1996-08-02
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01J11/28 , G09G3/2018 , G09G3/292 , G09G3/293 , G09G3/2932 , G09G3/294 , G09G3/2948 , G09G3/296 , G09G3/2983 , G09G3/299 , G09G2310/0205 , G09G2310/0218 , G09G2310/0221 , G09G2310/0224 , G09G2330/021 , H01J11/12 , H01J11/44 , H01J2211/444
Abstract: 确保表面放电电极的奇偶行维持脉冲的相位相反，以一种电极驱动电路实现隔行扫描。当奇行或偶行显示时，未显示行电极间的电压为零，不必在表面放电电极上使用隔墙。将X电极设于Y电极的两侧，Y电极和一侧X电极分配奇数帧显示行，和另一侧X电极分配偶数帧显示行。表面放电电极间隔区构成盲行，盲行的放电光发射被阻挡或者说射入盲行的入射光被吸收。为每一单色像素提供地址电极并可选地与其上方的焊盘相连，以对行同时选择。
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公开(公告)号：CN1808544A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200510134144.7
申请日：1996-08-02
Applicant: 株式会社日立制作所
Abstract: 确保表面放电电极的奇偶行维持脉冲的相位相反，以一种电极驱动电路实现隔行扫描。当奇行或偶行显示时，未显示行电极间的电压为零，不必在表面放电电极上使用隔墙。将X电极设于Y电极的两侧，Y电极和一侧X电极分配奇数帧显示行，和另一侧X电极分配偶数帧显示行。表面放电电极间隔区构成盲行，盲行的放电光发射被阻挡或者说射入盲行的入射光被吸收。为每一单色像素提供地址电极并可选地与其上方的焊盘相连，以对行同时选择。
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公开(公告)号：CN1144294C
公开(公告)日：2004-03-31
申请号：CN99101611.4
申请日：1999-01-28
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立器件工程株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L27/02 , G11C11/34 , G11C16/00
CPC classification number: B82Y10/00 , G11C11/5621 , G11C11/5628 , G11C11/5635 , G11C11/5642 , G11C11/5671 , G11C16/0416 , G11C16/10 , G11C16/16 , G11C16/26 , G11C2216/08 , H01L21/28273 , H01L27/115 , H01L27/11519 , H01L27/11521 , H01L29/42324 , H01L29/66825 , H01L29/7883 , H01L29/7888 , H01L29/7889
Abstract: 表面面积小的存储器单元，分别选择每个存储器单元的局部数据线，连接于全局数据线，以时间复用方式执行读出和写入。存储器单元能够置于字线和数据线的所有交点处。借助于建立完全相同的模拟单元的标准阈值电压，获得了改善的噪声裕度。在写入过程中将写入数据暂时保存在存储器单元中的寄存器，被用作在写入验证过程中保存表示写入已经终止的标志的寄存器。由一个nMOS晶体管组成的电路被用作改变写入终止标志上的数值的装置。
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公开(公告)号：CN100361304C
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN03158004.1
申请日：1999-01-28
Applicant: 株式会社日立制作所 , 株式会社日立显示器件
IPC: H01L27/105 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L21/8247
CPC classification number: B82Y10/00 , G11C11/5621 , G11C11/5628 , G11C11/5635 , G11C11/5642 , G11C11/5671 , G11C16/0416 , G11C16/10 , G11C16/16 , G11C16/26 , G11C2216/08 , H01L21/28273 , H01L27/115 , H01L27/11519 , H01L27/11521 , H01L29/42324 , H01L29/66825 , H01L29/7883 , H01L29/7888 , H01L29/7889
Abstract: 表面面积小的存储器单元，分别选择每个存储器单元的局部数据线，连接于全局数据线，以时间复用方式执行读出和写入。存储器单元能够置于字线和数据线的所有交点处。借助于建立完全相同的模拟单元的标准阈值电压，获得了改善的噪声裕度。在写入过程中将写入数据暂时保存在存储器单元中的寄存器，被用作在写入验证过程中保存表示写入已经终止的标志的寄存器。由一个nMOS晶体管组成的电路被用作改变写入终止标志上的数值的装置。
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公开(公告)号：CN1204627C
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN02122083.2
申请日：1994-08-19
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L27/105 , H01L29/772
CPC classification number: B82Y10/00 , G11C11/22 , G11C11/404 , G11C16/02 , G11C16/0466 , G11C16/10 , G11C16/28 , G11C2216/06 , G11C2216/08 , H01L21/28273 , H01L21/8221 , H01L27/0688 , H01L27/105 , H01L27/115 , H01L27/11526 , H01L27/11546 , H01L27/11551 , H01L27/1203 , H01L29/42328 , H01L29/513 , H01L29/66825 , H01L29/7613 , H01L29/785 , H01L29/7888
Abstract: 一种场效应半导体元件，它是用少数元件实现的并具有较小的面积且能够在不需要进行低温冷却的情况下通过其存储数据，及利用其的数据处理设备。栅极—沟道电容被设定得如此地小，以致能根据该半导体场效应晶体管元件电流的改变明确而清楚地检测出捕获区是否俘获到了一个电子或空穴。通过检测该半导体元件的阈值电压由于在捕获区中捕获电子或空穴而产生的改变，就能在室温下实现数据存储。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1086842C
公开(公告)日：2002-06-26
申请号：CN97110215.5
申请日：1994-08-19
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L27/105 , H01L29/772
CPC classification number: B82Y10/00 , G11C11/22 , G11C11/404 , G11C16/02 , G11C16/0466 , G11C16/10 , G11C16/28 , G11C2216/06 , G11C2216/08 , H01L21/28273 , H01L21/8221 , H01L27/0688 , H01L27/105 , H01L27/115 , H01L27/11526 , H01L27/11546 , H01L27/11551 , H01L27/1203 , H01L29/42328 , H01L29/513 , H01L29/66825 , H01L29/7613 , H01L29/785 , H01L29/7888
Abstract: 一种场效应半导体元件，它是用少数元件实现的并具有较小的面积且能够在不需要进行低温冷却的情况下通过其存储数据，及利用其的数据处理设备。栅极-沟道电容被设定得如此地小，以致能根据该半导体场效应晶体管元件电流的改变明确而清楚地检测出捕获区是否俘获到了一个电子或空穴。通过检测该半导体元件的阈值电压由于在捕获区中捕获电子或空穴而产生的改变，就能在室温下实现数据存储。
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公开(公告)号：CN1173044A
公开(公告)日：1998-02-11
申请号：CN97110215.5
申请日：1994-08-19
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L27/105 , H01L29/772
CPC classification number: B82Y10/00 , G11C11/22 , G11C11/404 , G11C16/02 , G11C16/0466 , G11C16/10 , G11C16/28 , G11C2216/06 , G11C2216/08 , H01L21/28273 , H01L21/8221 , H01L27/0688 , H01L27/105 , H01L27/115 , H01L27/11526 , H01L27/11546 , H01L27/11551 , H01L27/1203 , H01L29/42328 , H01L29/513 , H01L29/66825 , H01L29/7613 , H01L29/785 , H01L29/7888
Abstract: 一种场效应半导体元件,它是用少数元件实现的并具有较小的面积且能够在不需要进行低温冷却的情况下通过其存储数据,及利用其的数据处理设备。栅极—沟道电容被设定得如此地小,以致能根据该半导体场效应晶体管元件电流的改变明确而清楚地检测出捕获区是否俘获到了一个电子或空穴。通过检测该半导体元件的阈值电压由于在捕获区中捕获电子或空穴而产生的改变,就能在室温下实现数据存储。
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公开(公告)号：CN102246195A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200880132321.X
申请日：2008-10-22
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G06Q50/00
Abstract: 本发明的管理信息可视化装置(管理行业经营者服务器30)具有：信息存储管理单元(信息管理部304)，在登录服务信息时，使与该服务信息相关的用户识别信息和服务内容识别信息与该服务信息相关联，来登录服务提供装置(服务行业经营者服务器20)发送的服务信息；信息输入输出单元(用户侧GUI提供部303)，从用户装置接收服务信息阅览请求，生成包含与服务内容识别信息对应的服务内容一览的管理信息(主画面)，然后发送至用户装置，在选择操作了在该用户装置上显示的服务内容一览中的一个时，对管理信息DB(300)进行检索，将相应的服务信息发送给用户装置。
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公开(公告)号：CN1317766C
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN02106437.7
申请日：2002-02-28
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L27/105
CPC classification number: H01L29/42332 , G11C16/0408 , H01L21/28273 , H01L27/115 , H01L29/7885
Abstract: 提供半导体存储元件和半导体装置。在要求高可靠性的半导体快速存储器中，由于必须通过将硅基板直接氧化了的氧化膜进行电子的进出，使用的电压从正到负成为大电压。与此不同，通过将电荷蓄积在多个分散的微小晶区，能实现高可靠性。以该高可靠性为背景，不仅通过可靠性高的、将硅基板直接作成热氧化膜获得的氧化膜、而且通过用CVD法淀积的氧化膜等，能使电子移动，信息写入时及信息删除时用同一极性的电位进行控制。
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公开(公告)号：CN1286138C
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN02132211.2
申请日：1996-08-02
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01J11/28 , G09G3/2018 , G09G3/292 , G09G3/293 , G09G3/2932 , G09G3/294 , G09G3/2948 , G09G3/296 , G09G3/2983 , G09G3/299 , G09G2310/0205 , G09G2310/0218 , G09G2310/0221 , G09G2310/0224 , G09G2330/021 , H01J11/12 , H01J11/44 , H01J2211/444
Abstract: 一种等离子体显示板，包括：第一和第二基片，在第一基片上沿着彼此形成的多个地址电极束，以及形成在第二基片上、与地址电极束交叉并间隔一定距离的扫描电极，地址电极束包括：在基片上沿着彼此形成的、对应于一个单色像素列的等于或大于2的地址电极；沿m个地址电极纵向放置的焊盘，焊盘对应于各自的单色像素，焊盘相对于基片位于m个地址电极之上；以及电接头，每一个沿m个地址电极的纵向以重复的方式将一个焊盘电连接到一个地址电极。驱动等离子体显示板的方法包括：同时选择面对与m个地址电极相连的m个焊盘的m个扫描电极；以及响应显示数据，同时将电压施加在m个地址电极上；从而以m个行为单位执行对扫描电极的扫描。
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