公开(公告)号：CN1317766C

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN02106437.7

申请日：2002-02-28

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 长部太郎 ,  石井智之

IPC: H01L27/105

CPC classification number: H01L29/42332 ,  G11C16/0408 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/115 ,  H01L29/7885

Abstract: 提供半导体存储元件和半导体装置。在要求高可靠性的半导体快速存储器中，由于必须通过将硅基板直接氧化了的氧化膜进行电子的进出，使用的电压从正到负成为大电压。与此不同，通过将电荷蓄积在多个分散的微小晶区，能实现高可靠性。以该高可靠性为背景，不仅通过可靠性高的、将硅基板直接作成热氧化膜获得的氧化膜、而且通过用CVD法淀积的氧化膜等，能使电子移动，信息写入时及信息删除时用同一极性的电位进行控制。

公开(公告)号：CN1407625A

公开(公告)日：2003-04-02

申请号：CN02106437.7

申请日：2002-02-28

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 长部太郎 ,  石井智之

IPC: H01L27/105

CPC classification number: H01L29/42332 ,  G11C16/0408 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/115 ,  H01L29/7885

Abstract: 提供半导体存储元件、半导体装置。在要求高可靠性的半导体快速存储器中，由于必须通过将硅基板直接氧化了的氧化膜进行电子的进出，使用的电压从正到负成为大电压。与此不同，通过将电荷蓄积在多个分散的区域，能实现高可靠性。以该高可靠性为背景，不仅通过可靠性高的、将硅基板直接作成热氧化膜获得的氧化膜、而且通过用CVD法淀积的氧化膜等，能使电子移动，信息写入时及信息删除时用同一极性的电位进行控制。