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公开(公告)号：CN100349301C
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN00137611.X
申请日：2000-12-08
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L29/045 , H01L29/0619 , H01L29/0634 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/4236 , H01L29/4238 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/732 , H01L29/7397 , H01L29/7722 , H01L29/7811 , H01L29/872
Abstract: 在具有第一端101(源端)和第二端102(漏端)的半导体器件中，半导体芯片的衬底主面在(110)面上，n型区2和p型区4在垂直于(110)面的{111}面，长条形的n型区2和长条形的p型区4相邻交替排列，形成电压保持区，所说的第一端101通过导线连接到所说的p型区，所说的第二端102连接到所说的n型区2。而且，形成所说p型区来覆盖栅多晶硅层8的底部拐角。
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公开(公告)号：CN102593167A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210001137.X
申请日：2012-01-04
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L25/07 , H02M1/00
CPC classification number: H01L29/7397 , H01L29/0661 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/402 , H01L29/4238 , H01L29/6634 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供了一种半导体装置，能够在保持低损失和高耐压的同时，提高栅极驱动电路对在导通开关时间段中的dv/dt的控制性。该半导体装置设置有：第1导电型的第1半导体层(4)；在其表面附近形成的第2导电型的第2半导体层(2)；与其电连接的第1主电极(11)，与第1半导体层(4)邻接且在与第2半导体层(2)相反侧的表面附近形成的第2导电型的第3半导体层(6)；在其上部上选择性地设置的第1导电型的第4半导体层(7)；与第3半导体层(6)以及第4半导体层(7)电连接的第2主电极(14)；其侧面与第4半导体层(7)和第3半导体层(6)接触且达到第1半导体层(4)的沟槽(17)；沿着该侧面通过多晶硅的边壁形成的栅极电极(9)；以及在沟槽(17)内离开栅极电极(9)而设置且与第2主电极(14)电连接的多晶硅电极(18)。
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公开(公告)号：CN1304180A
公开(公告)日：2001-07-18
申请号：CN00137611.X
申请日：2000-12-08
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L29/045 , H01L29/0619 , H01L29/0634 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/4236 , H01L29/4238 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/732 , H01L29/7397 , H01L29/7722 , H01L29/7811 , H01L29/872
Abstract: 在具有第一端101(源端)和第二端102(漏端)的半导体器件中,半导体芯片的衬底主面在(110)面上,n型区2和p型区4在垂直于(110)面的{111}面,长条形的n型区2和长条形的p型区4相邻交替排列,形成电压保持区,所说的第二端101通过导线连接到所说的p型区,所说的第二端102连接到所说的n型区2。而且,形成所说p型区来覆盖栅多晶硅层8的底部拐角。
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公开(公告)号：CN112787489B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202011217236.2
申请日：2020-11-04
Applicant: 株式会社日立制作所
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的驱动装置及驱动方法和电力变换装置，能够根据动作条件一边抑制dv/dt一边抑制开关损失。半导体装置的驱动装置(104)驱动电力变换装置中的构成支路的半导体装置(101、102)，具备向半导体装置的控制端子(G)输出控制电流的输出部(3)，输出部根据半导体装置的动作状态(T、I、V)，以使支路中的续流二极管(102)的反向恢复时的电压变化率的大小成为预定的恒定值的方式控制控制电流的大小。
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公开(公告)号：CN112787489A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202011217236.2
申请日：2020-11-04
Applicant: 株式会社日立制作所
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的驱动装置及驱动方法和电力变换装置，能够根据动作条件一边抑制dv/dt一边抑制开关损失。半导体装置的驱动装置(104)驱动电力变换装置中的构成支路的半导体装置(101、102)，具备向半导体装置的控制端子(G)输出控制电流的输出部(3)，输出部根据半导体装置的动作状态(T、I、V)，以使支路中的续流二极管(102)的反向恢复时的电压变化率的大小成为预定的恒定值的方式控制控制电流的大小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102714217B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201080060476.4
申请日：2010-01-04
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/739 , H01L27/04 , H01L29/78 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7397 , H01L27/0664 , H01L29/0619 , H01L29/0839 , H01L29/1095 , H01L29/402
Abstract: 本发明提供半导体装置及使用半导体装置的电力转换装置，具体而言，提供可抑制在短路时流动的过电流且低损失、低噪音(低电位变位、低电流振动)的、元件的耐破损量高的IGBT。一种隧道型的IGBT，具备配置成宽窄两种间隔的多个隧道栅极，在以窄间隔配置的所述隧道栅极彼此间具有带有第一导电型的沟道的MOS结构，在以宽间隔配置的所述隧道栅极彼此间具备通过隔着第二导电型的第三半导体层的一部而与所述隧道栅极分离的第一导电型的浮动半导体层。另外，该浮动半导体层隔着绝缘膜配置在对应于与发射电极同电位的第一导电体层的位置上并且平行地配置。根据以上结构，能够缓和所述隧道栅极的角部的电场集中而提高耐压，并且可实现低噪音、低损失。
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公开(公告)号：CN102714217A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201080060476.4
申请日：2010-01-04
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/739 , H01L27/04 , H01L29/78 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7397 , H01L27/0664 , H01L29/0619 , H01L29/0839 , H01L29/1095 , H01L29/402
Abstract: 本发明提供半导体装置及使用半导体装置的电力转换装置，具体而言，提供可抑制在短路时流动的过电流且低损失、低噪音(低电位变位、低电流振动)的、元件的耐破损量高的IGBT。一种隧道型的IGBT，具备配置成宽窄两种间隔的多个隧道栅极，在以窄间隔配置的所述隧道栅极彼此间具有带有第一导电型的沟道的MOS结构，在以宽间隔配置的所述隧道栅极彼此间具备通过隔着第二导电型的第三半导体层的一部而与所述隧道栅极分离的第一导电型的浮动半导体层。另外，该浮动半导体层隔着绝缘膜配置在对应于与发射电极同电位的第一导电体层的位置上并且平行地配置。根据以上结构，能够缓和所述隧道栅极的角部的电场集中而提高耐压，并且可实现低噪音、低损失。
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公开(公告)号：CN101345472B
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN200810136120.9
申请日：2008-07-09
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H02M1/08 , H02M7/537 , H02M7/5387
CPC classification number: H02M3/07 , H02M1/08 , H02M7/5387 , H02M2003/071
Abstract: 本发明提供一种电压驱动型半导体元件的驱动电路，能够解决半导体元件为了防止误点弧，在断开时栅极需要为负电位状态，驱动电路中需要负电压电源的课题。本发明中，在驱动半导体元件的驱动电路中，具备：第1开关，其与直流电源的正极侧连接；第2开关，其与第1开关的另一端子连接，并且与直流电源的负极侧连接；第3开关，其与直流电源的正极侧连接；第4开关，其与第3开关的另一端子连接；第5开关，其与第4开关的另一端子连接，并且与直流电源的负极侧连接；和电容器，其与第1开关的另一端子和第4开关的另一端子连接，半导体元件的栅极与第3开关的另一端子连接，半导体元件的源极与直流电源的负极侧连接。从而能够只采用正电压的电源对半导体元件的栅极施加负电压。
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公开(公告)号：CN101345472A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200810136120.9
申请日：2008-07-09
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H02M1/08 , H02M7/537 , H02M7/5387
CPC classification number: H02M3/07 , H02M1/08 , H02M7/5387 , H02M2003/071
Abstract: 本发明提供一种电压驱动型半导体元件的驱动电路，能够解决半导体元件为了防止误点弧，在断开时栅极需要为负电位状态，驱动电路中需要负电压电源的课题。本发明中，在驱动半导体元件的驱动电路中，具备：第1开关，其与直流电源的正极侧连接；第2开关，其与第1开关的另一端子连接，并且与直流电源的负极侧连接；第3开关，其与直流电源的正极侧连接；第4开关，其与第3开关的另一端子连接；第5开关，其与第4开关的另一端子连接，并且与直流电源的负极侧连接；和电容器，其与第1开关的另一端子和第4开关的另一端子连接，半导体元件的栅极与第3开关的另一端子连接，半导体元件的源极与直流电源的负极侧连接。从而能够只采用正电压的电源对半导体元件的栅极施加负电压。
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公开(公告)号：CN101140953A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200710152878.7
申请日：2000-12-08
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L29/045 , H01L29/0619 , H01L29/0634 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/4236 , H01L29/4238 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/732 , H01L29/7397 , H01L29/7722 , H01L29/7811 , H01L29/872
Abstract: 一种功率半导体器件，当在第一端和第二端之间加电压时，通过形成延伸穿过一部分半导体芯片的空间电荷区，在所说的第一端和第二端之间阻止电流流动：半导体芯片的衬底主面位于(110)面上，一对相对的侧边缘位于垂直于(110)面的{111}面上；形成有电压保持区，包括电连接到所说第二端的第一导电类型的第一区和电连接到所说第一端的第二导电类型的第二区；所说的第一导电类型的第一区和所说的第二导电类型的第二区之间的边界具有沿[110]轴方向延伸的形状；当在所说的第一端和所说的第二端之间的电流流动受阻时，在包括所说的第一导电类型的第一区和所说的第二导电类型的第二区的所说的电压保持区中，形成交替排列的正负空间电荷区。
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