公开(公告)号：CN1238564A

公开(公告)日：1999-12-15

申请号：CN99105631.0

申请日：1999-03-30

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 大柳孝纯 ,  网代优次 ,  渡边笃雄

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L29/6659 ,  H01L21/266 ,  H01L21/823493 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/66537

Abstract: 当在同一芯片上同时配置具有高耐压的元件和具有低耐压的MOS晶体管时，可通过控制低耐压场效应晶体管的阈值电压来防止穿通。在低耐压P－沟道MOS晶体管的源/漏区，在半导体层中，在与源区接触部分的最深点和与漏区接触部分的最深点之间的间距为等于或长于其栅电极的栅极长度。可以防止伴随穿通而来的特性恶化。

公开(公告)号：CN101140953A

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：CN200710152878.7

申请日：2000-12-08

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 坂本光造 ,  井上洋典 ,  宫内昭浩 ,  白石正树 ,  森睦宏 ,  渡边笃雄 ,  大柳孝纯

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/732 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7722 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/872

Abstract: 一种功率半导体器件，当在第一端和第二端之间加电压时，通过形成延伸穿过一部分半导体芯片的空间电荷区，在所说的第一端和第二端之间阻止电流流动：半导体芯片的衬底主面位于(110)面上，一对相对的侧边缘位于垂直于(110)面的{111}面上；形成有电压保持区，包括电连接到所说第二端的第一导电类型的第一区和电连接到所说第一端的第二导电类型的第二区；所说的第一导电类型的第一区和所说的第二导电类型的第二区之间的边界具有沿[110]轴方向延伸的形状；当在所说的第一端和所说的第二端之间的电流流动受阻时，在包括所说的第一导电类型的第一区和所说的第二导电类型的第二区的所说的电压保持区中，形成交替排列的正负空间电荷区。

公开(公告)号：CN100349301C

公开(公告)日：2007-11-14

申请号：CN00137611.X

申请日：2000-12-08

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 坂本光造 ,  井上洋典 ,  宫内昭浩 ,  白石正树 ,  森睦宏 ,  渡边笃雄 ,  大柳孝纯

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/732 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7722 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/872

Abstract: 在具有第一端101(源端)和第二端102(漏端)的半导体器件中，半导体芯片的衬底主面在(110)面上，n型区2和p型区4在垂直于(110)面的{111}面，长条形的n型区2和长条形的p型区4相邻交替排列，形成电压保持区，所说的第一端101通过导线连接到所说的p型区，所说的第二端102连接到所说的n型区2。而且，形成所说p型区来覆盖栅多晶硅层8的底部拐角。

公开(公告)号：CN1304180A

公开(公告)日：2001-07-18

申请号：CN00137611.X

申请日：2000-12-08

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 坂本光造 ,  井上洋典 ,  宫内昭浩 ,  白石正树 ,  森睦宏 ,  渡边笃雄 ,  大柳孝纯

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/732 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7722 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/872

Abstract: 在具有第一端101(源端)和第二端102(漏端)的半导体器件中,半导体芯片的衬底主面在(110)面上,n型区2和p型区4在垂直于(110)面的{111}面,长条形的n型区2和长条形的p型区4相邻交替排列,形成电压保持区,所说的第二端101通过导线连接到所说的p型区,所说的第二端102连接到所说的n型区2。而且,形成所说p型区来覆盖栅多晶硅层8的底部拐角。