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公开(公告)号：CN114902548A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202080090750.6
申请日：2020-12-01
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H02M7/5387 , H02M1/088 , H01L29/868 , H01L27/06 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/78 , H01L29/872 , H01L29/861
Abstract: 响应对栅极控制型二极管(203)的栅极电极(81)施加的电压，在半导体衬底内控制漂移区域(87)的载流子浓度。在反向恢复状态时，对栅极电极(81)与阳极电极(86)之间施加使栅极电极(81)的界面上产生电子层的零偏置或正偏置的电压信号。在正向恢复状态时，对栅极电极(81)与阳极电极(86)之间施加使栅极电极(81)的界面上产生空穴层的负偏置的电压信号。在正向恢复状态之后，从负偏置切换为施加零偏置或正偏置的电压信号。栅极控制型二极管(203)根据与其串联连接的IGBT的非导通期间，来对施加零偏置或正偏置的期间进行可变控制。
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公开(公告)号：CN113474981A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN201980092895.7
申请日：2019-12-05
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H02M1/08 , H02M7/5387 , H03K17/14 , H03K17/16 , H01L29/739 , H01L29/78
Abstract: 为了提供一种能够实现低损失的性能和相对于温度、通电条件稳定的dvCE/dt的开关的半导体器件，半导体器件包括具有第1栅极端子和第2栅极端子的双栅极IGBT，第1栅极端子在双栅极IGBT从非导通状态向导通状态转移时，比第2栅极端子提前第1规定时间地被施加阈值电压以上的电压，第2栅极端子在双栅极IGBT从导通状态向非导通状态转移时，比第1栅极端子提前第2规定时间地被施加小于阈值电压的电压，第1规定时间和第2规定时间被可变地控制，以使得从非导通状态向导通状态转移时和从导通状态向非导通状态转移时产生的双栅极IGBT的集电极发射极间电压的随时间的变化大致一定。
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公开(公告)号：CN102891172A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201210247689.9
申请日：2012-07-17
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/7397 , H01L29/0696 , H01L29/407 , H01L29/66348
Abstract: 本发明提供一种低损失、高耐压、输出电压的dV/dt的控制容易且容易制造的IGBT。其具备：第一导电型的第一半导体层；第一半导体层的表面上的第二导电型的第二半导体层；形成在第一半导体层的表面上的沟槽；第一半导体层的表面上的半导体凸部；形成在半导体凸部的表面上的第三半导体层；第三半导体层的表面上的第四半导体层；沿着沟槽的内壁设置的栅极绝缘层；沿着沟槽的内壁设置的第一层间绝缘层；隔着栅极绝缘层而与第四半导体层对置的第一导电层；第一眉间绝缘层的第二导电层；覆盖第二导电层的表面的第二层间绝缘层；形成在第三半导体层与第四半导体层的表面上且与所述第四半导体层电连接的第三导电层；将第三导电层和第三半导体层连接的触点部；形成在第二半导体层的表面上的第四导电层，半导体凸部的表面的一部分为第一半导体层。
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公开(公告)号：CN112787489B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202011217236.2
申请日：2020-11-04
Applicant: 株式会社日立制作所
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的驱动装置及驱动方法和电力变换装置，能够根据动作条件一边抑制dv/dt一边抑制开关损失。半导体装置的驱动装置(104)驱动电力变换装置中的构成支路的半导体装置(101、102)，具备向半导体装置的控制端子(G)输出控制电流的输出部(3)，输出部根据半导体装置的动作状态(T、I、V)，以使支路中的续流二极管(102)的反向恢复时的电压变化率的大小成为预定的恒定值的方式控制控制电流的大小。
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公开(公告)号：CN112787489A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202011217236.2
申请日：2020-11-04
Applicant: 株式会社日立制作所
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的驱动装置及驱动方法和电力变换装置，能够根据动作条件一边抑制dv/dt一边抑制开关损失。半导体装置的驱动装置(104)驱动电力变换装置中的构成支路的半导体装置(101、102)，具备向半导体装置的控制端子(G)输出控制电流的输出部(3)，输出部根据半导体装置的动作状态(T、I、V)，以使支路中的续流二极管(102)的反向恢复时的电压变化率的大小成为预定的恒定值的方式控制控制电流的大小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102714217B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201080060476.4
申请日：2010-01-04
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/739 , H01L27/04 , H01L29/78 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7397 , H01L27/0664 , H01L29/0619 , H01L29/0839 , H01L29/1095 , H01L29/402
Abstract: 本发明提供半导体装置及使用半导体装置的电力转换装置，具体而言，提供可抑制在短路时流动的过电流且低损失、低噪音(低电位变位、低电流振动)的、元件的耐破损量高的IGBT。一种隧道型的IGBT，具备配置成宽窄两种间隔的多个隧道栅极，在以窄间隔配置的所述隧道栅极彼此间具有带有第一导电型的沟道的MOS结构，在以宽间隔配置的所述隧道栅极彼此间具备通过隔着第二导电型的第三半导体层的一部而与所述隧道栅极分离的第一导电型的浮动半导体层。另外，该浮动半导体层隔着绝缘膜配置在对应于与发射电极同电位的第一导电体层的位置上并且平行地配置。根据以上结构，能够缓和所述隧道栅极的角部的电场集中而提高耐压，并且可实现低噪音、低损失。
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公开(公告)号：CN102714217A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201080060476.4
申请日：2010-01-04
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/739 , H01L27/04 , H01L29/78 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7397 , H01L27/0664 , H01L29/0619 , H01L29/0839 , H01L29/1095 , H01L29/402
Abstract: 本发明提供半导体装置及使用半导体装置的电力转换装置，具体而言，提供可抑制在短路时流动的过电流且低损失、低噪音(低电位变位、低电流振动)的、元件的耐破损量高的IGBT。一种隧道型的IGBT，具备配置成宽窄两种间隔的多个隧道栅极，在以窄间隔配置的所述隧道栅极彼此间具有带有第一导电型的沟道的MOS结构，在以宽间隔配置的所述隧道栅极彼此间具备通过隔着第二导电型的第三半导体层的一部而与所述隧道栅极分离的第一导电型的浮动半导体层。另外，该浮动半导体层隔着绝缘膜配置在对应于与发射电极同电位的第一导电体层的位置上并且平行地配置。根据以上结构，能够缓和所述隧道栅极的角部的电场集中而提高耐压，并且可实现低噪音、低损失。
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公开(公告)号：CN110710095A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201880037669.4
申请日：2018-03-05
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H02M7/48
Abstract: 本发明提供一种功率转换装置、电动机控制系统和功率转换装置的诊断方法，其精度良好地检测功率模块的温度异常。一种功率转换装置，其包括具有开关元件的功率用半导体模块，该功率转换装置还包括：栅极驱动电路，其驱动开关元件，发送开关元件的开关动作时产生的响应信号；控制部装置，其对栅极驱动电路输出用于开关的指令信号；温度检测部，其基于与指令信号对应的响应信号，计算开关元件的结温；和运算部，其根据由温度检测部计算出的结温和响应信号，判断功率用半导体模块的状态。
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公开(公告)号：CN110710095B
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201880037669.4
申请日：2018-03-05
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H02P29/68 , H02P27/08 , H02M1/32 , H02M1/08 , H02M7/5387
Abstract: 本发明提供一种功率转换装置、电动机控制系统和功率转换装置的诊断方法，其精度良好地检测功率模块的温度异常。一种功率转换装置，其包括具有开关元件的功率用半导体模块，该功率转换装置还包括：栅极驱动电路，其驱动开关元件，发送开关元件的开关动作时产生的响应信号；控制部装置，其对栅极驱动电路输出用于开关的指令信号；温度检测部，其基于与指令信号对应的响应信号，计算开关元件的结温；和运算部，其根据由温度检测部计算出的结温和响应信号，判断功率用半导体模块的状态。
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公开(公告)号：CN111971884A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201980025569.4
申请日：2019-03-11
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H02M1/08 , H03K17/08 , H03K17/0812
Abstract: 本发明的目的涉及在使用了SiC的电压驱动型的半导体元件的栅极驱动电路中抑制栅极‑源极间电压的变动。为此，本发明的栅极驱动电路是通过将P型MOSFET和N型MOSFET串联连接并将N型MOSFET与负侧电源直接连接而构成的，是位于P型MOSFET与N型MOSFET的中间的输出级在使用了SiC的电压驱动型的半导体元件处于关断状态时成为负偏压的结构。根据本发明，因为用过渡阻抗小的MOSFET构成输出级，所以能够抑制使用了SiC的电压驱动型的半导体元件的驱动时的栅极‑源极间电压的变动，在使用了SiC的电压驱动型的半导体元件关断中使栅极成为负偏压，所以能够防止误导通。从而能够提供适合SiC元件的驱动的高可靠性的栅极驱动电路。
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