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公开(公告)号：CN86101082B
公开(公告)日：1988-12-28
申请号：CN86101082
申请日：1986-02-06
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L29/515 , H01L29/42372
Abstract: 本发明涉及一种浸渍阴极，其特点是在浸渍阴极圆片表面至少有两层薄膜：下面是由如Ｏｓ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｒｅ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ等组成的高熔点金属薄膜；上层是含Ｓｃ2Ｏ3的高熔点金属层，并覆盖于下层之上。浸渍阴极圆片是用电子发射材料浸渍难熔多孔质基体而制成。本发明也涉及有此阴极的电子管。此阴极表面有长时期稳定的低逸出功单原子层。
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