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公开(公告)号:CN104584171A
公开(公告)日:2015-04-29
申请号:CN201380042828.7
申请日:2013-10-09
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01H33/88 , H01H33/74 , H01H33/78 , H01H33/91 , H01H2033/028
Abstract: 在绝缘容器(1)内设置以能够进行断开动作及闭合动作的方式对向配置的一对电弧触头(3、5),在一方的电弧触头(5)的外周上,在同轴上设置压气缸(7)。压气室(9)包括:压气缸(7)、固定活塞(6)及中空杆(8)。设置形成与压气室(9)连通的空间的绝缘喷嘴(4),在另一方的电弧触头(3)的外周上设置用于排出和冷却从在绝缘喷嘴(4)内产生的电弧排出的热气体的排气筒(2)。在排气筒(2)的终端部近前的内周面上设置用于暂时缩小流路面积的结构物(11)。
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公开(公告)号:CN1086502C
公开(公告)日:2002-06-19
申请号:CN98104069.1
申请日:1998-02-06
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01F27/367
Abstract: 一种涡流屏蔽装置,可减小由于绕组漏磁通在铁箱内壁上造成的涡流,抑制热的产生,并且提高运行效率。在包含变压器的铁箱3的内壁3a的侧面安排一个整形屏蔽件,它将在垂直方向围绕,以便包围三个绕组对1a,1b和1c,绕过磁心2的上部和下部,但并不和磁心2链接的垂直一圈屏蔽件14a,14b,和在绕组方向上,即在水平方向(在和绕组的漏磁通链接的方向)围绕的一圈屏蔽件15结合起来,将它们连接成一个屏蔽件,在它们的相交处,即一圈屏蔽件重叠的地方,电气上成为整体。
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公开(公告)号:CN1215912A
公开(公告)日:1999-05-05
申请号:CN98108077.4
申请日:1998-03-26
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32091 , H01J37/32082 , H01J37/32165 , H01J37/32623 , H01J37/3266 , H01J37/32678
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法,具有磁场形成装置,通过磁场来控制电子共振,以控制等离子体状态和腐蚀气体的离解状态,由此,即使对于大口径的晶片,也能够同时兼顾处理速度和细微加工性、选择比和均匀性。在真空处理室内的一对电极间施加20MHz至300MHz的高频功率,通过磁场形成装置而在电极间形成与电极表面平行的磁场。而且,通过在100高斯以下的范围中控制磁场强度,通过电极包层部中的电场和磁场的相互作用来控制电子回旋加速器共振、电子包层共振的生成。
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公开(公告)号:CN1155741A
公开(公告)日:1997-07-30
申请号:CN96122004.X
申请日:1996-10-22
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01F27/36
Abstract: 本发明的变压器能可靠地减小在沿着箱体周围的大范围路径上的涡流。如从绕组间隙5产生漏磁通6,则在屏蔽装置8上作用有由该漏磁通6产生的电动势,并在屏蔽装置8上沿其内周产生涡流7,该涡流7将产生与从绕组间隙5产生的漏磁通6方向相反的磁通,所以能可靠地抑制在箱体4的周壁41的内侧产生的涡流7′。因此,即使低压绕组2、高压绕组3的绕组和铁制箱体靠近,也能抑制箱体4的发热,而且能实现变压器的小型化。
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公开(公告)号:CN1208275A
公开(公告)日:1999-02-17
申请号:CN98116211.8
申请日:1998-08-06
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H02B13/035
Abstract: 本发明的目的在于提供一种紧凑的气体绝缘母线及备有该母线的气体绝缘开关装置,即使在所述母线中有相配置变换部也能够提高绝缘性能及运行的可靠性。本发明的气体绝缘母线备有施加三相交流高压的3条三相导体3,和封入三相导体3及绝缘性气体并被接地的容器1,并具有变换3条三相导体3的圆周方向的位置的相配置变换部;其中3条高压导体3之中距容器1的底部最近的1条导体31在变换部中的形状被形成为大致直线状,余下的2条导体32在变换部中的形状被形成为向半径方向的外侧的凸状。
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公开(公告)号:CN1190242A
公开(公告)日:1998-08-12
申请号:CN98104069.1
申请日:1998-02-06
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01F27/367
Abstract: 一种涡流屏蔽装置,可减小由于绕组漏磁通在铁箱内壁上造成的涡流,抑制热的产生,并且提高运行效率。在包含变压器的铁箱3的内壁3a的侧面安排一个整形屏蔽件,它将在垂直方向围绕,以便包围三个绕组对1a,1b和1c,绕过磁心2的上部和下部,但并不和磁心2链接的垂直一圈屏蔽件14a,14b,和在绕组方向上,即在水平方向(在和绕组的漏磁通链接的方向)围绕的一圈屏蔽件15结合起来,将它们连接成一个屏蔽件,在它们的相交处,即一圈屏蔽件重叠的地方,电气上成为整体。
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