公开(公告)号：CN1290197C

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN01822944.1

申请日：2001-10-31

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 山本直树 ,  木村绅一郎 ,  朴泽一幸 ,  内山博之 ,  铃木范夫 ,  西谷英辅

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L21/28194 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/84 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/518

Abstract: 在形成一种其中在一个多晶硅膜上层叠一个WNx膜和一个W膜的多金属结构的栅电极(7A)之后，当执行使栅绝缘膜(6)再生的氧化处理时，在使各栅电极(7A)的侧壁上的氧化钨(27)还原的条件下，使晶片(1)加热和冷却。结果，使晶片(1)的表面上淀积的氧化钨(27)的量减少。

公开(公告)号：CN1540761A

公开(公告)日：2004-10-27

申请号：CN200410045922.0

申请日：1994-11-18

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  德州仪器有限公司

Inventor： 只木芳隆 ,  村田纯 ,  关口敏宏 ,  青木英雄 ,  川北惠三 ,  内山博之 ,  西村美智夫 ,  田中道夫 ,  江崎佑治 ,  齐藤和彦 ,  汤原克夫 ,  赵成洙

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/10852 ,  H01L27/10817 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体存储器件，具有存储单元阵列部分和外围电路部分，存储单元阵列包括多个具有开关晶体管和信息存储元的存储单元，外围电路包括具有栅、源和漏的MISFET，还包括：形成在存储单元阵列的衬底主表面上、起开关晶体管的栅极作用的字线导体；形成在外围电路的衬底主表面上、起MISFET的栅极作用的栅导体；形成在各字线导体两侧的第一半导体区；形成在外围电路中的第二半导体区；形成在字线导体和栅导体之上具有露出第一半导体区的通孔的隔离膜；由多晶硅膜构成、形成在各通孔中却不延伸到隔离膜之上的位线连接元件；形成在隔离膜之上、由钨膜构成的位线导体，以及形成在外围电路中的隔离膜之上与MISFET的源和漏之一电连接，由钨膜构成的布线。

公开(公告)号：CN1158710C

公开(公告)日：2004-07-21

申请号：CN98119535.0

申请日：1994-11-18

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  德州仪器有限公司

Inventor： 只木芳隆 ,  村田纯 ,  关口敏宏 ,  青木英雄 ,  川北惠三 ,  内山博之 ,  西村美智夫 ,  田中道夫 ,  江崎佑治 ,  齐藤和彦 ,  汤原克夫 ,  赵成洙

IPC: H01L27/108

CPC classification number: H01L27/10852 ,  H01L27/10817 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体存储器件，包括半导体存储单元阵列和外围电路，各阵列包括多个具有开关晶体管和信息存储元的存储单元以及与开关晶体管的源区或漏区电连接的位线，上述外围电路包括与其中的半导体区电连接的布线，该半导体区的导电类型与上述源区和漏区的相反，在位线和与其相连的源区或漏区之间设有由导电类型与源区或漏区相同的掺杂硅构成的位线连接元件，以实现位线与源、漏区之间的电连接，上述布线由形成位线的同一金属钨层构成。

公开(公告)号：CN1139129C

公开(公告)日：2004-02-18

申请号：CN96123443.1

申请日：1996-11-14

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 轰原广见 ,  三浦英生 ,  铃树正恭 ,  西原晋治 ,  池田修二 ,  佐原政司 ,  石田进一 ,  阿部宏美 ,  荻岛淳史 ,  内山博之 ,  阿部园子

IPC: H01L27/108 ,  H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7845 ,  H01L23/485 ,  H01L23/5226 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件，具有硅基片、电布线用金属、开在形成于硅基片上的绝缘膜上并用于硅基片和电布线用金属连接的多个接触孔、形成于该接触孔内部的硅化钛膜，其特征是，硅化钛膜的膜厚为10nm-120nm，最好是20nm-84nm，通过该硅化钛膜连接半导体区域和电布线用金属。

公开(公告)号：CN100447980C

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200610135745.4

申请日：2001-10-31

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 山本直树 ,  木村绅一郎 ,  朴泽一幸 ,  内山博之 ,  铃木范夫 ,  西谷英辅

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L21/28194 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/84 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/518

Abstract: 在形成一种其中在一个多晶硅膜上层叠一个WNx膜和一个W膜的多金属结构的栅电极7A之后，当执行使栅绝缘膜6再生的氧化处理时，在使各栅电极7A的侧壁上的氧化钨27还原的条件下，使晶片1加热和冷却。结果，使晶片1的表面上淀积的氧化钨27的量减少。

公开(公告)号：CN1161573A

公开(公告)日：1997-10-08

申请号：CN96123443.1

申请日：1996-11-14

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 轰原广见 ,  三浦英生 ,  铃树正恭 ,  西原晋治 ,  池田修二 ,  佐原政司 ,  石田进一 ,  阿部宏美 ,  荻岛淳史 ,  内山博之 ,  阿部园子

IPC: H01L27/108 ,  H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7845 ,  H01L23/485 ,  H01L23/5226 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件，具有硅基片、电布线用金属、开在形成于硅基片上的绝缘膜上并用于硅基片和电布线用金属连接的多个接触孔、形成于该接触孔内部的硅化钛膜，其特征是，硅化钛膜的膜厚为10nm-120nm，最好是20nm-84nm，通过该硅化钛膜连接半导体区域和电布线用金属。

公开(公告)号：CN1112291A

公开(公告)日：1995-11-22

申请号：CN94118924.4

申请日：1994-11-18

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  德州仪器有限公司

Inventor： 只木芳隆 ,  村田纯 ,  关口敏宏 ,  青木英雄 ,  川北惠三 ,  内山博之 ,  西村美智夫 ,  田中道夫 ,  江崎佑治 ,  齐藤和彦 ,  汤原克夫 ,  赵成洙

IPC: H01L27/108

CPC classification number: H01L27/10852 ,  H01L27/10817 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体存储器件，具有衬底、字线和位线导体、以及位于字线和位线导体交点处的存储单元。相邻两单元构成一存储单元对单位结构，两相邻单元的晶体管的第一半导体区在其交界处结合成单一的区且经由位线连接件连接到一位线导体，晶体管的栅极分别连接到相邻的字线导体，晶体管的第二半导体区连接到各信息储存电容器。形成在一位线导体下的存储单元对单位结构串相对于形成在该位线导体两边的位线导体之下的存储单元对单位结构串进行位移。

公开(公告)号：CN1505840A

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：CN01822944.1

申请日：2001-10-31

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 山本直树 ,  木村绅一郎 ,  朴泽一幸 ,  内山博之 ,  铃木范夫 ,  西谷英辅

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L21/28194 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/84 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/518

Abstract: 在形成一种其中在一个多晶硅膜上层叠一个WNx膜和一个W膜的多金属结构的栅电极7A之后，当执行使栅绝缘膜6再生的氧化处理时，在使各栅电极7A的侧壁上的氧化钨27还原的条件下，使晶片1加热和冷却。结果，使晶片1的表面上淀积的氧化钨27的量减少。

公开(公告)号：CN1212467A

公开(公告)日：1999-03-31

申请号：CN98119535.0

申请日：1994-11-18

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  德州仪器有限公司

Inventor： 只木芳隆 ,  村田纯 ,  关口敏宏 ,  青木英雄 ,  川北惠三 ,  内山博之 ,  西村美智夫 ,  田中道夫 ,  江崎佑治 ,  齐藤和彦 ,  汤原克夫 ,  赵成洙

IPC: H01L27/108

CPC classification number: H01L27/10852 ,  H01L27/10817 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体存储器件,包括半导体存储单元阵列和外围电路,各阵列包括多个具有开关晶体管和信息存储元的存储单元以及与开关晶体管的源区或漏区电连接的位线,上述外围电路包括与其中的半导体区电连接的布线,该半导体区的导电类型与上述源区和漏区的相反,在位线和与其相连的源区或漏区之间设有由导电类型与源区或漏区相同的掺杂硅构成的位线连接元件,以实现位线与源、漏区之间的电连接,上述布线由形成位线的同一金属钨层构成。

公开(公告)号：CN1941324A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200610135745.4

申请日：2001-10-31

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 山本直树 ,  木村绅一郎 ,  朴泽一幸 ,  内山博之 ,  铃木范夫 ,  西谷英辅

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L21/28194 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/84 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/518

Abstract: 在形成一种其中在一个多晶硅膜上层叠一个WNx膜和一个W膜的多金属结构的栅电极7A之后，当执行使栅绝缘膜6再生的氧化处理时，在使各栅电极7A的侧壁上的氧化钨27还原的条件下，使晶片1加热和冷却。结果，使晶片1的表面上淀积的氧化钨27的量减少。