公开(公告)号：CN1256514A

公开(公告)日：2000-06-14

申请号：CN99126109.7

申请日：1999-12-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 石渡裕 ,  永田晃则 ,  清水敏夫 ,  平本裕行 ,  谷口安彦 ,  荒木浩二 ,  福吉宽 ,  小森田裕

IPC: H01L23/15 ,  H01B3/12

CPC classification number: H05K1/0256 ,  H01L23/34 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/562 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/181 ,  H05K1/0306 ,  H05K2201/09145 ,  Y10S428/901 ,  Y10T29/49121 ,  Y10T29/49124 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/49165 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099

Abstract: 一种绝缘衬底(1),包括:互相叠置的绝缘陶瓷层(2、3)、由与陶瓷层材料不同的材料构成并位于互相邻接的陶瓷层之间以将它们接合在一起的中间层(4)、与陶瓷层中的顶层的顶面接合的第一导电层(5);以及与陶瓷层中的底层的底面接合的第二导电层(6)。即使陶瓷层中的任何一个具有低于设计强度的强度并由于例如热应力而引发裂纹,其余的陶瓷层也能够确保绝缘衬底的规定击穿电压。

公开(公告)号：CN104465589A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410070605.8

申请日：2014-02-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 高山晋一 ,  荒木浩二 ,  刀祢馆达郎 ,  大谷和巳

IPC: H01L23/495

CPC classification number: H01L21/50 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/4951 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49582 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 根据一个实施方式，半导体装置具备引线框，该引线框具有芯片搭载部和引线部，该引线部与上述芯片搭载部分开且具有与上述芯片搭载部相同的厚度，上述芯片搭载部及上述引线部的上表面的高度相同。而且，上述装置具备在上述芯片搭载部的上表面搭载且与上述引线部电连接的半导体芯片。而且，上述装置具备一体地密封上述引线框及上述半导体芯片的模塑树脂。而且，上述装置具备覆盖上述芯片搭载部及上述引线部的背面的一部分的金属被膜。

公开(公告)号：CN1253377A

公开(公告)日：2000-05-17

申请号：CN99123411.1

申请日：1999-11-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 田中明 ,  山本敦史 ,  草野贵史 ,  西村隆宣 ,  荒木浩二 ,  福吉宽 ,  石渡裕 ,  奥富功

IPC: H01L23/34 ,  H01L23/12 ,  H01L21/00

CPC classification number: H05K3/0061 ,  H01L23/3735 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/341 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种能够防止温度循环造成的焊料疲劳损伤并能够提高可靠性的模块式半导体器件。此模块式半导体器件具有绝缘陶瓷层1、连接于绝缘陶瓷层一个表面的第一导电层2、连接于绝缘陶瓷层另一个表面的第二导电层3、连接在第一导电层上的半导体元件、以及通过焊料6a连接在第二导电层上的导热底座7a,且导热底座的厚度tb对焊料的厚度ts的比率tb/ts在6.7—80的范围内。

公开(公告)号：CN100359674C

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN99123411.1

申请日：1999-11-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 田中明 ,  山本敦史 ,  草野贵史 ,  西村隆宣 ,  荒木浩二 ,  福吉宽 ,  石渡裕 ,  奥富功

IPC: H01L23/34 ,  H01L23/12

CPC classification number: H05K3/0061 ,  H01L23/3735 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/341 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种能够防止温度循环造成的焊料疲劳损伤并能够提高可靠性的模块式半导体器件。此模块式半导体器件具有绝缘陶瓷层1、连接于绝缘陶瓷层一个表面的第一导电层2、连接于绝缘陶瓷层另一个表面的第二导电层3、连接在第一导电层上的半导体元件、以及通过焊料6a连接在第二导电层上的导热底座7a，且导热底座的厚度tb对焊料的厚度ts的比率tb/ts在6.7-80的范围内。

公开(公告)号：CN1143382C

公开(公告)日：2004-03-24

申请号：CN99126109.7

申请日：1999-12-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 石渡裕 ,  永田晃则 ,  清水敏夫 ,  平本裕行 ,  谷口安彦 ,  荒木浩二 ,  福吉宽 ,  小森田裕

IPC: H01L23/15 ,  H05K3/40 ,  H05K1/00

CPC classification number: H05K1/0256 ,  H01L23/34 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/562 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/181 ,  H05K1/0306 ,  H05K2201/09145 ,  Y10S428/901 ,  Y10T29/49121 ,  Y10T29/49124 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/49165 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099

Abstract: 一种绝缘衬底(1)，包括：互相叠置的绝缘陶瓷层(2、3)、由与陶瓷层材料不同的材料构成并位于互相邻接的陶瓷层之间以将它们接合在一起的中间层(4)、与陶瓷层中的顶层的顶面接合的第一导电层(5)；以及与陶瓷层中的底层的底面接合的第二导电层(6)。即使陶瓷层中的任何一个具有低于设计强度的强度并由于例如热应力而引发裂纹，其余的陶瓷层也能够确保绝缘衬底的规定击穿电压。