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公开(公告)号：CN1570771A
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：CN200410055265.8
申请日：2004-02-03
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B82Y10/00 , G03F7/2041 , G03F7/70325 , G03F7/70341 , G03F7/7035 , H01L21/0274 , Y10S438/942
Abstract: 提供一种曝光方法，实现了不会损伤光掩模和抗蚀剂层并对光源的波长没有限制的微细曝光。在使上层抗蚀剂13和具有铬膜22的光掩模20靠近来对上述上层抗蚀剂13进行曝光的曝光方法中，具有尺寸小于来自光源振荡的光的波长的开口部23的上述铬膜22通过纯水膜15与上述上层抗蚀剂13靠近，利用近场光K在与上述开口部23相对应的位置上对上述上层抗蚀剂13进行曝光。
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公开(公告)号：CN102916023A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210272818.X
申请日：2012-08-02
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1464
Abstract: 本发明涉及一种固态成像装置及其制造方法。根据一个实施例，一种固态成像装置包括基底和多个干涉滤光器。基底包括多个光电转换单元。单独地为所述多个光电转换单元设置多个干涉滤光器。多个干涉滤光器包括堆叠的具有不同折射率的多个层。将所述多个干涉滤光器配置为选择性地透射指定波长范围内的光。在相邻的干涉滤光器之间设置空隙部。
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公开(公告)号：CN1325997C
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200410055265.8
申请日：2004-02-03
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B82Y10/00 , G03F7/2041 , G03F7/70325 , G03F7/70341 , G03F7/7035 , H01L21/0274 , Y10S438/942
Abstract: 提供一种曝光方法，实现了不会损伤光掩模和抗蚀剂层并对光源的波长没有限制的微细曝光。在使上层抗蚀剂(13)和具有铬膜(22)的光掩模(20)靠近来对上述上层抗蚀剂(13)进行曝光的曝光方法中，具有尺寸小于来自光源振荡的光的波长的开口部(23)的上述铬膜(22)通过纯水膜(15)与上述上层抗蚀剂(13)靠近，利用近场光(K)在与上述开口部(23)相对应的位置上对上述上层抗蚀剂(13)进行曝光。
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公开(公告)号：CN1763983A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200510106305.1
申请日：2002-12-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/22 , H01L21/0271
Abstract: 本发明的发光元件在表面上形成纳米尺寸大小的凸凹结构，由此改善了发光效率特性。本发明发光元件表面的凸凹结构具有如下所示的形状，由整体形成的折射率呈平滑的变化。即(1)凸凹结构的平均直径比光波长小。(2)凸凹间距呈不规则变化。(3)由于折射率是平滑倾斜的，凸凹结构的高度和底面位置具有光波长以下平均值的大小。由此，可以使发光元件等实现较高的发光效率特性。
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公开(公告)号：CN100524861C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200710008395.X
申请日：2002-12-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/22 , H01L21/0271
Abstract: 本发明在发光元件等的表面上形成纳米尺寸大小的凸凹结构，由此改善了发光效率特性。本发明发光元件表面的凸凹结构具有如下所示的形状，由整体形成的折射率呈平滑的变化。即(1)凸凹结构的平均直径比光波长小。(2)凸凹间距呈不规则变化。(3)由于折射率是平滑倾斜的，凸凹结构的高度和底面位置具有光波长以下平均值的大小。由此，可以使发光元件等实现较高的发光效率特性。这种发光元件表面是通过以下方式形成的：采用一种树脂组合物在发光元件表面上形成薄膜，该树脂组合物含有嵌段共聚物或者接枝共聚物并且通过自组织形成微相分离结构，然后将在表面上形成的该薄膜的微相分离结构中的至少一个相选择性地除去，采用该剩余相作为腐蚀掩模对该发光元件的表面进行腐蚀。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100452117C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200480016269.3
申请日：2004-08-12
Applicant: 东芝松下显示技术有限公司 , 株式会社东芝
CPC classification number: H01L51/5268 , H01L27/3244 , H01L51/5262
Abstract: 提供有一种显示器(1)，包括：每一个都包括发光元件(40)、并且被排列成阵列形状的多个像素，包括面对发光元件(40)的后表面、以及作为光输出表面的前表面的光透射绝缘层(10)，被放置在绝缘层(10)的后侧、并且增强由发光元件(40)发出的光的方向性以使得光入射在绝缘层(10)上的聚光元件(30)，以及被放置在绝缘层(10)的前侧、使来自绝缘层(10)的光扩散并且将所述扩散光输出到外部环境的扩散元件(60)。
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公开(公告)号：CN1430290A
公开(公告)日：2003-07-16
申请号：CN02160828.8
申请日：2002-12-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/22 , H01L21/0271
Abstract: 本发明在发光元件等的表面上形成纳米尺寸大小的凸凹结构，由此改善了发光效率特性。本发明发光元件表面的凸凹结构具有如下所示的形状，由整体形成的折射率呈平滑的变化。即(1)凸凹结构的平均直径比光波长小。(2)凸凹间距呈不规则变化。(3)由于折射率是平滑倾斜的，凸凹结构的高度和底面位置具有光波长以下平均值的大小。由此，可以使发光元件等实现较高的发光效率特性。这种发光元件表面是通过以下方式形成的：采用一种树脂组合物在发光元件表面上形成薄膜，该树脂组合物含有嵌段共聚物或者接枝共聚物并且通过自组织形成微相分离结构，然后将在表面上形成的该薄膜的微相分离结构中的至少一个相选择性地除去，采用该剩余相作为腐蚀掩模对该发光元件的表面进行腐蚀。
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公开(公告)号：CN1841812B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200610058462.4
申请日：2006-03-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L51/5052 , H01L51/0037 , H01L51/5048
Abstract: 本发明提供一种有机电激发光元件，其包括阳极及阴极；配置于上述阳极与上述阴极之间的有机发光层；以及有机空穴传输层，该有机空穴传输层配置于上述阳极与上述有机发光层之间，且包含添加有半导体或导电体金属氧化物的高分子型有机空穴传输材料。
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公开(公告)号：CN1763983B
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：CN200510106305.1
申请日：2002-12-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/22 , H01L21/0271
Abstract: 本发明的发光元件在表面上形成纳米尺寸大小的凸凹结构，由此改善了发光效率特性。本发明发光元件表面的凸凹结构具有如下所示的形状，由整体形成的折射率呈平滑的变化。即(1)凸凹结构的平均直径比光波长小。(2)凸凹间距呈不规则变化。(3)由于折射率是平滑倾斜的，凸凹结构的高度和底面位置具有光波长以下平均值的大小。由此，可以使发光元件等实现较高的发光效率特性。
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公开(公告)号：CN100403555C
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN02160828.8
申请日：2002-12-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/22 , H01L21/0271
Abstract: 本发明在发光元件等的表面上形成纳米尺寸大小的凸凹结构，由此改善了发光效率特性。本发明发光元件表面的凸凹结构具有如下所示的形状，由整体形成的折射率呈平滑的变化。即(1)凸凹结构的平均直径比光波长小。(2)凸凹间距呈不规则变化。(3)由于折射率是平滑倾斜的，凸凹结构的高度和底面位置具有光波长以下平均值的大小。由此，可以使发光元件等实现较高的发光效率特性。这种发光元件表面是通过以下方式形成的：采用一种树脂组合物在发光元件表面上形成薄膜，该树脂组合物含有嵌段共聚物或者接枝共聚物并且通过自组织形成微相分离结构，然后将在表面上形成的该薄膜的微相分离结构中的至少一个相选择性地除去，采用该剩余相作为腐蚀掩模对该发光元件的表面进行腐蚀。
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