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公开(公告)号:CN1815766A
公开(公告)日:2006-08-09
申请号:CN200510121667.8
申请日:2005-12-05
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L24/97 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/01322 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种半导体发光器件,包括:具有电极图形的绝缘基板;设置于上述绝缘基板之上且具有贯通孔的金属体;设置于上述绝缘基板和上述金属体之间的粘接层;在上述贯通孔中,设置于上述绝缘基板之上的半导体发光元件;以及密封上述半导体发光元件的树脂;在上述贯通孔的内壁具有倾斜的斜面,从上述半导体发光元件中射出的光的至少一部分由上述斜面反射并从上述贯通孔射出。
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公开(公告)号:CN102000398B
公开(公告)日:2014-05-07
申请号:CN201010271493.4
申请日:2010-09-02
Applicant: 株式会社东芝
IPC: A61N5/10
CPC classification number: A61N5/1048 , A61N5/1043 , A61N2005/1056 , A61N2005/1087
Abstract: 根据本发明的粒子束辐射装置包括:束生成单元;束发射控制单元,其控制粒子束发射;束扫描指示单元,对于通过在粒子束轴线方向上划分将要辐射的患病区域所获得的切片中的每个,束扫描指示单元连续二维指示粒子束位置;束扫描单元,其基于来自束扫描指示单元的指示信号二维扫描粒子束;荧光体膜,其提供在束扫描单元和患者之间,并且以对应于透射经过其的粒子束的粒子剂量的量来发光;成像单元,其对于切片中的每个,对荧光体膜成像;以及显示单元,其从由成像单元所成像的图像数据中获得切片中的每个的辐射剂量分布,并且显示所获得的与粒子束扫描位置相关的辐射剂量分布。
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公开(公告)号:CN102000398A
公开(公告)日:2011-04-06
申请号:CN201010271493.4
申请日:2010-09-02
Applicant: 株式会社东芝
IPC: A61N5/10
CPC classification number: A61N5/1048 , A61N5/1043 , A61N2005/1056 , A61N2005/1087
Abstract: 根据本发明的粒子束辐射装置包括:束生成单元;束发射控制单元,其控制粒子束发射;束扫描指示单元,对于通过在粒子束轴线方向上划分将要辐射的患病区域所获得的切片中的每个,束扫描指示单元连续二维指示粒子束位置;束扫描单元,其基于来自束扫描指示单元的指示信号二维扫描粒子束;荧光体膜,其提供在束扫描单元和患者之间,并且以对应于透射经过其的粒子束的粒子剂量的量来发光;成像单元,其对于切片中的每个,对荧光体膜成像;以及显示单元,其从由成像单元所成像的图像数据中获得切片中的每个的辐射剂量分布,并且显示所获得的与粒子束扫描位置相关的辐射剂量分布。
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