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公开(公告)号：CN1780935A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200480011366.3
申请日：2004-07-08
Applicant: 柯尼卡美能达控股株式会社
CPC classification number: C23C16/45595 , C23C16/08 , C23C16/18 , C23C16/505 , C23C16/56 , Y10T428/31504
Abstract: 一种薄膜形成方法，其特征在于，包括：第一工序，在大气压下或接近大气压下，将放电气体提供到产生高频电场A的第一放电空间并进行激励，将上述已激励的放电气体的能量传送给薄膜形成气体，进行激励，将基材暴露于上述已激励的薄膜形成气体，由此在上述基材上形成薄膜；第二工序，将含有氧化性气体的气体提供到产生高频电场B的第二放电空间并进行激励，将在上述第一工序中形成的上述薄膜暴露于含有上述已激励的氧化性气体的气体中。
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公开(公告)号：CN103025518B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201180036153.6
申请日：2011-07-07
Applicant: 柯尼卡美能达控股株式会社
IPC: B32B9/00
CPC classification number: C09D1/00 , B05D5/00 , C08J7/045 , C08J7/123 , C08J2323/06 , C08J2483/16 , Y10T428/24355 , Y10T428/24942 , Y10T428/2495 , Y10T428/24975 , Y10T428/24992
Abstract: 本发明提供高阻隔性能、耐弯曲性、平滑性优异以及切断加工适应性优异的气体阻隔性膜及使用了其的有机光电转换元件。该气体阻隔性膜的特征在于，在基材(2)的至少一方的面侧具有气体阻隔层单元(5)，该气体阻隔层单元(5)具有用化学蒸镀法形成的第1阻隔层(3)和对在该第1阻隔层上涂布硅化合物而形成的涂膜实施了改性处理的第2阻隔层(4)，该第2阻隔层(4)在上述基材面侧具有非改性区域(4B)、在表层侧具有改性区域(4A)。
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公开(公告)号：CN1780935B
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200480011366.3
申请日：2004-07-08
Applicant: 柯尼卡美能达控股株式会社
CPC classification number: C23C16/45595 , C23C16/08 , C23C16/18 , C23C16/505 , C23C16/56 , Y10T428/31504
Abstract: 一种薄膜形成方法，其特征在于，包括：第一工序，在大气压下或接近大气压下，将放电气体提供到产生高频电场A的第一放电空间并进行激励，将上述已激励的放电气体的能量传送给薄膜形成气体，进行激励，将基材暴露于上述已激励的薄膜形成气体，由此在上述基材上形成薄膜；第二工序，将含有氧化性气体的气体提供到产生高频电场B的第二放电空间并进行激励，将在上述第一工序中形成的上述薄膜暴露于含有上述已激励的氧化性气体的气体中。
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公开(公告)号：CN103025518A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201180036153.6
申请日：2011-07-07
Applicant: 柯尼卡美能达控股株式会社
IPC: B32B9/00
CPC classification number: C09D1/00 , B05D5/00 , C08J7/045 , C08J7/123 , C08J2323/06 , C08J2483/16 , Y10T428/24355 , Y10T428/24942 , Y10T428/2495 , Y10T428/24975 , Y10T428/24992
Abstract: 本发明提供高阻隔性能、耐弯曲性、平滑性优异以及切断加工适应性优异的气体阻隔性膜及使用了其的有机光电转换元件。该气体阻隔性膜的特征在于，在基材(2)的至少一方的面侧具有气体阻隔层单元(5)，该气体阻隔层单元(5)具有用化学蒸镀法形成的第1阻隔层(3)和对在该第1阻隔层上涂布硅化合物而形成的涂膜实施了改性处理的第2阻隔层(4)，该第2阻隔层(4)在上述基材面侧具有非改性区域(4B)、在表层侧具有改性区域(4A)。
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