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公开(公告)号：CN1340867A
公开(公告)日：2002-03-20
申请号：CN01137079.3
申请日：2001-08-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , H01F10/3268 , H01F10/3272 , H01F41/302 , H01L27/228 , H01L43/12 , Y10T428/1107 , Y10T428/1121 , Y10T428/1129 , Y10T428/1143 , Y10T428/1193
Abstract: 本发明提供包括中间层和夹持该中间层的一对磁性层,磁性层中的自由磁性层或者固定磁性层是至少由1层非磁性体层,夹持上述非磁性体层的磁性体层构成的多层膜,而且作为垂直于膜面流过的电流通过的上述中间层的面积所规定的元件面积是1000μm2以下的磁阻元件。
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公开(公告)号：CN1211873C
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：CN01137236.2
申请日：2001-09-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L43/10 , B82Y25/00 , G01R33/093 , H01F10/324
Abstract: 本发明提供一种通过在基底与光晶石型磁性体之间夹一层氮化钛使磁阻效应显著提高的磁阻元件，本发明的磁阻元件具有基底和在上述基底上形成的多层膜，上述多层膜从上述基底侧开始包含第一磁层，形成在上述第一磁层上的非磁性层和形成在上述非磁性层上的第二磁性层，使根据上述第一磁性层的磁化方向与上述第二磁性层的磁化方向的相对角度的变化的、用于检测电阻变化的电流沿垂直于上述多层膜的膜面的方向流动；上述第一磁性层具有光晶石型结晶结构，上述多层膜还包括夹于上述基底与上述第一磁性层之间的氮化钛层。
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公开(公告)号：CN1348221A
公开(公告)日：2002-05-08
申请号：CN01136117.4
申请日：2001-10-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/222 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/098 , G11B5/3909 , G11B5/3932 , G11B2005/3996 , G11C11/16 , H01L27/22
Abstract: 一种磁阻元件,包括一垂直电流型磁阻元件;用于使一电流流入该垂直电流型磁阻元件的第一导体;和用于使该电流流出该垂直电流型磁阻元件的第二导体,其中该第一导体根据该电流生成第一磁场,该第二导体根据该电流生成第二磁场,该第一导体和第二导体被定位以使第一磁场和第二磁场起到施加在该垂直电流型磁阻元件上的一偏磁场的作用。
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公开(公告)号：CN1331407A
公开(公告)日：2002-01-16
申请号：CN01124832.7
申请日：2001-06-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G01D15/12
CPC classification number: G11B5/66 , G11B5/82 , G11B2005/0002 , G11B2005/001 , Y10S428/90 , Y10T428/115 , Y10T428/12465
Abstract: 本发明提供热波动受到抑制的新的磁记录媒体,以及采用该磁记录媒体的磁记录装置。通过以磁性离子交换方式使M2Oy为主成份的膜与记录信号的磁性膜结合,由此,使磁性膜的有效V与Ku增加,抑制热波动。在这里,M表示是从Fe,Co,Ni,碱土类元素,Y,镧系元素和Bi中选择出的至少1种元素,而且从Fe,Co和Ni中选择出的至少1种是作为必须的元素,y为满足2.8
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公开(公告)号：CN1267378C
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN02143445.X
申请日：2002-09-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C04B35/49 , C04B35/622 , H01B3/12 , H01L41/187 , H01P7/10
CPC classification number: C04B35/49 , C04B35/6262 , C04B2235/3206 , C04B2235/3249 , C04B2235/3251 , C04B2235/3262 , C04B2235/3275 , C04B2235/3284 , C04B2235/604 , C04B2235/786 , C04B2235/94 , C04B2235/96 , H01P7/10
Abstract: 一种介电陶瓷(1)，由选自Zr、Ti和Mn的至少一种元素、选自Mg、Zn和Co的至少一种元素以及选自Nb和Ta的至少一种元素的复合氧化物的烧结物构成，且平均晶体粒径在10～70μm的范围。从而提供一种在微波波段较低频率区域，即0.4～2.4GHz中，无负荷(Qu)值与介电常数(εr)也高、可以实现预期的共振频率温度系数(τf)且机械强度高的介电陶瓷和介电器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1223998C
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN01137453.5
申请日：2001-11-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B5/3916 , G11B2005/3996 , H01F10/324 , H01F10/3268 , H01F10/3272 , H01F10/3295
Abstract: 一种磁致电阻元件，包括磁性衬底；磁性层；和位于磁性衬底和磁性层之间的非磁性层。
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公开(公告)号：CN1203561C
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN01137152.8
申请日：2001-09-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12 , Y10T29/49034 , Y10T428/1107
Abstract: 本发明的目的是改善磁阻元件的耐热性和磁场移位量。本发明提供了磁阻元件，其中固定磁性层是由至少一层非磁性体层和夹持该非磁性体层的磁性体层形成的多层膜，上述磁性体层通过上述非磁性体层相互静磁结合。该元件具有改善的耐热性。本发明还提供了固定磁性层是上述多层膜并进行静磁结合或者反强磁性结合以发生负的磁结合的磁阻元件。该元件降低了磁场移位量。本发明提供了夹持中间层的磁性层的至少一方是包括以(100)(110)或者(111)面作为取向面的氧化物铁氧体，并在该取向面内导入外部磁场的磁组件。该元件显示出高的磁阻变化率。
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公开(公告)号：CN1353414A
公开(公告)日：2002-06-12
申请号：CN01137453.5
申请日：2001-11-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B5/3916 , G11B2005/3996 , H01F10/324 , H01F10/3268 , H01F10/3272 , H01F10/3295
Abstract: 一种磁致电阻元件,包括磁性衬底;磁性层;和位于磁性衬底和磁性层之间的非磁性层。
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公开(公告)号：CN1343016A
公开(公告)日：2002-04-03
申请号：CN01137152.8
申请日：2001-09-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12 , Y10T29/49034 , Y10T428/1107
Abstract: 本发明的目的是改善磁阻元件的耐热性和磁场移位量。本发明提供了磁阻元件,其中固定磁性层是由至少一层非磁性体层和夹持该非磁性体层的磁性体层形成的多层膜,上述磁性体层通过上述非磁性体层相互静磁结合。该元件具有改善的耐热性。本发明还提供了固定磁性层是上述多层膜并进行静磁结合或者反强磁性结合以发生负的磁结合的磁阻元件。该元件降低了磁场移位量。本发明提供了夹持中间层的磁性层的至少一方是包括以(100)(110)或者(111)面作为取向面的氧化物铁氧体,并在该取向面内导入外部磁场的磁组件。该元件显示出高的磁阻变化率。
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公开(公告)号：CN1229880C
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN01137079.3
申请日：2001-08-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , H01F10/3268 , H01F10/3272 , H01F41/302 , H01L27/228 , H01L43/12 , Y10T428/1107 , Y10T428/1121 , Y10T428/1129 , Y10T428/1143 , Y10T428/1193
Abstract: 本发明提供包括中间层和夹持该中间层的一对磁性层，磁性层中的自由磁性层或者固定磁性层是至少由1层非磁性体层，夹持上述非磁性体层的磁性体层构成的多层膜，而且作为垂直于膜面流过的电流通过的上述中间层的面积所规定的元件面积是1000μm2以下的磁阻元件。
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