公开(公告)号：CN100370361C

公开(公告)日：2008-02-20

申请号：CN03146494.7

申请日：2003-07-11

Applicant: 株式会社瑞萨科技 ,  松下电器产业株式会社 ,  EKC科技株式会社

Inventor： 菅野至 ,  浅冈保宏 ,  东雅彦 ,  日高义晴 ,  岸尾悦郎 ,  青山哲男 ,  铃木智子 ,  平贺敏隆 ,  永井俊彦

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02063 ,  C11D7/08 ,  C11D7/263 ,  C11D7/3263 ,  C11D7/34 ,  C11D7/5009 ,  C11D7/5013 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/423 ,  G03F7/425 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31133

Abstract: 本发明的用于除去抗蚀剂的洗净液，含有氢氟酸和不含金属的碱的盐(A成分)、水溶性有机溶剂(B1成分)、由有机酸及无机酸构成群中选择出的1种以上的酸(C成分)及水(D成分)，而且氢离子浓度pH是4～8。在上述成分中还可以添加铵盐。由此，在铜布线工艺等的半导体器件的制造方法中，除去腐蚀后或者灰化后的抗蚀剂残余物(6)及其他的腐蚀残余物(8)时，提高了抗蚀剂残余物等的除去性、铜及绝缘膜的耐腐蚀性。

公开(公告)号：CN1495534A

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN03146494.7

申请日：2003-07-11

Applicant: 株式会社瑞萨科技 ,  松下电器产业株式会社 ,  EKC科技株式会社

Inventor： 菅野至 ,  浅冈保宏 ,  东雅彦 ,  日高义晴 ,  岸尾悦郎 ,  青山哲男 ,  铃木智子 ,  平贺敏隆 ,  永井俊彦

IPC: G03F7/32 ,  G03F7/42 ,  H01L21/027 ,  H01L21/308

CPC classification number: H01L21/02063 ,  C11D7/08 ,  C11D7/263 ,  C11D7/3263 ,  C11D7/34 ,  C11D7/5009 ,  C11D7/5013 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/423 ,  G03F7/425 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31133

Abstract: 本发明的用于除去抗蚀剂的洗净液，含有氢氟酸和不含金属的碱的盐(A成分)、水溶性有机溶剂(B1成分)、由有机酸及无机酸构成群中选择出的1种以上的酸(C成分)及水(D成分)，而且氢离子浓度pH是4～8。在上述成分中还可以添加铵盐。由此，在铜布线工艺等的半导体器件的制造方法中，除去腐蚀后或者灰化后的抗蚀剂残余物(6)及其他的腐蚀残余物(8)时，提高了抗蚀剂残余物等的除去性、铜及绝缘膜的耐腐蚀性。

公开(公告)号：CN103503054A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201280021113.9

申请日：2012-11-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 东宽史 ,  日高义晴 ,  细野信人

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1343 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14 ,  H05B33/22

CPC classification number: H01L33/0041 ,  H01L23/53238 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3262 ,  H01L2924/0002 ,  H05B33/10 ,  H01L2924/00

Abstract: EL显示装置设置有：在一对的电极之间配置有发光层的发光部；和控制发光部的发光的薄膜晶体管阵列装置。另外，在发光部与薄膜晶体管阵列装置之间配置层间绝缘膜，并且发光部的一方的电极通过层间绝缘膜的接触孔而与薄膜晶体管阵列装置电连接。薄膜晶体管阵列装置具有由铜或铜合金构成的布线构件，该布线构件设置有：由铜或铜合金构成的下层图案(41)；和以覆盖该下层图案(41)的上面及端面的方式形成并且由与下层图案(41)不同种类的金属材料构成的上层图案(42)。

公开(公告)号：CN1256757C

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：CN200410002287.8

申请日：2004-01-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 日高义晴 ,  池之内胜行

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02008 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/76224 ,  H01L23/544 ,  H01L2223/54493 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体衬底、其制造方法以及半导体器件的制造方法。其目的在于：抑制CMP后的衬底表面的段差。在端部拥有缺口的半导体衬底上，缺口的两肩部的形状都为圆弧状，同时，两肩部的曲率的差在0mm以上且0.1mm以下。

公开(公告)号：CN1518068A

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN200410002287.8

申请日：2004-01-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 日高义晴 ,  池之内胜行

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02008 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/76224 ,  H01L23/544 ,  H01L2223/54493 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体衬底、其制造方法以及半导体器件的制造方法。其目的在于：抑制CMP后的衬底表面的段差。在端部拥有缺口的半导体衬底上，缺口的两肩部的形状都为圆弧状，同时，两肩部的曲率的差在0mm以上且0.1mm以下。