公开(公告)号：CN100370361C

公开(公告)日：2008-02-20

申请号：CN03146494.7

申请日：2003-07-11

Applicant: 株式会社瑞萨科技 ,  松下电器产业株式会社 ,  EKC科技株式会社

Inventor： 菅野至 ,  浅冈保宏 ,  东雅彦 ,  日高义晴 ,  岸尾悦郎 ,  青山哲男 ,  铃木智子 ,  平贺敏隆 ,  永井俊彦

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02063 ,  C11D7/08 ,  C11D7/263 ,  C11D7/3263 ,  C11D7/34 ,  C11D7/5009 ,  C11D7/5013 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/423 ,  G03F7/425 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31133

Abstract: 本发明的用于除去抗蚀剂的洗净液，含有氢氟酸和不含金属的碱的盐(A成分)、水溶性有机溶剂(B1成分)、由有机酸及无机酸构成群中选择出的1种以上的酸(C成分)及水(D成分)，而且氢离子浓度pH是4～8。在上述成分中还可以添加铵盐。由此，在铜布线工艺等的半导体器件的制造方法中，除去腐蚀后或者灰化后的抗蚀剂残余物(6)及其他的腐蚀残余物(8)时，提高了抗蚀剂残余物等的除去性、铜及绝缘膜的耐腐蚀性。

公开(公告)号：CN1495534A

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN03146494.7

申请日：2003-07-11

Applicant: 株式会社瑞萨科技 ,  松下电器产业株式会社 ,  EKC科技株式会社

Inventor： 菅野至 ,  浅冈保宏 ,  东雅彦 ,  日高义晴 ,  岸尾悦郎 ,  青山哲男 ,  铃木智子 ,  平贺敏隆 ,  永井俊彦

IPC: G03F7/32 ,  G03F7/42 ,  H01L21/027 ,  H01L21/308

CPC classification number: H01L21/02063 ,  C11D7/08 ,  C11D7/263 ,  C11D7/3263 ,  C11D7/34 ,  C11D7/5009 ,  C11D7/5013 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/423 ,  G03F7/425 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31133

Abstract: 本发明的用于除去抗蚀剂的洗净液，含有氢氟酸和不含金属的碱的盐(A成分)、水溶性有机溶剂(B1成分)、由有机酸及无机酸构成群中选择出的1种以上的酸(C成分)及水(D成分)，而且氢离子浓度pH是4～8。在上述成分中还可以添加铵盐。由此，在铜布线工艺等的半导体器件的制造方法中，除去腐蚀后或者灰化后的抗蚀剂残余物(6)及其他的腐蚀残余物(8)时，提高了抗蚀剂残余物等的除去性、铜及绝缘膜的耐腐蚀性。