公开(公告)号：CN1256757C

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：CN200410002287.8

申请日：2004-01-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 日高义晴 ,  池之内胜行

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02008 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/76224 ,  H01L23/544 ,  H01L2223/54493 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体衬底、其制造方法以及半导体器件的制造方法。其目的在于：抑制CMP后的衬底表面的段差。在端部拥有缺口的半导体衬底上，缺口的两肩部的形状都为圆弧状，同时，两肩部的曲率的差在0mm以上且0.1mm以下。

公开(公告)号：CN1518068A

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN200410002287.8

申请日：2004-01-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 日高义晴 ,  池之内胜行

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02008 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/76224 ,  H01L23/544 ,  H01L2223/54493 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体衬底、其制造方法以及半导体器件的制造方法。其目的在于：抑制CMP后的衬底表面的段差。在端部拥有缺口的半导体衬底上，缺口的两肩部的形状都为圆弧状，同时，两肩部的曲率的差在0mm以上且0.1mm以下。