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公开(公告)号：CN103503124B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201180070586.3
申请日：2011-06-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/02 , H05B33/10
CPC classification number: H01L51/52 , H01L27/1292 , H01L27/3248 , H01L27/3274 , H01L51/0512 , H01L51/0558 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管元件及其制造方法、有机EL显示元件及其制造方法、以及有机EL显示装置。在TFT基板中，在基板（1011）上形成栅电极（1012a、1012b），其上被绝缘层（1013）覆盖。在绝缘层（1013）上以在Y轴方向上相互隔开间隔的状态形成有源电极（1014a、1014b）、漏电极（1014c、1014d）、连接布线（1015）。连接布线（1015）与漏电极（1012a）连接。在绝缘层（1013）上形成开有开口部（1016a～1016c）的隔壁（1016）以使得电极（1014a～1014d、1015）的各一部分露出。隔壁（1016）的面对开口部（1016b、1016c）的侧面部为斜面，侧面部（1016e、1016f）以与其他侧面部（1016d、1016g、1016h～1016k）相比缓和的倾斜形成。
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公开(公告)号：CN103370775B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201280008787.5
申请日：2012-09-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/336 , G02F1/1368 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/50
CPC classification number: H01L27/3258 , H01L27/1225 , H01L27/1292 , H01L27/283 , H01L27/3262 , H01L51/0005 , H01L51/0558
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管器件及其制造方法、有机EL显示元件和有机EL显示装置。在通过隔壁的围绕构成的第1开口部和第2开口部内分别形成有薄膜晶体管元件。在此，在俯视第1开口部的底部的情况下，其底部的亲液层的表面积的中心位置与该底部的面积的中心位置相比向与第2开口部相邻的一侧的相反侧远离，另外，在俯视第2开口部的底部的情况下，其底部的亲液层的表面积的中心位置与该底部的面积的中心位置相比向与第1开口部相邻的一侧的相反侧远离。
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公开(公告)号：CN103370776B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201280008788.X
申请日：2012-09-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/08 , H05B33/10
CPC classification number: H01L51/5253 , H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L27/1292 , H01L51/0004 , H01L51/0545 , H01L51/0558 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管元件及其制造方法、有机EL显示元件、以及有机EL显示装置。薄膜晶体管元件形成在通过隔壁的围绕而构成的第1开口部内。源电极、漏电极层叠形成在栅电极的上方，在与叠层方向交叉的方向上相互隔开间隔而排列设置。绝缘层插置在栅电极与源电极及漏电极之间。在第1开口部的底部，半导体层形成在源电极与漏电极之间的间隙以及源电极和漏电极之上，与源电极和漏电极紧密接触。在第1开口部底部的绝缘层上，亲液层与源电极、漏电极分别地形成，具有比绝缘层高的亲液性，在俯视第1开口部的底部的情况下，其表面积的中心位置从第1开口部底部的面积的中心位置向一方侧远离。
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公开(公告)号：CN103380490B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201280009476.0
申请日：2012-09-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/336 , G09F9/00 , G09F9/30 , H01L27/32 , H01L29/786 , H01L51/50
CPC classification number: H01L29/78693 , H01L27/1225 , H01L27/1292 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L27/3274 , H01L29/66742 , H01L51/0545 , H01L51/105 , H01L51/52
Abstract: 在通过隔壁的围绕而构成的第1开口部和第2开口部内，分别形成有薄膜晶体管元件。在隔壁，在以隔开间隔的状态与第1开口部相邻的一侧、且与所述第2开口部相邻的一侧的不同侧，设置有第3开口部，在此，在俯视第1开口部的底部的情况下，在所述第1开口部内露出的源电极和漏电极的表面积之和的中心位置，与第1开口部底部的面积的中心位置相比，向与第3开口部相邻的一侧的不同侧远离，在俯视第1开口部的底部和第2开口部的底部的情况下，对于第1开口部和第2开口部的一方，在其底部露出的源电极和漏电极的表面积之和的中心位置，与所述一方的开口部底部的面积的中心位置相比，向与另一方的开口部相邻的一侧的不同侧远离。
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公开(公告)号：CN103650150A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201380002146.3
申请日：2013-06-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L51/05 , H01L51/40 , H01L51/50 , H05B33/08
CPC classification number: H01L51/0529 , H01L27/3262 , H01L27/3274 , H01L29/786 , H01L51/0004 , H01L51/0037 , H01L51/004 , H01L51/0533 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L2251/5315
Abstract: 本发明的薄膜晶体管具有：位于基板（1）的上方的栅电极（2a、2b）；与栅电极（2a、2b）对向的栅极绝缘层（3）；隔壁（6），其对内部包含栅极绝缘层（3）的表面的开口部（6a、6b）进行区划，拨液性比栅极绝缘层（3）高；半导体层（8a、8b），其隔着栅极绝缘层（3）与栅电极（2a、2b）对向，通过涂敷法形成在开口部（6a、6b）的内部；与半导体层（8a、8b）电连接的源电极（4a、4b）及漏电极（5a、5b）；和中间层（7a、7b），其由与隔壁（6）的材料相同的材料构成，位于栅极绝缘层（3）和半导体层（8a、8b）之间，中间层离散地存在于所述栅极绝缘层的上方。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103384911A
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201280009472.2
申请日：2012-09-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/336 , G02F1/1368 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/50
CPC classification number: H01L27/32 , G02F1/1368 , H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L27/1292 , H01L27/283 , H01L27/3274 , H01L29/66765 , H01L51/0003 , H01L51/0545 , H01L51/105 , H01L2227/323 , H01L2251/5315
Abstract: 在通过隔壁的围绕而构成的第1开口部和第2开口部内，分别形成有薄膜晶体管元件。在隔壁，在以隔开间隔的状态与第1开口部相邻的一侧、且与第2开口部相邻的一侧的不同侧，设置有第3开口部，在此，在俯视第1开口部的底部的情况下，所述第1开口部内的亲液层的表面积的中心位置，与底部的面积的中心位置相比向与第3开口部相邻的一侧的不同侧远离，另外，在俯视第1开口部的底部和第2开口部的底部的情况下，对于第1开口部和第2开口部的一方，其底部的亲液层的表面积的中心位置与所述一方的开口部底部的面积的中心位置相比向与另一方的开口部相邻的一侧的不同侧远离。
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公开(公告)号：CN103503153B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201180070581.0
申请日：2011-06-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L51/50 , H05B33/02 , H05B33/10
CPC classification number: H01L27/3274 , H01L27/1292 , H01L27/3248 , H01L51/0508 , H01L51/0558
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管元件及其制造方法、有机EL显示元件和有机EL显示装置。在TFT基板中，在基板（1011）上形成栅电极（1012a、1012b），其上被绝缘层（1013）覆盖。在绝缘层（1013）上，以在Y轴方向上互相隔开的状态形成有源电极（1014a、1014b）、漏电极（1014c、1014d）以及连接布线（1015）。连接布线（1015）与漏电极（1012c）连接。在绝缘层（1013）上形成有规定开口部（1016a～1016c）的隔壁（1016），以使得电极（1014a～1014d、1015）的各一部分露出。在开口部（1016）的内部，源电极（1014a）和漏电极（1014c）的表面积之和的X轴方向的中心（L3）与开口部（1016b）的底部的中心（L1）相比向X轴方向右侧离开距离x1。拨液性按隔壁（1016）、绝缘层（1013）、电极（1014a、1014c）的顺序由高变低。
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公开(公告)号：CN103503153A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201180070581.0
申请日：2011-06-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L51/50 , H05B33/02 , H05B33/10
CPC classification number: H01L27/3274 , H01L27/1292 , H01L27/3248 , H01L51/0508 , H01L51/0558
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管元件及其制造方法、有机EL显示元件和有机EL显示装置。在TFT基板中，在基板（1011）上形成栅电极（1012a、1012b），其上被绝缘层（1013）覆盖。在绝缘层（1013）上，以在Y轴方向上互相隔开的状态形成有源电极（1014a、1014b）、漏电极（1014c、1014d）以及连接布线（1015）。连接布线（1015）与漏电极（1012c）连接。在绝缘层（1013）上形成有规定开口部（1016a～1016c）的隔壁（1016），以使得电极（1014a～1014d、1015）的各一部分露出。在开口部（1016）的内部，源电极（1014a）和漏电极（1014c）的表面积之和的X轴方向的中心（L3）与开口部（1016b）的底部的中心（L1）相比向X轴方向右侧离开距离x1。拨液性按隔壁（1016）、绝缘层（1013）、电极（1014a、1014c）的顺序由高变低。
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公开(公告)号：CN103380490A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201280009476.0
申请日：2012-09-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/336 , G09F9/00 , G09F9/30 , H01L27/32 , H01L29/786 , H01L51/50
CPC classification number: H01L29/78693 , H01L27/1225 , H01L27/1292 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L27/3274 , H01L29/66742 , H01L51/0545 , H01L51/105 , H01L51/52
Abstract: 在通过隔壁的围绕而构成的第1开口部和第2开口部内，分别形成有薄膜晶体管元件。在隔壁，在以隔开间隔的状态与第1开口部相邻的一侧、且与所述第2开口部相邻的一侧的不同侧，设置有第3开口部，在此，在俯视第1开口部的底部的情况下，在所述第1开口部内露出的源电极和漏电极的表面积之和的中心位置，与第1开口部底部的面积的中心位置相比，向与第3开口部相邻的一侧的不同侧远离，在俯视第1开口部的底部和第2开口部的底部的情况下，对于第1开口部和第2开口部的一方，在其底部露出的源电极和漏电极的表面积之和的中心位置，与所述一方的开口部底部的面积的中心位置相比，向与另一方的开口部相邻的一侧的不同侧远离。
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公开(公告)号：CN102656671A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201080020803.3
申请日：2010-12-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66742 , H01L29/7869 , H01L51/0541 , H01L51/102
Abstract: 一种半导体晶体管的制造方法，包括：第1工序，在包括基板的基底层上形成含有抗蚀剂材料的抗蚀剂层(4)；第2工序，对抗蚀剂层(4)进行局部图案形成，在抗蚀剂层(4)形成多个开口；第3工序，在抗蚀剂层(4)上及抗蚀剂层(4)的多个开口的内部形成含有构成源电极及漏电极的金属材料的金属层(5)；第4工序，对由于金属层(5)的表面部分被氧化而形成的金属氧化物层(6)，使用清洗液进行清洗处理由此将其除去；第5工序，在第4工序之后，使用与所述清洗液不同的溶解液除去抗蚀剂层(4)，由此形成由在抗蚀剂层(4)的多个开口形成的金属层构成的源电极(7)及漏电极(8)；和第6工序，覆盖源电极(7)及漏电极(8)地形成半导体层(9)。
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