一种具有亚波长结构蓝光探测芯片的制备方法

    公开(公告)号:CN114899256A

    公开(公告)日:2022-08-12

    申请号:CN202210430900.4

    申请日:2022-04-22

    Applicant: 暨南大学

    Inventor: 高丹 张军

    Abstract: 本发明公开了一种具有亚波长结构蓝光探测芯片的制备方法,该方法包括选取二氧化硅片,对二氧化硅片依次进行超声清洗处理和烘干处理;基于真空环境下,对二氧化硅片进行蒸镀处理,生成铝金属层;在铝金属层上表面沉积硅外延层,并通过光刻工艺与离子注入法对硅外延层进行处理,生成不同掺杂的硅外延层和二氧化硅圆柱阵列;通过光刻工艺与镀膜工艺制备金微纳结构阵列,制备具有亚波长结构蓝光探测芯片。本发明的制作方法集成度高,可批量生产,并且该制作方法所得的蓝光探测芯片具有较高的量子效率和波长选择性。本发明作为一种具有亚波长结构蓝光探测芯片的制备方法,可广泛应用于光电技术领域。

    活细胞仿生角膜前板层及其制备方法

    公开(公告)号:CN114259601A

    公开(公告)日:2022-04-01

    申请号:CN202111613457.6

    申请日:2021-12-27

    Applicant: 暨南大学

    Abstract: 本发明公开了一种活细胞仿生角膜前板层及其制备方法,包括如下步骤:A1、混合角膜基质细胞和胶原蛋白,制备具有有序胶原蛋白的仿生角膜基质层;A2、在仿生角膜基质层表面上布置细胞外基质蛋白;A3、打印上皮细胞球,培养获得活细胞仿生角膜前板层。本发明的制备方法能通过仿生平台和3D生物打印技术联合构建含有生物材料的活细胞仿生角膜前板层,该制备方法简单、方便、高效,制备得到的活细胞仿生角膜前板层其结构和生理功能与天然角膜相近,生物相容性和修复效果良好,能有效修复损伤角膜组织,有望用于构建天然角膜替代物,以治疗角膜盲等病症。

    一种透射式无透镜三维显微重构方法及系统

    公开(公告)号:CN111612884A

    公开(公告)日:2020-09-01

    申请号:CN202010275949.8

    申请日:2020-04-09

    Applicant: 暨南大学

    Abstract: 一种透射式无透镜三维显微重构方法及系统,涉及无透镜显微领域,其中,所述方法包括:获取不同采集位置所对应的图像样本并计算所述图像样本的样本振幅;对获取的所有图像样本进行图像对齐;基于图像对齐后的所有图像样本计算物平面预测光场;使用所有图像样本的样本振幅的计算结果将物平面预测光场迭代恢复至物平面实际光场。解决了如何通过无透镜系统对透明样本进行光场的三维重构的问题。

    一种可见光通信的超薄高效三色PIN光电二极管阵列及其制备方法

    公开(公告)号:CN111129050A

    公开(公告)日:2020-05-08

    申请号:CN201911228375.2

    申请日:2019-12-04

    Applicant: 暨南大学

    Inventor: 张军 高丹

    Abstract: 本发明公开了一种可见光通信的超薄高效三色PIN光电二极管阵列及其制备方法,所述可见光通信的超薄高效三色PIN光电二极管阵列包括芯片和集成在芯片中SiO2层上的3×3红绿蓝三色PIN光电二极管阵列,所述红绿蓝三色PIN光电二极管阵列y轴方向依次按照绿光光电二极管、红光光电二极管、蓝光光电二极管排列,x轴方向为单色光电二极管。本发明所述的可见光通信的超薄高效三色PIN光电二极管阵列通过将三种颜色的光电二极管集成在同一芯片上,同时三色PIN光电二极管的厚度一致且很薄,本发明的结构增强了器件的集成度,减小了器件体积;提高了器件的响应带宽及量子效率。

    一种增强蓝光型硅基雪崩光电二极管阵列及其制备方法

    公开(公告)号:CN109742093A

    公开(公告)日:2019-05-10

    申请号:CN201811549953.8

    申请日:2018-12-18

    Applicant: 暨南大学

    Inventor: 高丹 张军

    Abstract: 本发明公开了一种增强蓝光型硅基雪崩光电二极管阵列,所述雪崩光电二极管为SACM型APD,包括衬底以及设于衬底底部的阳极,所述衬底上表面设有凹槽,所述凹槽中自下而上依次包括:阴极、非耗尽层、倍增层和场控层,且阴极、非耗尽层、倍增层以及场控层与所述衬底之间绝缘;所述场控层上覆有吸收层,且所述吸收层与所述衬底相接;所述吸收层表面覆有规则排列的亚波长结构层;所述衬底为p+型硅片;所述非耗尽层为n+型高掺杂浓度和高缺陷的多晶硅;所述倍增层为π型的硅外延层;所述场控层为p型的硅外延层;所述吸收层为π型硅外延层。与现有技术比较,本发明提供了一种可以提高蓝光量子效率和灵敏度,并具有高增益的硅基APD。

    一种可见光短波段硅基雪崩光电二极管阵列及其制备方法

    公开(公告)号:CN109638024A

    公开(公告)日:2019-04-16

    申请号:CN201811549954.2

    申请日:2018-12-18

    Applicant: 暨南大学

    Inventor: 高丹 张军

    Abstract: 本发明公开了一种可见光短波段硅基雪崩光电二极管阵列,包括吸收层,所述吸收层下部两侧分别连接有衬底层和场控层,所述场控层下部依次包括:倍增层和非耗尽层,且所述场控层、倍增层和非耗尽层依次连接;所述衬底层分别与所述场控层、倍增层和非耗尽层之间绝缘,且所述衬底层连接有第一电极,所述非耗尽层连接有第二电极。本发明通过将吸收层设计在器件的表层,从而使入射的可见光短波段在表层刚入射时就被充分吸收,提高了器件的响应度和量子效率;同时APD的阴极和阳极均位于器件的底部,增加了光敏面积,从而提高器件的量子效率,及对可见光的灵敏度;并且对器件进行阵列化分割,提高器件的截止频率及增益。

    一种基于移动终端的便携式矢量磁场传感装置及其检测方法

    公开(公告)号:CN109597003A

    公开(公告)日:2019-04-09

    申请号:CN201811600763.4

    申请日:2018-12-26

    Applicant: 暨南大学

    Abstract: 本发明涉及磁场传感器技术领域,具体公开了一种基于移动终端的便携式矢量磁场传感装置,包括传感单元、移动终端装置以及可与移动终端装置连接的附件装置;所述传感单元用于感应外界矢量磁场的变化,包括侧边抛磨光纤和围绕在侧抛光纤周围的磁流体;所述移动终端装置包括用于向传感单元发射光信号的LED,用于捕捉所述传感单元输出的光信号的摄像头,以及用于处理摄像头捕捉到的图像的处理装置。本发明通过设置传感单元感知外界待测磁场的变化,通过移动终端装置发射和接收传给所述传感单元的光信号,设置附件装置将传感单元与所述移动终端装置连接起来,这种装置实现了矢量磁场的精准检测,同时具有体积小、方便携带以及成本低的优势。

    一种二硫化钼增敏的表面等离子体共振传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN109596574A

    公开(公告)日:2019-04-09

    申请号:CN201811602005.6

    申请日:2018-12-26

    Applicant: 暨南大学

    Abstract: 本发明涉及表面等离子体领域,公开了一种二硫化钼增敏的表面等离子体共振(SPR)传感器及其制备方法,所述表面等离子体共振传感器包括侧边抛磨光纤或棱镜、光源以及用于获取光纤或棱镜透射光谱的光谱仪。在侧抛光纤的抛磨区或棱镜表面上镀有贵金属膜,从而激发SPR效应,使得在透射光谱中形成共振吸收谷,而共振吸收谷的位置又受到外界折射率的调制,构成折射率传感器。本发明通过结合二硫化钼和SPR效应,将二硫化钼纳米片沉积在金属膜表面,制备出二硫化钼纳米片增敏的表面等离子体共振传感器,此传感器在折射率范围为1.333~1.360RIU内,可获得高达2793.5nm/RIU的折射率灵敏度,与未修饰二硫化钼的SPR传感器相比,灵敏度提高了30.67%。

    一种基于侧抛光纤表面等离子体共振的矢量磁场传感器及其制备与检测方法

    公开(公告)号:CN109541502A

    公开(公告)日:2019-03-29

    申请号:CN201811600803.5

    申请日:2018-12-26

    Applicant: 暨南大学

    Abstract: 本发明涉及光纤磁场传感器技术领域,具体公开了一种基于侧抛光纤表面等离子体共振的矢量磁场传感器及其制备与检测方法,所述矢量磁场传感器包括侧边抛磨光纤、镀制在抛磨区上的金属薄膜、磁流体、光源以及用于检测透射光谱的光谱仪,所述抛磨光纤是通过光纤抛磨掉部分包层和纤芯制作而成;所述抛磨光纤上设有玻璃毛细管以及光学紫外胶,所述磁流体通过玻璃毛细管以及光学紫外胶密封包裹在抛磨光纤周围。本发明利用表面等离子体共振(SPR)效应,在透射光谱中形成一个共振波谷(透射光强度最低值),在不同磁场强度或磁场方向下,磁流体在金属膜上方的折射率不同,导致SPR共振波谷位置的不同,通过记录共振光谱的漂移情况,即可标定传感器对磁场方向和强度的传感特性。

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