-
公开(公告)号：CN109597003A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201811600763.4
申请日：2018-12-26
Applicant: 暨南大学
IPC: G01R33/032
Abstract: 本发明涉及磁场传感器技术领域，具体公开了一种基于移动终端的便携式矢量磁场传感装置，包括传感单元、移动终端装置以及可与移动终端装置连接的附件装置；所述传感单元用于感应外界矢量磁场的变化，包括侧边抛磨光纤和围绕在侧抛光纤周围的磁流体；所述移动终端装置包括用于向传感单元发射光信号的LED，用于捕捉所述传感单元输出的光信号的摄像头，以及用于处理摄像头捕捉到的图像的处理装置。本发明通过设置传感单元感知外界待测磁场的变化，通过移动终端装置发射和接收传给所述传感单元的光信号，设置附件装置将传感单元与所述移动终端装置连接起来，这种装置实现了矢量磁场的精准检测，同时具有体积小、方便携带以及成本低的优势。
-
公开(公告)号：CN109596574A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201811602005.6
申请日：2018-12-26
Applicant: 暨南大学
IPC: G01N21/552 , G01N21/41
Abstract: 本发明涉及表面等离子体领域，公开了一种二硫化钼增敏的表面等离子体共振(SPR)传感器及其制备方法，所述表面等离子体共振传感器包括侧边抛磨光纤或棱镜、光源以及用于获取光纤或棱镜透射光谱的光谱仪。在侧抛光纤的抛磨区或棱镜表面上镀有贵金属膜，从而激发SPR效应，使得在透射光谱中形成共振吸收谷，而共振吸收谷的位置又受到外界折射率的调制，构成折射率传感器。本发明通过结合二硫化钼和SPR效应，将二硫化钼纳米片沉积在金属膜表面，制备出二硫化钼纳米片增敏的表面等离子体共振传感器，此传感器在折射率范围为1.333～1.360RIU内，可获得高达2793.5nm/RIU的折射率灵敏度，与未修饰二硫化钼的SPR传感器相比，灵敏度提高了30.67％。
-
公开(公告)号：CN209992393U
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201822201782.1
申请日：2018-12-26
Applicant: 暨南大学
IPC: G01N21/552 , G01N21/41
Abstract: 本实用新型涉及表面等离子体技术领域，具体公开了一种二硫化钼增敏的表面等离子体共振传感器，包括侧边抛磨光纤或棱镜、光源以及用于获取光纤或棱镜透射光谱的光谱仪。在侧边抛磨光纤的抛磨区或棱镜表面上镀有贵金属膜，从而激发SPR效应，使得在透射光谱中形成共振吸收谷，而共振吸收谷的位置又受到外界折射率的调制，构成折射率传感器。本实用新型通过结合二硫化钼和SPR效应，将二硫化钼纳米片沉积在金属膜表面，制备出二硫化钼纳米片增敏的表面等离子体共振传感器，此传感器在折射率范围为1.333～1.360RIU内，可获得高达2793.5nm/RIU的折射率灵敏度，与未修饰二硫化钼的SPR传感器相比，灵敏度提高了30.67％。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
公开(公告)号：CN209707669U
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201822200591.3
申请日：2018-12-26
Applicant: 暨南大学
IPC: G01R33/032
Abstract: 本实用新型涉及磁场传感器技术领域，具体公开了一种基于移动终端的便携式矢量磁场传感装置，包括传感单元、移动终端装置以及可与移动终端装置连接的附件装置；所述传感单元用于感应外界矢量磁场的变化，包括侧边抛磨光纤和围绕在侧抛光纤周围的磁流体；所述移动终端装置包括用于向传感单元发射光信号的LED，用于捕捉所述传感单元输出的光信号的摄像头，以及用于处理摄像头捕捉到的图像的处理装置。本实用新型通过设置传感单元感知外界待测磁场的变化，通过移动终端装置发射和接收传给所述传感单元的光信号，设置附件装置将传感单元与所述移动终端装置连接起来，这种装置实现了矢量磁场的精准检测，同时具有体积小、方便携带以及成本低的优势。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.01 seconds)
