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公开(公告)号：CN1294561C
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200410007300.9
申请日：2004-02-27
Abstract: 本申请公开了一种磁记录介质和磁记录/再现设备。其中形成一个多层(4)，其包括磁记录层(2)和高磁致形变层(3)，后者具有大于磁记录层(10)的磁致形变常数。
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公开(公告)号：CN1282163C
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN200410007277.3
申请日：2004-02-27
CPC classification number: G11B5/732 , G11B5/667 , G11B5/7325
Abstract: 磁记录介质和包含该磁记录介质的磁记录/再现装置，其中磁记录介质包含具有粒状结构的取向控制层(3)，该取向控制层在衬底(1)和磁记录层(4)之间形成并包含基底材料和分散在基底材料上的颗粒并且具有小于颗粒粒径的厚度。
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公开(公告)号：CN1270294C
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN03154627.7
申请日：2003-07-11
Abstract: 一种磁记录介质包括非磁性基片，在这个基片上有至少一层软磁性下膜、一层控制直接在其上的膜定向的定向控制膜、一层具有基本上垂直于基片的易磁化轴的垂直磁记录膜，和一层保护膜，其中定向控制膜具有形成C11b结构的材料组成。该磁记录介质采用一种方法生产，该生产方法包括按顺序实施以下步骤：至少一个在非磁性基片上形成软磁性下膜的步骤、形成控制直接在其上的膜定向的定向控制膜的步骤、形成具有基本上与基片垂直的易磁化轴的垂直磁记录膜的步骤，和形成保护膜的步骤。一种磁记录和再现设备包括磁记录介质和在磁记录介质上记录和再现信息的磁头，其中磁头是磁单极头。
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公开(公告)号：CN1538390A
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN200410031899.X
申请日：2004-03-31
IPC: G11B5/62
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/656
Abstract: 本文公开了垂直磁记录介质和磁记录/再现装置。一种垂直磁记录介质(10)，在垂直磁记录层(4)之下形成了一个内涂层(3)，它具有若干晶体颗粒和一种含有碳化物或硼化物的颗粒边界材料，在上述内涂层(3)之下形成了另一个内涂层(2)，它含有形成晶体颗粒的元素之一。通过进一步缩小垂直磁记录层(4)的颗粒尺寸，它能够进行高密度记录。
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公开(公告)号：CN1505006A
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：CN200310118358.6
申请日：2003-11-25
IPC: G11B5/66
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/656 , G11B5/84
Abstract: 本发明涉及垂直磁记录介质、其制造方法以及磁记录－再现装置，其中的垂直磁记录介质(10)包括在280－450℃下用磁层形成材料形成的垂直磁层(2)，所述磁层形成材料包含至少一种从包括钴、铂、铬、钼和钨的组中选择的添加成分，垂直磁层(2)构造为包括相互之间被晶粒边界分离开的多个磁晶粒，并且提供在晶粒边界中偏析所述添加成分的垂直磁层(2)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100414610C
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200580009137.2
申请日：2005-03-24
CPC classification number: G11B5/66 , B82Y25/00 , G11B5/667 , H01F10/08 , H01F10/3222
Abstract: 本发明的磁记录介质具有基底、垂直磁记录层、以及在所述基底与所述垂直磁记录层之间形成的软磁层，所述软磁层具有小于100nm的厚度、在表面方向上的磁各向异性，以及不小于79T·A/m(10kG·Oe)的饱和磁通密度Bs和矫顽力Hc的乘积Bs·Hc。通过使软磁层的厚度在上述范围内，可稳定在表面方向上的磁各向异性。通过使Bs·Hc在上述范围内，可充分增加静磁能量。因此，可抑制在软磁层中磁壁的产生，可抑制由软磁层产生的噪声，并实现高密度记录。
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公开(公告)号：CN1898726A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200480038388.9
申请日：2004-12-24
CPC classification number: G11B5/7325 , C23C14/0688 , C23C14/185 , G11B5/65 , G11B5/656 , G11B5/712 , G11B5/85
Abstract: 一种磁记录介质62，其中包括：衬底11；在衬底11上形成的底涂层13和14；以及磁记录层15，其包括磁性晶粒和包围所述晶粒的晶粒间界区域。晶粒间界区域包括钛氧化物，且磁记录层15中的钛氧化物的物质含量的比率为5mol％至15mol％之间，所述钛氧化物包括至少TiO和/或Ti2O3。
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公开(公告)号：CN1275231C
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200410031899.X
申请日：2004-03-31
IPC: G11B5/62
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/656
Abstract: 本文公开了垂直磁记录介质和磁记录/再现装置。一种垂直磁记录介质(10)，在垂直磁记录层(4)之下形成了一个内涂层(3)，它具有若干晶体颗粒和一种含有碳化物或硼化物的颗粒边界材料，在上述内涂层(3)之下形成了另一个内涂层(2)，它含有形成晶体颗粒的元素之一。通过进一步缩小垂直磁记录层(4)的颗粒尺寸，它能够进行高密度记录。
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公开(公告)号：CN1823371A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200480019931.0
申请日：2004-07-13
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/656 , G11B5/732 , G11B5/7325
Abstract: 一种具有磁记录层的磁记录介质，该磁记录层由具有改善取向性的精细晶粒制成。在非磁性基片1上依次形成软磁性层3、籽晶层4、垫层5和磁记录层7，其中籽晶层4由包含Ni的材料制成，垫层5具有颗粒隔离型结构，在该结构中由非磁性材料制成的颗粒被隔离在非磁性阵列中，并且该非磁性阵列由包含Y2O3的材料制成。具有这种结构，改善了垫层5在颗粒的均匀性、颗粒边界的清晰度、颗粒的精细度和晶体取向性方面的特征，从而改善了在垫层上所形成的磁记录层7在颗粒的均匀性、颗粒边界的清晰度、颗粒的精细度和晶体取向性方面的特征。因此，改善了介质噪声和矫顽力，从而可以进行高密度记录。
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公开(公告)号：CN1538392A
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN200410045124.8
申请日：2004-03-17
IPC: G11B5/708
Abstract: 本文公开的是一种磁记录介质，其包括一衬底(11)，一底层(13，14)，以及一垂直磁记录层(15)，其中这个垂直磁记录层包括磁性晶粒和环绕该磁性晶粒的基质，并且该基质包含从Zn，Cd，Al，Ga和In中选出的一种元素，以及从P，As，Sb，S，Se和Te中选出的一种元素。
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