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公开(公告)号：CN105793969A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201480065559.0
申请日：2014-10-02
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78669 , H01L29/45 , H01L29/78618 , H01L29/7869
Abstract: 一种半导体装置，其为具有源极、漏极、栅极和非晶硅层的半导体装置，其特征在于，在上述源极和上述漏极的一者或两者与上述非晶硅层之间，具有含有钙原子和铝原子的非晶氧化物的电子化合物的薄膜。
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公开(公告)号：CN102918652A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201180026770.8
申请日：2011-05-31
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/02167 , C03C3/087 , C03C3/091 , C03C17/36 , C03C17/3607 , C03C17/3678 , H01L31/03923 , Y02E10/541
Abstract: 本发明的目的是提供一种具有耐久性、以一般的构成能够向CIGS层供给碱金属的CIGS型太阳能电池。一种太阳能电池，其特征在于，该电池是具有绝缘性支撑基板、设置在所述绝缘性支撑基板上的背面电极层、设置在所述背面电极层上的CIGS层、设置在所述CIGS层上的缓冲层和设置在所述缓冲层上的透明表面电极层的CIGS型太阳能电池，在所述绝缘性支撑基板与所述背面电极层之间、或所述背面电极层与所述CIGS层之间、或同时在所述绝缘性支撑基板与所述背面电极层之间以及所述背面电极层与所述CIGS层之间，还具有碱金属供给层，该碱金属供给层含有选自NaNbO3化合物、KNbO3化合物和LiNbO3化合物的一种以上的化合物。
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公开(公告)号：CN1914695B
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200580004070.3
申请日：2005-02-02
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: C03C17/245 , C03C2217/231 , C03C2218/154 , C03C2218/328 , C03C2218/33 , G02F1/13439 , H01J9/02 , H01J2217/04 , H01L31/1884 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供由能够很容易地形成布线图案、且可以低成本实现低电阻的透明度良好的氧化锡膜形成的透明电极的制造方法。该透明电极的制造方法是在基板上形成了制作有布线图案的氧化锡膜的透明电极的制造方法，该方法的特征在于，包括在基板上形成具有吸光性的氧化锡膜的工序，用蚀刻液溶解具有吸光性的氧化锡膜的一部分以制作布线图案的工序，对形成了布线图案的具有吸光性的氧化锡膜进行加热处理以获得氧化锡膜的工序。
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公开(公告)号：CN101460651A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200780020719.X
申请日：2007-06-08
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: C23C14/34 , C04B35/457 , G02F1/1343 , H01B5/14 , H01B13/00
CPC classification number: C23C14/3414 , C04B35/457 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C23C14/086 , G02F1/13439
Abstract: 本发明提供适合于通过DC溅射法、DC脉冲溅射法和AC溅射法形成透明导电膜的氧化锡类靶材。所述溅射靶材是用溅射法形成透明导电膜时所使用的溅射靶材，其特征在于，以氧化锡为主要成分，包含选自A掺杂剂组的至少一种元素以及选自B掺杂剂组的至少一种元素作为掺杂剂，A掺杂剂组包括锌、铌、钛、镁、铝和锆，B掺杂剂组包括钨、钽和钼。
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公开(公告)号：CN100482849C
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200380101764.X
申请日：2003-10-22
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: G02B1/10 , C23C14/083 , C23C14/10 , C23C14/3414 , C23C16/401 , C23C16/505 , C23C28/04 , C23C28/042 , C23C28/044 , C23C28/42 , G02B1/116 , G02B1/16 , G02B5/285
Abstract: 采用导电性溅射材料并通过溅射法在基板上高速成膜由金属氧化物膜和二氧化硅膜构成的多层膜，提供松弛了膜应力的带多层膜的基板和制造上述低应力的带多层膜的基板的方法。它是在基板上1次或1次以上重复层叠至少金属氧化物膜和二氧化硅膜而形成的带多层膜的基板，其特征在于，该金属氧化物膜的至少一层是如下消除氧不足的金属氧化物膜，并且该多层膜的应力为-100MPa-+100MPa：采用比化学计量组分更缺氧的金属氧化物MOx作为靶材，进行溅射成膜所形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101189538A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200680019582.1
申请日：2006-05-10
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: G03B21/62 , C03C17/3405 , G02B5/0242 , G02B5/0268 , G02B5/0278 , Y10T428/249921 , Y10T428/25
Abstract: 提供PTV用透射型屏幕，特别是可用于搭载MD等光学引擎的高清晰PTV且可应对大型化的高刚性的透射型屏幕和其中所用的扩散板。上述光扩散板是包含基板和形成于基板的光扩散层的光扩散板，其特征在于，光扩散层至少由2层构成，该2层为第1光扩散层和第2光扩散层，该第1光扩散层包含第1基料及与第1基料的折射率差Δn1为0.04≤Δn1≤0.2的第1光扩散材料，该第2光扩散层包含第2基料及与第2基料的折射率差Δn2为0.005≤Δn2＜0.04的第2光扩散材料，第1光扩散层中的第1光扩散材料的体积率不足40％，第2光扩散层中的第2光扩散材料的体积率为40％以上，光扩散层的总层厚以固化后的层厚计为5～200μm。
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公开(公告)号：CN105849929B
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201480071371.7
申请日：2014-12-04
Applicant: 国立研究开发法人科学技术振兴机构 , 国立大学法人东京工业大学 , 旭硝子株式会社
CPC classification number: H01L51/5072 , H01L51/0081 , H01L51/0085 , H01L51/4273 , H01L51/44 , H01L51/5092 , H01L51/5096 , H01L2251/303 , H01L2251/5353 , Y02E10/549
Abstract: 本发明涉及一种非晶金属氧化物的薄膜，其含有锌(Zn)、硅(Si)和氧(O)，其中Zn/(Zn+Si)的原子数比为0.30～0.95。
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公开(公告)号：CN105283579B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201480033195.8
申请日：2014-06-02
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: H01J37/3426 , C04B35/44 , C04B35/6261 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3244 , C04B2235/3272 , C04B2235/422 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/76 , C04B2235/96 , C23C14/08 , C23C14/081 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , H01J37/3423
Abstract: 一种非晶膜形成用溅射靶，其为含有导电性钙铝石化合物的溅射靶，该导电性钙铝石化合物的电子密度为3×1020cm‑3以上，且该导电性钙铝石化合物含有选自由C、Fe、Na和Zr所构成的组中的一种以上元素。
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公开(公告)号：CN1914695A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200580004070.3
申请日：2005-02-02
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: C03C17/245 , C03C2217/231 , C03C2218/154 , C03C2218/328 , C03C2218/33 , G02F1/13439 , H01J9/02 , H01J2217/04 , H01L31/1884 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供由能够很容易地形成布线图案、且可以低成本实现低电阻的透明度良好的氧化锡膜形成的透明电极的制造方法。该透明电极的制造方法是在基板上形成了制作有布线图案的氧化锡膜的透明电极的制造方法，该方法的特征在于，包括在基板上形成具有吸光性的氧化锡膜的工序，用蚀刻液溶解具有吸光性的氧化锡膜的一部分以制作布线图案的工序，对形成了布线图案的具有吸光性的氧化锡膜进行加热处理以获得氧化锡膜的工序。
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公开(公告)号：CN1340201A
公开(公告)日：2002-03-13
申请号：CN00803600.4
申请日：2000-02-10
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: H01B1/06 , C23C14/0641
Abstract: 含Ti和/或Zr及选自Al、Si、Mo、Cr、Nb、Hf、Ni、Co、Fe、Pd、Ag、Au和Pt的一种以上金属、耐热性好的导电性氮化物膜及其制备方法,以及用该导电性氮化物膜的防反射体。
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