公开(公告)号：CN101568999A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200880001355.5

申请日：2008-01-08

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 田上政由 ,  林喜宏 ,  多田宗弘 ,  小野寺贵弘 ,  古武直也 ,  植木诚 ,  天野真理

IPC: H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种具有多层布线的半导体装置，该多层布线具有在绝缘膜中的预定区域形成的铜布线膜、衬层膜和高熔点金属膜。铜布线膜是多晶，构成多晶的晶粒中占据单位布线表面的40％以上面积的晶粒在基板厚度方向上向(111)方位取向，并具有与贵金属衬层膜的结晶匹配性。在高熔点金属膜是Ti，贵金属衬层膜是钌膜时，高熔点金属的钛固溶在钌中成为贵金属衬层，形成兼具抗铜扩散性和铜结晶匹配性的铜布线。