公开(公告)号：CN101568999A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200880001355.5

申请日：2008-01-08

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 田上政由 ,  林喜宏 ,  多田宗弘 ,  小野寺贵弘 ,  古武直也 ,  植木诚 ,  天野真理

IPC: H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种具有多层布线的半导体装置，该多层布线具有在绝缘膜中的预定区域形成的铜布线膜、衬层膜和高熔点金属膜。铜布线膜是多晶，构成多晶的晶粒中占据单位布线表面的40％以上面积的晶粒在基板厚度方向上向(111)方位取向，并具有与贵金属衬层膜的结晶匹配性。在高熔点金属膜是Ti，贵金属衬层膜是钌膜时，高熔点金属的钛固溶在钌中成为贵金属衬层，形成兼具抗铜扩散性和铜结晶匹配性的铜布线。

公开(公告)号：CN1193811A

公开(公告)日：1998-09-23

申请号：CN98101004.0

申请日：1998-03-10

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 小野寺贵弘 ,  林喜宏

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/768 ,  C23F4/00

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 制备半导体器件的方法,第一膜形成在第二膜上,在第一膜上形成第一光刻胶膜,使在第一光刻胶膜中有第一开口部分。此时,如果提供防反射膜,用提供在第二膜上的金属塞的反射,可以使第一开口部分制备得宽一些。通过第一开口部分暴露部分第一膜。随后,用能腐蚀第一光刻胶膜和第一膜的腐蚀气体,同时对二者进行干法腐蚀。在该过程中,监测第一膜与腐蚀气体的反应所产生的反应产物所发光的光谱强度。根据所说光谱强度的变化停止干法腐蚀。

公开(公告)号：CN1154158C

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：CN98101004.0

申请日：1998-03-10

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 小野寺贵弘 ,  林喜宏

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/768 ,  C23F4/00

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 制备半导体器件的方法，第一膜形成在第二膜上，在第一膜上形成第一光刻胶膜，使在第一光刻胶膜中有第一开口部分。此时，如果提供防反射膜，用提供在第二膜上的金属塞的反射，可以使第一开口部分制备得宽一些。通过第一开口部分暴露部分第一膜。随后，用能腐蚀第一光刻胶膜和第一膜的腐蚀气体，同时对二者进行干法腐蚀。在该过程中，监测第一膜与腐蚀气体的反应所产生的反应产物所发光的光谱强度。根据所说光谱强度的变化停止干法腐蚀。

公开(公告)号：CN1503330A

公开(公告)日：2004-06-09

申请号：CN200310120440.2

申请日：1998-03-10

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 小野寺贵弘 ,  林喜宏

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 制备半导体器件的方法，第一膜形成在第二膜上，在第一膜上形成第一光刻胶膜，使在第一光刻胶膜中有第一开口部分。此时，如果提供防反射膜，用提供在第二膜上的金属塞的反射，可以使第一开口部分制备得宽一些。通过第一开口部分暴露部分第一膜。随后，用能腐蚀第一光刻胶膜和第一膜的腐蚀气体，同时对二者进行干法腐蚀。在该过程中，监测第一膜与腐蚀气体的反应所产生的反应产物所发光的光谱强度。根据所说光谱强度的变化停止干法腐蚀。