公开(公告)号：CN1216403A

公开(公告)日：1999-05-12

申请号：CN98124411.4

申请日：1998-10-30

Applicant: 日本电气株式会社 ,  辛姆特瑞克斯公司

Inventor： 天沼一志

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/04 ,  G11C11/22 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L28/55

Abstract: 一个半导体器件具有一个器件隔离氧化膜,一个层间绝缘膜,几个氢气隔离膜,一个下部电极,一个电容器件绝缘膜,一个上部电极,一个层间绝缘膜和一个连线层,形成在硅基片上。一个栅极形成在硅基片上杂质扩散区之间的栅极氧化膜上。而且,一个电容器部件,包括下部电极,电容器绝缘膜和上部电极,被几个氢气隔离膜完全覆盖。

公开(公告)号：CN1190800A

公开(公告)日：1998-08-19

申请号：CN98100819.4

申请日：1998-02-16

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 田边伸广 ,  天沼一志

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/11507

Abstract: 所提供的半导体存储器件,每个存储电容器具有被下部及上部电极所夹的电介质。下部电极由制作图形的共用导电层制成,电介质由形成在共用导电层上被加工图形的共用铁电层制成,且铁电层与共用导电层重合。上部电极规则设置在共用铁电层上且位于矩阵阵列的行及列之外,其中共用导电层和共用铁电层的窗口对齐。布线线路通过盖住存储电容器的夹层绝缘层形成在上部电极上,从而将上部电极与选择晶体管电连接。

公开(公告)号：CN1144290C

公开(公告)日：2004-03-31

申请号：CN98124411.4

申请日：1998-10-30

Applicant: 日本电气株式会社 ,  辛姆特瑞克斯公司

Inventor： 天沼一志

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/04 ,  G11C11/22 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L28/55

Abstract: 一个半导体器件具有一个器件隔离氧化膜，一个层间绝缘膜，几个氢气隔离膜，一个下部电极，一个电容器件绝缘膜，一个上部电极，一个层间绝缘膜和一个连线层，形成在硅基片上。一个栅极形成在硅基片上杂质扩散区之间的栅极氧化膜上。而且，一个电容器部件，包括下部电极，电容器绝缘膜和上部电极，被几个氢气隔离膜完全覆盖。

公开(公告)号：CN1232294A

公开(公告)日：1999-10-20

申请号：CN99105008.8

申请日：1999-04-08

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 筱原壮太 ,  加藤有光 ,  天沼一志 ,  竹内常雄 ,  村尾幸信 ,  林喜宏

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/108 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L28/55

Abstract: 一种铁电存储器件包括通过绝缘薄膜(9)在半导体衬底(1)上形成的铁电电容元件。该铁电电容元件包括下电极(3)、在下电极上形成的铁电薄膜(4),以及在铁电薄膜上形成的上电极(5)。上电极具有叠层结构,后者含有与所述铁电薄膜连接的第一金属的导电氧化物层。