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公开(公告)号：CN112236871A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN201980037600.6
申请日：2019-05-20
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: H01L31/0232
Abstract: 本发明包括形成在第一衬底(101)的主表面(101a)上的半导体光放大器(102)。半导体光放大器(102)的一端的端面形成第一反射部(103)，所述一端的端面被形成为相对于第一衬底(101)的主表面(101a)倾斜。半导体光放大器(102)的另一端的端面形成第二反射部(104)，所述另一端的端面被形成为相对于第一衬底(101)的主表面(101a)倾斜。该光接收装置还包括：第二衬底(105)，其背面(105b)结合到第一衬底(101)的背面(101b)；以及光电二极管(106)，形成在第二衬底(105)的主表面(105a)上。
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公开(公告)号：CN107004734A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580066179.3
申请日：2015-11-27
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: H01L31/107
CPC classification number: H01L31/1075 , H01L31/022416 , H01L31/035281
Abstract: 为了在不牺牲光接收灵敏度和高速度的情况下获得高线性度，雪崩光电二极管包括形成在第一光吸收层(102)上的雪崩层(103)、形成在雪崩层(103)上的n场控制层(104)以及形成在场控制层(104)上的第二光吸收层(105)。如果施加反向偏置电压，则场控制层(104)中的施主杂质离化，并且在雪崩层(103)中诱发高电场。场控制层(104)中的n型掺杂量设置为使得第二光吸收层(105)中的杂质浓度在反向偏置施加时充分耗尽。
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公开(公告)号：CN112236871B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN201980037600.6
申请日：2019-05-20
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: H01L31/0232
Abstract: 本发明包括形成在第一衬底(101)的主表面(101a)上的半导体光放大器(102)。半导体光放大器(102)的一端的端面形成第一反射部(103)，所述一端的端面被形成为相对于第一衬底(101)的主表面(101a)倾斜。半导体光放大器(102)的另一端的端面形成第二反射部(104)，所述另一端的端面被形成为相对于第一衬底(101)的主表面(101a)倾斜。该光接收装置还包括：第二衬底(105)，其背面(105b)结合到第一衬底(101)的背面(101b)；以及光电二极管(106)，形成在第二衬底(105)的主表面(105a)上。
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公开(公告)号：CN102257640A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200980150764.6
申请日：2009-12-11
Applicant: NTT电子股份有限公司 , 日本电信电话株式会社
IPC: H01L31/107
CPC classification number: H01L31/1075
Abstract: 本发明的目的是提供具有不必高精度地控制埋入n电极构造的n型区域的掺杂剖面就能够抑制边缘击穿的构造的埋入n电极构造的电子注入型APD。本发明的APD在n电极连接层(32)和雪崩倍增层(34)之间插入有离子化率低的缓冲层(33)。具体地说，是依次层叠了n电极层(31)、n电极连接层(32)、缓冲层(33)、雪崩倍增层(34)、电场控制层(35)、带隙倾斜层(36)、低浓度光吸收层(37a)、p型光吸收层(37b)及p电极层(38)，至少由低浓度光吸收层(37a)和p型光吸收层(37b)组成的光吸收部(37)形成台面形状的电子注入型APD。
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公开(公告)号：CN113678266A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202080027577.5
申请日：2020-04-07
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: H01L31/10
Abstract: 本发明提供一种增加制造工艺的裕度，能不牺牲受光灵敏度而实现高速工作的半导体受光元件。本发明的半导体受光元件(200)具备：掺杂有第一杂质的半导体层(202)；半导体光吸收层(203)，在掺杂有所述第一杂质的半导体层(202)上，以吸收入射光的方式对带隙能量进行调整；掺杂有第二杂质的半导体层(204)，在所述半导体光吸收层(203)上；以及金属电极(206)，与掺杂有所述第二杂质的半导体的侧面相接，所述半导体受光元件(200)的特征在于，所述金属电极(206)的侧面是与掺杂有所述第二杂质的半导体层(204)的生长方向平行的面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102257640B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN200980150764.6
申请日：2009-12-11
Applicant: NTT电子股份有限公司 , 日本电信电话株式会社
IPC: H01L31/107
CPC classification number: H01L31/1075
Abstract: 本发明的目的是提供具有不必高精度地控制埋入n电极构造的n型区域的掺杂剖面就能够抑制边缘击穿的构造的埋入n电极构造的电子注入型APD。本发明的APD在n电极连接层32和雪崩倍增层34之间插入有离子化率低的缓冲层33。具体地说，是依次层叠了n电极层31、n电极连接层32、缓冲层33、雪崩倍增层34、电场控制层35、带隙倾斜层36、低浓度光吸收层37a、p型光吸收层37b及p电极层38，至少由低浓度光吸收层37a和p型光吸收层37b组成的光吸收部37形成台面形状的电子注入型APD。
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公开(公告)号：CN103091786A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201210430712.8
申请日：2012-11-01
Applicant: NTT电子股份有限公司 , 日本电信电话株式会社
IPC: G02B6/32
CPC classification number: G02B3/0025 , G02B3/005 , G02B6/3636 , G02B6/4204 , G02B6/423
Abstract: 本发明的目的在于提供一种微透镜阵列、以及具备该微透镜阵列的光传输部件，该微透镜阵列与导波通路等的光回路保持高的位置精度且连接操作容易。与本发明有关的微透镜阵列具备：多个微透镜（1），配置为阵列结构，且在光轴方向上长度相同；以及调芯用光纤（9），以使其光轴与微透镜（1）的光轴平行的方式配置在阵列结构的两端，光轴方向的长度与微透镜（1）的长度相同，且导波模直径比微透镜（1）的口径小。
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公开(公告)号：CN113678266B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202080027577.5
申请日：2020-04-07
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: H01L31/10
Abstract: 本发明提供一种增加制造工艺的裕度，能不牺牲受光灵敏度而实现高速工作的半导体受光元件。本发明的半导体受光元件(200)具备：掺杂有第一杂质的半导体层(202)；半导体光吸收层(203)，在掺杂有所述第一杂质的半导体层(202)上，以吸收入射光的方式对带隙能量进行调整；掺杂有第二杂质的半导体层(204)，在所述半导体光吸收层(203)上；以及金属电极(206)，与掺杂有所述第二杂质的半导体层(204)的侧面相接，所述半导体受光元件(200)的特征在于，所述金属电极(206)的侧面是与掺杂有所述第二杂质的半导体层(204)的生长方向平行的面。
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公开(公告)号：CN103091786B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201210430712.8
申请日：2012-11-01
Applicant: NTT电子股份有限公司 , 日本电信电话株式会社
IPC: G02B6/32
CPC classification number: G02B3/0025 , G02B3/005 , G02B6/3636 , G02B6/4204 , G02B6/423
Abstract: 本发明的目的在于提供一种微透镜阵列、以及具备该微透镜阵列的光传输部件，该微透镜阵列与导波通路等的光回路保持高的位置精度且连接操作容易。与本发明有关的微透镜阵列具备：多个微透镜（1），配置为阵列结构，且在光轴方向上长度相同；以及调芯用光纤（9），以使其光轴与微透镜（1）的光轴平行的方式配置在阵列结构的两端，光轴方向的长度与微透镜（1）的长度相同，且导波模直径比微透镜（1）的口径小。
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公开(公告)号：CN202870345U
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201220571472.9
申请日：2012-11-01
Applicant: NTT电子股份有限公司 , 日本电信电话株式会社
IPC: G02B6/32
CPC classification number: G02B3/0025 , G02B3/005 , G02B6/3636 , G02B6/4204 , G02B6/423
Abstract: 本实用新型的目的在于提供一种微透镜阵列、以及具备该微透镜阵列的光传输部件，该微透镜阵列与导波通路等的光回路保持高的位置精度且连接操作容易。与本实用新型有关的微透镜阵列具备：多个微透镜（1），配置为阵列结构，且在光轴方向上长度相同；以及调芯用光纤（9），以使其光轴与微透镜（1）的光轴平行的方式配置在阵列结构的两端，光轴方向的长度与微透镜（1）的长度相同，且导波模直径比微透镜（1）的口径小。
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