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公开(公告)号：CN112236871A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN201980037600.6
申请日：2019-05-20
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: H01L31/0232
Abstract: 本发明包括形成在第一衬底(101)的主表面(101a)上的半导体光放大器(102)。半导体光放大器(102)的一端的端面形成第一反射部(103)，所述一端的端面被形成为相对于第一衬底(101)的主表面(101a)倾斜。半导体光放大器(102)的另一端的端面形成第二反射部(104)，所述另一端的端面被形成为相对于第一衬底(101)的主表面(101a)倾斜。该光接收装置还包括：第二衬底(105)，其背面(105b)结合到第一衬底(101)的背面(101b)；以及光电二极管(106)，形成在第二衬底(105)的主表面(105a)上。
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公开(公告)号：CN113678266B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202080027577.5
申请日：2020-04-07
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: H01L31/10
Abstract: 本发明提供一种增加制造工艺的裕度，能不牺牲受光灵敏度而实现高速工作的半导体受光元件。本发明的半导体受光元件(200)具备：掺杂有第一杂质的半导体层(202)；半导体光吸收层(203)，在掺杂有所述第一杂质的半导体层(202)上，以吸收入射光的方式对带隙能量进行调整；掺杂有第二杂质的半导体层(204)，在所述半导体光吸收层(203)上；以及金属电极(206)，与掺杂有所述第二杂质的半导体层(204)的侧面相接，所述半导体受光元件(200)的特征在于，所述金属电极(206)的侧面是与掺杂有所述第二杂质的半导体层(204)的生长方向平行的面。
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公开(公告)号：CN113678266A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202080027577.5
申请日：2020-04-07
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: H01L31/10
Abstract: 本发明提供一种增加制造工艺的裕度，能不牺牲受光灵敏度而实现高速工作的半导体受光元件。本发明的半导体受光元件(200)具备：掺杂有第一杂质的半导体层(202)；半导体光吸收层(203)，在掺杂有所述第一杂质的半导体层(202)上，以吸收入射光的方式对带隙能量进行调整；掺杂有第二杂质的半导体层(204)，在所述半导体光吸收层(203)上；以及金属电极(206)，与掺杂有所述第二杂质的半导体的侧面相接，所述半导体受光元件(200)的特征在于，所述金属电极(206)的侧面是与掺杂有所述第二杂质的半导体层(204)的生长方向平行的面。
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公开(公告)号：CN114762131A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN201980102322.8
申请日：2019-11-18
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: H01L31/107
Abstract: 提供一种具有高可靠性和低噪声性，同时能在高增益状态下动作的雪崩光电二极管的元件结构。雪崩光电二极管(100)是一种在第一与第二半导体接触层之间至少具有倍增层(105)和光吸收层(103)，第一半导体接触层(108)的面积至少小于倍增层(105)的面积的雪崩光电二极管，其设为在第一半导体接触层(108)与倍增层(105)之间，具有在动作电压下耗尽层化的电场弛豫层(107)。
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公开(公告)号：CN112236871B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN201980037600.6
申请日：2019-05-20
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: H01L31/0232
Abstract: 本发明包括形成在第一衬底(101)的主表面(101a)上的半导体光放大器(102)。半导体光放大器(102)的一端的端面形成第一反射部(103)，所述一端的端面被形成为相对于第一衬底(101)的主表面(101a)倾斜。半导体光放大器(102)的另一端的端面形成第二反射部(104)，所述另一端的端面被形成为相对于第一衬底(101)的主表面(101a)倾斜。该光接收装置还包括：第二衬底(105)，其背面(105b)结合到第一衬底(101)的背面(101b)；以及光电二极管(106)，形成在第二衬底(105)的主表面(105a)上。
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