公开(公告)号：CN108735647A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201810035305.4

申请日：2018-01-15

Applicant: 日新离子机器株式会社

Inventor： 糸井骏 ,  高桥直也

IPC: H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种静电吸盘，能够遍及晶片支承面的大范围地形成槽，并且能够稳定地支承晶片。静电吸盘(E)具有晶片支承面，在支承面(S)上形成有多个槽(G、G1、G2)，槽之间相互连通。

公开(公告)号：CN107104030B

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201610838817.5

申请日：2016-09-21

Applicant: 日新离子机器株式会社

Inventor： 高桥直也 ,  藤田秀树 ,  吉村洋祐 ,  酒井滋树

IPC: H01J37/317

Abstract: 本发明提供一种离子束照射装置，与以往相比能够使包含在离子束中的不需要的离子减少。该离子束照射装置包括：离子源(2)；质量分离器(3)，从由离子源(2)引出的离子束(IB)中挑选并导出确定的质量和价数的掺杂离子；以及能量过滤器，形成离子束(IB)通过的束通过区域，并且通过被施加过滤器电压(VF)而成为规定的过滤器电位(Vfil)，利用离子的能量差，区分通过所述束通过区域的通过离子和不通过所述束通过区域的非通过离子，以使所述通过离子中包含所述掺杂离子并且使所述非通过离子中包含在质量分离器(3)中不能与所述掺杂离子区分的不需要的离子的至少一部分的方式设定过滤器电位(Vfil)。

公开(公告)号：CN107104030A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201610838817.5

申请日：2016-09-21

Applicant: 日新离子机器株式会社

Inventor： 高桥直也 ,  藤田秀树 ,  吉村洋祐 ,  酒井滋树

IPC: H01J37/317

Abstract: 本发明提供一种离子束照射装置，与以往相比能够使包含在离子束中的不需要的离子减少。该离子束照射装置包括：离子源(2)；质量分离器(3)，从由离子源(2)引出的离子束(IB)中挑选并导出确定的质量和价数的掺杂离子；以及能量过滤器，形成离子束(IB)通过的束通过区域，并且通过被施加过滤器电压(VF)而成为规定的过滤器电位(Vfil)，利用离子的能量差，区分通过所述束通过区域的通过离子和不通过所述束通过区域的非通过离子，以使所述通过离子中包含所述掺杂离子并且使所述非通过离子中包含在质量分离器(3)中不能与所述掺杂离子区分的不需要的离子的至少一部分的方式设定过滤器电位(Vfil)。