公开(公告)号：CN119940253A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202411760200.7

申请日：2024-12-03

Applicant: 扬州大学

Inventor： 薛玉雄 ,  刘涵勋 ,  曹荣幸 ,  陈肖 ,  陆雨鑫 ,  周炜翔 ,  李佳妍 ,  丁伟涛

IPC: G06F30/367 ,  G06F30/373 ,  G06F119/14 ,  G06F119/08

Abstract: 本发明公开了一种p型栅GaN HEMT器件高温栅偏性能变化分析方法，包括步骤：首先，针对p型栅GaN HEMT器件进行参数获取及二维建模，并完成精细的网格划分；接着，构建电学模型并进行优化；在验证模型与器件手册数据的一致性后，设置器件的工作条件，包括温度和偏置电压，同时引入晶格加热、陷阱和界面态、迁移率等模型，以准确模拟器件在实际工况下的表现；随后，通过引入时间模型分析不同HTGB应力时间对器件内部缺陷密度、电荷浓度及载流子浓度的影响；最终，仿真分析不同HTGB应力时间后的器件电学特性，评估器件的可靠性。本发明直观地展示了HTGB对器件性能退化的影响机制，并能评估器件性能随时间的变化趋势。