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公开(公告)号：CN108774057B
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN201810719547.5
申请日：2018-07-03
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: H01F1/36 , C04B35/26 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明提供了一种用于LTCC环形器的NiCuZn旋磁铁氧体材料及其制备方法，属于磁性陶瓷材料制备领域。所述NiCuZn旋磁铁氧体材料由主料和二元复合掺杂构成，所述二元复合掺杂以MnO2和Bi2O3为原料，其中，MnO2的按照主料粉体质量的0.5wt％复合配置，Bi2O3的含量分别为所述主料粉体质量的0.0wt％，0.5wt％，1.0wt％，1.5wt％，2.0wt％，3.0wt％复合配置。同时，在制备用于LTCC环形器的NiCuZn旋磁铁氧体材料时采用新型烧结方法。本发明采用二元掺杂复合配置及新型烧结方法，进行旋磁性能调控制备的NiCuZn旋磁铁氧体材料，以解决在满足LTCC工艺之下，低温烧结中由于晶粒生长不充分，易出现多孔结构，导致密度低，空隙大，铁磁共振线宽高等技术难题。制备了很好旋磁性能的NiCuZn旋磁铁氧体材料，以广泛用于微波器件及微波电路系统中。
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公开(公告)号：CN109406990A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811462919.7
申请日：2018-12-03
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种芯片内置过温迟滞保护检测电路，包括PTAT电压产生电路，迟滞采样电路和温度迟滞检测电路。芯片内置过温迟滞保护检测电路通过基准源产生的温度漂移，利用电阻的分压原理使迟滞采样电路在同一温度下可以输出两个不同的门限电压，而不同的温度下的基准源电压值不同，通过基本的逻辑门电路，判断是否达到过温上限，产生并输出一个带有迟滞特性的控制信号，从而在实现带迟滞特性的过温保护的同时避免产生更多的功耗。本发明的一种芯片内置过温迟滞保护检测电路解决了当前现有技术的芯片工作在非正常温度的苛刻环境造成整个集成电路损坏的技术难题。进一步保护了芯片，具备很强的实用及商用价值。
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公开(公告)号：CN108052292A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201711420007.9
申请日：2017-12-25
Applicant: 成都信息工程大学 , 四川海创天芯科技有限公司 , 四川悠服科技有限公司
Abstract: 本发明涉及存储技术领域，本发明实施例公开了一种固态硬盘的高温保护方法，所述方法包括:检测固态硬盘的温度，根据反馈的温度信息，合理高效地限制固态硬盘的带宽且保证了固态硬盘的其他性能指标。借此，本发明针对固态硬盘在一些特殊的应用场景如环境温度高达至40℃～100℃，避免了高温条件下固态硬盘进入异常模式，防止过高温度导致固态硬盘烧坏，造成数据丢失，大大增强了固态硬盘的可靠性，解决了固态硬盘在高温下的应用技术难点。
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公开(公告)号：CN107993687A
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201810029754.8
申请日：2018-01-12
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明提供了一种存储器电路，包括存储器阵列单元电路、行译码器电路、列译码器电路、页缓存电路、逻辑控制电路以及IO接口电路。在MLC NAND Flash存储器中嵌入ECC编解码电路，对MLC NAND Flash存储器编程操作时，编程的数据通过ECC编码器编码后将数据传送至MLC NAND Flash存储器阵列单元中；对MLC NAND Flsah存储器读取操作时，从MLC NAND Flash存储器的阵列单元读出的数据经过ECC解码器译码后读出至I/O口。MLC NAND Flash存储器中内嵌ECC模块，具备一定的纠正读写数据出错的能力，从而很大程度上解决了MLC NAND Flash存储器编程和读取操作中数据易出错的问题，降低了外部NAND Flash存储控制器的设计复杂度，提高了MLC NAND Flash存储器芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN107993687B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN201810029754.8
申请日：2018-01-12
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明提供了一种存储器电路，包括存储器阵列单元电路、行译码器电路、列译码器电路、页缓存电路、逻辑控制电路以及IO接口电路。在MLC NAND Flash存储器中嵌入ECC编解码电路，对MLC NAND Flash存储器编程操作时，编程的数据通过ECC编码器编码后将数据传送至MLC NAND Flash存储器阵列单元中；对MLC NAND Flsah存储器读取操作时，从MLC NAND Flash存储器的阵列单元读出的数据经过ECC解码器译码后读出至I/O口。MLC NAND Flash存储器中内嵌ECC模块，具备一定的纠正读写数据出错的能力，从而很大程度上解决了MLC NAND Flash存储器编程和读取操作中数据易出错的问题，降低了外部NAND Flash存储控制器的设计复杂度，提高了MLC NAND Flash存储器芯片的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106952665B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN201710156190.X
申请日：2017-03-16
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明提出了一种访问OTP（一次可编程）存储器的电路，通过配置访问OTP存储器指令产生对应访问OTP存储器的接口时序，实现对OTP存储器的编程、读取、唤醒、复位、睡眠操作。同时，在对OTP存储器编程操作中，针对对OTP编程地址的冗余处理及在编程操作中采取对同一个地址多次施加脉冲电压进行编程，采用编程算法模块电路对编程算法进行控制，极大程度解决了访问OTP存储器时容易出现编程出错的问题，大大提高了OTP存储器的可靠性，最大程度实现对OTP存储器利用。
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公开(公告)号：CN109343643A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811462889.X
申请日：2018-12-03
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种非常规结构低温漂电压基准源，包括基准源启动电路，内置电流镜电路和非常规结构基准源电路。非常规结构低温漂电压基准源利用电路结构的创新改进，仅使用同一个晶体管既参与正温度系数的产生，也参与负温度系数的产生，并只用一个稳压二极管进行补偿与调节，从而达到零温度系数，比传统的零温度系数基准电压源相比，使用了更少的器件就能产生精准的高性能基准电压，很大程度上减少了芯片面积，节约了成本。
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公开(公告)号：CN109343642A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811462883.2
申请日：2018-12-03
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种带过温保护的非常规结构电压基准源，包括高精度迟滞过温保护检测电路、电源判决供给电路和非常规结构低温漂基准源产生电路。带过温保护的非常规结构电压基准源，利用结构的创新，在基准源的供电处引入过温保护的检测电路，通过高精度迟滞过温保护检测电路精确地控制基准源电路的工作状态，从而保护电路工作在正常的温度范围内，而在产生基准电压的过程中，采用了非常规的电路结构产生零温度系数的基准电压，即使同一个三极管即参与正温度系数的产生，也参与负温度系数的产生，并用一个稳压二极管进行补偿与调节，在保证过温保护特性的同时，也确保了基准源具备高性能。
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公开(公告)号：CN108774057A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201810719547.5
申请日：2018-07-03
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622 , C04B35/64 , H01F1/36
CPC classification number: C04B35/265 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B2235/3267 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3298 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , H01F1/344 , H01F1/36
Abstract: 本发明提供了一种用于LTCC环形器的NiCuZn旋磁铁氧体材料及其制备方法，属于磁性陶瓷材料制备领域。所述NiCuZn旋磁铁氧体材料由主料和二元复合掺杂构成，所述二元复合掺杂以MnO2和Bi2O3为原料，其中，MnO2的按照主料粉体质量的0.5wt％复合配置，Bi2O3的含量分别为所述主料粉体质量的0.0wt％，0.5wt％，1.0wt％，1.5wt％，2.0wt％，3.0wt％复合配置。同时，在制备用于LTCC环形器的NiCuZn旋磁铁氧体材料时采用新型烧结方法。本发明采用二元掺杂复合配置及新型烧结方法，进行旋磁性能调控制备的NiCuZn旋磁铁氧体材料，以解决在满足LTCC工艺之下，低温烧结中由于晶粒生长不充分，易出现多孔结构，导致密度低，空隙大，铁磁共振线宽高等技术难题。制备了很好旋磁性能的NiCuZn旋磁铁氧体材料，以广泛用于微波器件及微波电路系统中。
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公开(公告)号：CN108109665A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201810029753.3
申请日：2018-01-12
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明提供了一种存储器操作方法，具体涉及一种MLC NAND Flash存储器芯片的操作方法。包括MLC NAND Flash嵌入ECC的编程方法、MLC NAND Flash嵌入ECC的读取方法；在MLC NAND Flash存储器芯片内嵌入ECC编解码模块，在MLC NAND Flash存储器编程操作时，对所要编程的数据通过ECC编码器编码后将数据传送至MLC NAND Flash存储器阵列单元中；对MLC NAND Flsah存储器读取操作时，从MLC NAND Flash存储器的阵列单元读出的数据经过ECC解码器译码后读出至I/O口。MLC NAND Flash存储器中内嵌ECC模块，具备一定的纠正读写数据出错的能力，从而很大程度上解决了MLC NAND Flash存储器编程和读取操作中数据易出错的问题，降低了外部NAND Flash存储控制器的设计复杂度，提高了MLC NAND Flash存储器芯片的可靠性。
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