基于YOLOv8n改进算法的目标检测方法及系统

    公开(公告)号:CN118628891B

    公开(公告)日:2024-10-25

    申请号:CN202411088057.1

    申请日:2024-08-09

    Abstract: 本发明涉及电数字数据处理技术领域,尤其涉及基于YOLOv8n改进算法的目标检测方法及系统,该目标检测方法包括以下步骤:S10,实时采集自动驾驶现场图像;S20,将采集的图像输入目标检测模型,输出得到检测结果;所述目标检测模型包括骨干网络单元、颈部网络单元和头部网络单元,所述骨干网络单元包括卷积到完全连接‑可变形卷积网络模块,所述颈部网络单元包括全局注意力模块,所述头部网络单元包括动态头部模块。该目标检测系统包括图像采集模块和目标检测模块。本发明在保障检测速度的基础上具有更高的检测精度。

    基于YOLOv8n改进算法的目标检测方法及系统

    公开(公告)号:CN118628891A

    公开(公告)日:2024-09-10

    申请号:CN202411088057.1

    申请日:2024-08-09

    Abstract: 本发明涉及电数字数据处理技术领域,尤其涉及基于YOLOv8n改进算法的目标检测方法及系统,该目标检测方法包括以下步骤:S10,实时采集自动驾驶现场图像;S20,将采集的图像输入目标检测模型,输出得到检测结果;所述目标检测模型包括骨干网络单元、颈部网络单元和头部网络单元,所述骨干网络单元包括卷积到完全连接‑可变形卷积网络模块,所述颈部网络单元包括全局注意力模块,所述头部网络单元包括动态头部模块。该目标检测系统包括图像采集模块和目标检测模块。本发明在保障检测速度的基础上具有更高的检测精度。

    一种高栅极可靠性的增强型GaN HEMT器件

    公开(公告)号:CN214672629U

    公开(公告)日:2021-11-09

    申请号:CN202121239718.8

    申请日:2021-06-04

    Abstract: 本实用新型公开了一种高栅极可靠性的增强型GaN HEMT器件,该GaN HEMT器件,包括依次层叠的衬底层、异质结层、p‑GaN层、AlN高势垒层以及金属电极,所述异质结层包括设于衬底上的GaN缓冲层及设于GaN缓冲层上的AlGaN势垒层,所述金属电极包括设于异质结层上的源极和漏极以及设于AlN高势垒层上且位于源极和漏极之间的栅极。通过在传统的p型栅增强型GaN HEMT器件的栅电极和p‑GaN层之间插入AlN高势垒层,以AlN高势垒层作为势垒阻挡层抬高肖特基栅极的势垒高度,抑制栅电极中空穴向p‑GaN层注入,从而降低正常工作中栅电流,提高安全工作栅压范围。

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